【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種振動部呈凸?fàn)畹乃^臺面型結(jié)構(gòu)的晶體振動片及使用所述晶體振動片的晶體元件。
技術(shù)介紹
1、作為以厚度滑動振動模式振動的晶體振動片的一種，有將晶體振動片的振動部形成為與其他部分相比為凸?fàn)畹慕Y(jié)構(gòu)的晶體振動片。即所謂臺面(mesa)型結(jié)構(gòu)的晶體振動片。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，與并非如此的情況相比，可有效率地將振動能量約束于振動部中，因此可實現(xiàn)晶體振動片的特性提高。
2、例如在專利文獻(xiàn)1中公開了這種晶體振動片的一例。所述晶體振動片在俯視下為四邊形形狀，且包括：振動部；周邊部，厚度較所述振動部薄；以及激振用電極，設(shè)置于振動部的表背。
3、而且，所述晶體振動片中，在將沿著厚度滑動振動的振動方向的尺寸設(shè)為x、將振動部的厚度尺寸設(shè)為t、將振動部的沿著所述振動方向的尺寸設(shè)為mx、將激振用電極的沿著所述振動方向的尺寸設(shè)為ex、將沿著所述振動方向而產(chǎn)生的彎曲振動的波長設(shè)為λ時，所述x、t、mx、ex及λ成為規(guī)定關(guān)系(專利文獻(xiàn)1的技術(shù)方案1等)。
4、據(jù)稱，通過所述晶體振動片，能夠?qū)崿F(xiàn)一種可降低晶體阻抗(crystal?impedance，ci)、且設(shè)計裕度高的晶體振動片(專利文獻(xiàn)1的段落7等)。
5、[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
6、[專利文獻(xiàn)]
7、[專利文獻(xiàn)1]日本專利第5459352號公報
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、[專利技術(shù)所要解決的問題]
2、以厚度滑動模式振動的晶體振動片根據(jù)用途而存在各種頻率、大小的晶體振動片。而且，由于
3、例如，對于作為24mhz附近的頻帶用的at切割晶體振動片的、可收容于就外徑大小而言長邊尺寸為約1.2mm、短邊尺寸為約1.0mm這樣的小型封裝體中的晶體振動片，也要求示出實用的電特性的結(jié)構(gòu)。其原因在于，24mhz附近的頻帶的at切割晶體振動片作為以移動電話為代表的各種通信終端裝置的基準(zhǔn)信號源而言為重要的構(gòu)件。同樣地，對于32mhz附近的頻帶的晶體振動片，也要求可收容于如上所述的小型封裝體中、且示出實用的電特性的結(jié)構(gòu)。
4、本申請是鑒于上述方面而成，因此，本專利技術(shù)的目的在于提供一種晶體振動片及使用其的晶體元件，所述晶體振動片的頻率為24mhz、32mhz的各頻率，且為at切割，所述晶體振動片可收容于就外徑大小而言長邊尺寸為1.2mm、短邊尺寸為1.0mm的封裝體中且特性優(yōu)異，并且具有新穎的結(jié)構(gòu)。
5、[解決問題的技術(shù)手段]
6、為了謀求達(dá)成所述目的，根據(jù)本專利技術(shù)，為一種晶體振動片，振蕩頻率為24mhz，平面形狀為長方形形狀，且為at切割，所述晶體振動片包括：振動部；周邊部，厚度較所述振動部薄；以及階差，在所述晶體振動片的表背分別因所述振動部與所述周邊部的厚度差而產(chǎn)生，所述晶體振動片的特征在于，
7、在將所述晶體振動片的沿著晶體的x軸的尺寸定義為lx、將所述晶體振動片的沿著晶體的z'軸的尺寸定義為lz、將所述振動部的厚度定義為t、將所述階差的高度定義為d時，
8、lx介于849μm～857μm，
9、lz介于625μm～645μm、更優(yōu)選為介于630μm～638μm，且
10、d/t為0.094≦d/t≦0.11的范圍。
11、此外，本專利技術(shù)中提及的所謂24mhz，當(dāng)然包括為24mhz本身的情況，而且也包括其附近的頻率，例如作為各種電子設(shè)備的基準(zhǔn)信號源等而使用的24.305mhz、24.545mhz、24.576mhz等頻率。
12、另外，根據(jù)本申請的另一專利技術(shù)，為一種晶體振動片，振蕩頻率為32mhz，平面形狀為長方形形狀，且為at切割，所述晶體振動片包括：振動部；周邊部，厚度較所述振動部薄；以及階差，在所述晶體振動片的表背分別因所述振動部與所述周邊部的厚度差而產(chǎn)生，所述晶體振動片的特征在于，
13、在將所述晶體振動片的沿著晶體的x軸的尺寸定義為lx、將所述晶體振動片的沿著晶體的z'軸的尺寸定義為lz、將所述振動部的厚度定義為t、將所述階差的高度定義為d時，
14、lx介于636μm～643μm，
15、lz介于472μm～479μm，且
16、d/t為0.094≦d/t≦0.11的范圍。
17、另外，根據(jù)作為本申請另一專利技術(shù)的晶體元件，其特征在于，包括：所述頻率為24mhz的晶體振動片或頻率為32mhz的晶體振動片；以及容器，供安裝所述晶體振動片。
