【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及硅膠制備，尤其涉及一種低釋氣低揮發硅膠的制備方法。
技術介紹
1、硅膠具有優異的耐熱性、耐寒性、介電性、耐臭氧和耐大氣老化等性能，硅膠突出的耐溫性能寬廣，能在-60℃至+250℃下長期使用。它具有優異的生理惰性，無毒、無味、無腐蝕、抗凝血、與機體的相容性好，能經受苛刻的消毒條件。
2、低揮發性硅膠主要用于空調、燈具的粘接與密封，如led節能燈、汽車燈具，汽車led日行燈等產品的粘結與密封以及精密儀器、儀表的粘接密封，醫療器械的粘接密封，高端電子電器上重要零部件的保護性加固密封保護，各種玻璃、鋁材、石材和金屬結構工程的結構粘結密封，其他行業中需粘結或密封的各種用途。
技術實現思路
1、為解決上述技術問題，本專利技術提供的一種低釋氣低揮發硅膠的制備方法，其特征在于其步驟為：以下列各組份為重量份，a、首先，將甲基乙烯基硅氧烷60-70份、交聯劑1-3份和羥基硅油0.05-1.5份混合均勻，得到乳液；
2、b、接著，將氣相法白炭黑25-35份和乳液混合均勻；
3、c、混煉，放進捏合機進行混煉，把放進捏合機進行混煉，把捏合機溫度升至100℃，捏合混煉速度為1500轉/分鐘,進行熱處理240分鐘；然后升溫至160℃，捏合混煉速度為500轉/分鐘，捏合混煉過程中抽真空240分鐘，真空度不低于-0.07兆帕，關掉捏合混煉機靜止抽真空120分鐘，靜止過程中真空度不低于-0.07mp，接著常壓下，放置硅膠48小時以上，使其完全交聯成型；
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5、e、選取聚脂薄膜，將步驟d制備好的低釋氣低揮發硅膠壓延于聚脂薄膜上，形成硅膠復合物；
6、f、將硅膠復合物進行高溫烘烤處理，高溫烘烤的壓延機共有九節烘箱，設定每一節烘箱的溫度分別為第一節55℃，第二節65℃，第三節75℃，第四節85℃，第五節95℃，第六節105℃，第七節125℃，第八節135℃，第九節155℃，每節烘箱烘干時間為2-5分鐘；
7、g、將聚脂薄膜揭除，制得低釋氣低揮發硅膠；
8、h、最后用模切機覆合、裁切、包裝、入庫，完成低釋氣低揮發硅膠的制備。
9、優選的所述步驟a中的甲基乙烯基硅氧烷為65份.
10、優選的所述步驟a中的交聯劑為2份。
11、優選的所述步驟a中的羥基硅油為1份。
12、優選的所述步驟f中每節烘箱烘干時間為3分鐘。
13、本專利技術涉及的一種低釋氣低揮發硅膠的制備方法，該低釋氣低揮發硅膠的制備過程中，通過甲基乙烯基硅氧烷和羥基硅油使硅膠分子鏈起交聯反應，工藝將一定量經過密煉后的低釋氣低揮發硅膠和硅膠硫化劑在開放式開煉機混煉，使物料與輥筒表面之間的摩擦和粘附作用，減少硅膠本來物質氣體揮發。該方法能夠將原材材料里面的硅氧烷、水分、氣體處理干凈，從而制得低揮發、無氣泡，低水分硅膠材料；該低釋氣低揮發硅膠的力學性能大大提高，具有不變粘,不易折斷和在有機溶劑中不溶解的性能。該低釋氣低揮發硅膠的制備方法工藝設計科學合理，工藝簡潔易操作，適合推廣使用。
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1.一種低釋氣低揮發硅膠的制備方法，其特征在于其步驟為：以下列各組份為重量份，
2.根據權利要求1所述的一種低釋氣低揮發硅膠的制備方法，其特征在于：所述步驟a中的甲基乙烯基硅氧烷為65份。
3.根據權利要求1所述的一種低釋氣低揮發硅膠的制備方法，其特征在于：所述步驟a中的交聯劑為2份。
4.根據權利要求1所述的一種低釋氣低揮發硅膠的制備方法，其特征在于：所述步驟a中的羥基硅油為1份。
5.根據權利要求1所述的一種低釋氣低揮發硅膠的制備方法，其特征在于：所述步驟f中每節烘箱烘干時間為3分鐘。
【技術特征摘要】
1.一種低釋氣低揮發硅膠的制備方法，其特征在于其步驟為：以下列各組份為重量份，
2.根據權利要求1所述的一種低釋氣低揮發硅膠的制備方法，其特征在于：所述步驟a中的甲基乙烯基硅氧烷為65份。
3.根據權利要求1所述的一種低釋氣低揮發硅膠的制備方法，其...
【專利技術屬性】
技術研發人員：代樹高，蔡大福，
申請(專利權)人：昆山市碩鴻電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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