【技術實現步驟摘要】
本技術涉及加熱設備，尤其涉及到一種cvd真空鍍膜加熱板。
技術介紹
1、cvd鍍膜，其特點是在真空條件下，材料在高溫加熱器的作用下發生化學反應并在基片表面上結合成膜，再經高溫熱處理后，在基片表面形成附著力很強的膜層，真空鍍膜中應用最廣泛加熱器的就是高溫鋁基板加熱器。現有技術中，高溫鋁基板加熱器由于功率不夠高，導致在加熱過程中由于溫度補償能力有限，在有限的時間里面溫度補償不足，影響鍍膜的質量。
技術實現思路
1、本技術的目的是提供一種cvd真空鍍膜加熱板，從而解決上述技術缺陷。
2、本技術為解決其技術問題所采用的技術方案是：
3、一種cvd真空鍍膜加熱板，包括本體；
4、所述本體上的一側開設有第一加熱槽、第二加熱槽、第三加熱槽和第四加熱槽，所述本體的區域內還設置有用于固定加熱器法蘭的安裝區，所述第一加熱槽、第二加熱槽、第三加熱槽和第四加熱槽的首尾段均位于安裝區內。
5、在技術一或多個實施方式中，所述第一加熱槽、第二加熱槽、第三加熱槽和第四加熱槽的形狀為各不相同的彎曲狀結構。
6、在技術一或多個實施方式中，所述第一加熱槽、第二加熱槽、第三加熱槽和第四加熱槽各自的內部分別形成第一內加熱區、第二內加熱區、第一外加熱區和第二外加熱區。
7、在技術一或多個實施方式中，所述本體上還設置有第一熱電偶槽、第二熱電偶槽、第三熱電偶槽和第四熱電偶槽，所述第一熱電偶槽、第二熱電偶槽、第三熱電偶槽和第四熱電偶槽的內側端位于第二內加熱區內
8、在技術一或多個實施方式中，所述第一加熱槽、第二加熱槽、第三加熱槽和第四加熱槽沿周長方向的兩側開設有若干呈均勻間隔設置有點孔，所述點孔深度為1mm。
9、在技術一或多個實施方式中，所述本體上開設有呈回形陣列設置的螺孔，其位于最外側的螺孔分布于第四加熱槽的內外側。
10、在技術一或多個實施方式中，所述本體上開設有四個呈矩形陣列設置的吊裝孔，所述吊裝孔位于第一內加熱區內。
11、在技術一或多個實施方式中，所述本體的兩個相對外側端開設有若干矩型通槽。
12、在技術一或多個實施方式中，所述本體的四角為圓角；所述本體的一側還設置有刻字區，所述刻字區位于第二外加熱區內。
13、在技術一或多個實施方式中，所述本體的另一側開設有若干防應力槽。
14、本技術的優點在于：
15、本技術通過改進加熱器分區及排布結構，使得組裝后的加熱器能提高功率，從而達到加熱速度快、溫度補償能力足且溫度均勻的目的。
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1.一種CVD真空鍍膜加熱板，包括本體(1)，其特征在于：
2.根據權利要求1所述的一種CVD真空鍍膜加熱板，其特征在于：
3.根據權利要求1所述的一種CVD真空鍍膜加熱板，其特征在于：
4.根據權利要求3所述的一種CVD真空鍍膜加熱板，其特征在于：
5.根據權利要求1所述的一種CVD真空鍍膜加熱板，其特征在于：
6.根據權利要求1所述的一種CVD真空鍍膜加熱板，其特征在于：
7.根據權利要求3所述的一種CVD真空鍍膜加熱板，其特征在于：
8.根據權利要求1所述的一種CVD真空鍍膜加熱板，其特征在于：
9.根據權利要求3所述的一種CVD真空鍍膜加熱板，其特征在于：
10.根據權利要求1所述的一種CVD真空鍍膜加熱板，其特征在于：
【技術特征摘要】
1.一種cvd真空鍍膜加熱板，包括本體(1)，其特征在于：
2.根據權利要求1所述的一種cvd真空鍍膜加熱板，其特征在于：
3.根據權利要求1所述的一種cvd真空鍍膜加熱板，其特征在于：
4.根據權利要求3所述的一種cvd真空鍍膜加熱板，其特征在于：
5.根據權利要求1所述的一種cvd真空鍍膜加熱板，其特征在于：
<...【專利技術屬性】
技術研發人員：徐宏林，
申請(專利權)人：上海宏端精密機械有限公司，
類型：新型
國別省市：
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