18、此外，本申請的專利技術(shù)中提及的所謂晶體元件，為：包括本專利技術(shù)的晶體振動片的晶體振動子；包含本專利技術(shù)的晶體振動片以及溫度傳感器(例如熱敏電阻器(thermistor))的所謂帶溫度傳感器的晶體振動子；包含本專利技術(shù)的晶體振動片以及所述晶體振動片用的振蕩電路的晶體振蕩器；及包含本專利技術(shù)的晶體振動片、所述晶體振動片用的振蕩電路、用于溫度補償?shù)臏囟葌鞲衅饕约皽囟妊a償電路的溫度補償型的晶體振蕩器等。
19、在實施所述晶體元件的專利技術(shù)時，所述容器優(yōu)選設(shè)為就外徑大小而言長邊尺寸為1.2mm、短邊尺寸為1.0mm的容器。其原因在于，可提供市場上所要求的小型的晶體元件。此外，長邊尺寸為1.2mm、短邊尺寸為1.0mm的各數(shù)值為容器的制造容許誤差的范圍，例如為相對于各尺寸而±0.1mm的范圍。此外，本專利技術(shù)的晶體振動片當(dāng)然也可安裝于就外徑大小而言長邊尺寸大于1.2mm、短邊尺寸大于1.0mm的容器中來使用。
20、[專利技術(shù)的效果]
21、根據(jù)本專利技術(shù)的晶體振動片及晶體元件，在作為24mhz、32mhz的晶體振動片的、可收容于就外徑大小而言長邊尺寸為約1.2mm、短邊尺寸為約1.0mm這樣的小型封裝體中的晶體振動片中，使沿著晶體的x軸的尺寸lx、沿著晶體的z'軸的尺寸lz、振動部的厚度t、階差的高度d成為規(guī)定范圍，因此可將晶體振動片相對于周圍溫度的變動的特性變動、例如晶體阻抗(ci)的變動抑制于所期望的范圍。因此，能夠提供一種可收容于小型封裝體中且特性優(yōu)異、并且具有新穎的結(jié)構(gòu)的晶體振動片及使用所述晶體振動片的晶體元件。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種晶體振動片，振蕩頻率為24MHz，平面形狀為長方形形狀，且為AT切割，所述晶體振動片包括：振動部；周邊部，厚度較所述振動部薄；以及階差，在所述晶體振動片的表背分別因所述振動部與所述周邊部的厚度差而產(chǎn)生，所述晶體振動片的特征在于，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振動片，其特征在于，所述Lz介于630μm～638μm的范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振動片，其特征在于，所述晶體振動片的前端側(cè)短邊和所述晶體振動片的長邊所成的角度θy1、角度θy2為85度～90度的范圍，其中所述前端側(cè)短邊為與利用固定構(gòu)件粘接于容器的一側(cè)相反的短邊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振動片，其特征在于，包括所述晶體振動片的所述尺寸Lz從沿著所述X軸的中途位置朝向所述晶體振動片的固定側(cè)短邊而減少的減幅部，其中所述固定側(cè)短邊為利用固定構(gòu)件連接于容器的短邊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振動片，其特征在于，包括所述晶體振動片的所述尺寸Lz從沿著所述X軸的中途位置朝向所述晶體振動片的固定側(cè)短邊而減少的減幅部，其中所述固定側(cè)短邊為利用固定構(gòu)件連接于容器的短邊，<...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種晶體振動片，振蕩頻率為24mhz，平面形狀為長方形形狀，且為at切割，所述晶體振動片包括：振動部；周邊部，厚度較所述振動部薄；以及階差，在所述晶體振動片的表背分別因所述振動部與所述周邊部的厚度差而產(chǎn)生，所述晶體振動片的特征在于，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振動片，其特征在于，所述lz介于630μm～638μm的范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振動片，其特征在于，所述晶體振動片的前端側(cè)短邊和所述晶體振動片的長邊所成的角度θy1、角度θy2為85度～90度的范圍，其中所述前端側(cè)短邊為與利用固定構(gòu)件粘接于容器的一側(cè)相反的短邊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振動片，其特征在于，包括所述晶體振動片的所述尺寸lz從沿著所述x軸的中途位置朝向所述晶體振動片的固定側(cè)短邊而減少的減幅部，其中所述固定側(cè)短邊為利用固定構(gòu)件連接于容器的短邊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振動片，其特征在于，包括所述晶體振動片的所述尺寸...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：利川興司，山口貴士，
申請(專利權(quán))人：日本電波工業(yè)株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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