【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及中子輻照，尤其涉及一種中子發(fā)生裝置。
技術(shù)介紹
1、相關(guān)技術(shù)中，基于6li(n,α)、3he(n,p)、10b(n,α)、235u(n,f)和h(n,p)等核反應(yīng)探測(cè)原理的中子計(jì)量器具在熱中子能量點(diǎn)具有較大的反應(yīng)截面，計(jì)量器具的精準(zhǔn)標(biāo)定需要利用標(biāo)準(zhǔn)熱中子參考輻射場(chǎng)得到。目前電離輻射一級(jí)站已建立國(guó)防獨(dú)有的0.1mev～20mev(兆電子伏特，1mev＝106ev)單能中子注量參數(shù)量值傳遞技術(shù)體系，并且在研kev(千電子伏特，1kev＝103ev)能區(qū)及70mev～100mev能區(qū)中子注量量值溯源與傳遞技術(shù)，尚缺少熱中子能量點(diǎn)參數(shù)，國(guó)內(nèi)缺少熱中子能量點(diǎn)參考輻射，致使探測(cè)器難以溯源。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請(qǐng)期望提供一種中子發(fā)生裝置，能夠提供熱中子參考輻射場(chǎng)，用于校準(zhǔn)探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)探測(cè)器溯源。
2、本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種中子發(fā)生裝置，包括：
3、石墨堆，形成有放射腔和探測(cè)腔；
4、中子源，設(shè)置于所述放射腔內(nèi)，所述中子源發(fā)射的中子束經(jīng)所述石墨堆慢化后形成熱中子；
5、屏蔽殼，形成有容納空間，所述石墨堆設(shè)置于所述容納空間內(nèi)，所述屏蔽殼設(shè)置有多個(gè)與所述容納空間連通的束流口；
6、多個(gè)活動(dòng)板，多個(gè)所述活動(dòng)板與所述屏蔽殼活動(dòng)連接，以選擇性地打開(kāi)或遮蔽所述束流口，其中，探測(cè)器設(shè)置于所述探測(cè)腔內(nèi)或設(shè)置于從所述束流口射出的熱中子的傳播路徑上。
7、一些實(shí)施例中，所述屏蔽殼包括固定框架和多個(gè)屏蔽板，所述固定框架形成有多
8、一些實(shí)施例中，所述固定框架形成有滑槽，所述活動(dòng)板沿第一方向的相對(duì)兩端容置于所述滑槽內(nèi)，使得所述活動(dòng)板沿第二方向滑移以打開(kāi)或遮蔽所述束流口，其中，第一方向和第二方向相互垂直。
9、一些實(shí)施例中，所述中子發(fā)生裝置包括第一防護(hù)板和第二防護(hù)板，所述第一防護(hù)板設(shè)置于所述活動(dòng)板遠(yuǎn)離所述屏蔽殼的一側(cè)，所述第二防護(hù)板設(shè)置于所述第一防護(hù)板遠(yuǎn)離所述屏蔽殼的一側(cè)。
10、一些實(shí)施例中，所述中子發(fā)生裝置包括坩堝組件，所述中子源放置于所述坩堝組件內(nèi)，所述石墨堆形成有與所述放射腔連通的第一插口，所述屏蔽殼形成有與所述第一插口連通的第一定位口，所述坩堝組件通過(guò)所述第一定位口及所述第一插口進(jìn)入所述放射腔，并遮蔽所述第一插口。
11、一些實(shí)施例中，所述坩堝組件包括：
12、坩堝托，形成有外限位腔和與所述外限位腔連通的第一開(kāi)口；
13、坩堝，通過(guò)所述第一開(kāi)口進(jìn)入所述外限位腔，所述坩堝形成有內(nèi)限位腔和與所述內(nèi)限位腔連通的第二開(kāi)口，所述中子源設(shè)置于所述內(nèi)限位腔內(nèi)；
14、限位件，包括棒體，所述棒體通過(guò)所述第二開(kāi)口進(jìn)入所述內(nèi)限位腔。
15、一些實(shí)施例中，所述限位件包括防護(hù)套，所述防護(hù)套圍裹于所述棒體的外表面。
16、一些實(shí)施例中，所述防護(hù)套形成有沿所述坩堝的軸向延伸的第一走線槽。
17、一些實(shí)施例中，所述屏蔽殼包括固定框架和第一定位板，所述第一定位板可拆卸地連接所述固定框架，以打開(kāi)或遮蔽所述第一定位口。
18、一些實(shí)施例中，所述中子發(fā)生裝置包括容器，所述探測(cè)器放置于所述容器內(nèi)，所述石墨堆形成有與所述探測(cè)腔連通的第二插口，所述屏蔽殼形成有連通所述第二插口的第二定位口，所述容器沿水平方向通過(guò)所述第二定位口及所述第二插口可抽拉地進(jìn)出所述探測(cè)腔。
19、一些實(shí)施例中，所述容器形成有置物腔和與所述置物腔連通的第二走線槽，所述探測(cè)器設(shè)置于所述置物腔內(nèi)。
20、一些實(shí)施例中，所述屏蔽殼包括固定框架和第二定位板，所述第二定位板可拆卸地連接所述固定框架，以打開(kāi)或遮蔽所述第二定位口。
21、一些實(shí)施例中，所述石墨堆呈六面體狀，所述中子源設(shè)置于所述石墨堆的幾何中心。
22、一些實(shí)施例中，所述石墨堆包括多個(gè)石墨塊，所述石墨塊呈六面體狀，多個(gè)所述石墨塊沿左右方向排列組成第一單元，多個(gè)所述第一單元沿前后方向排列構(gòu)成第二單元，多個(gè)所述第二單元沿上下方向疊置構(gòu)成所述石墨堆。
23、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的中子發(fā)生裝置，石墨堆疊形成石墨堆，將中子源放置于石墨堆內(nèi)，石墨對(duì)中子束具有較高的散射截面和較低的吸收截面，且其他射線污染較少，能夠形成相對(duì)于相關(guān)技術(shù)中更穩(wěn)定的熱中子參考輻射場(chǎng)。熱中子參考輻射場(chǎng)在探測(cè)腔內(nèi)形成內(nèi)校準(zhǔn)區(qū)，在通過(guò)束流口的熱中子的傳播路徑上形成外校準(zhǔn)區(qū)，通過(guò)在內(nèi)校準(zhǔn)區(qū)或外校準(zhǔn)區(qū)放置探測(cè)器進(jìn)行測(cè)量，實(shí)現(xiàn)探測(cè)器溯源。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種中子發(fā)生裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述屏蔽殼包括固定框架和多個(gè)屏蔽板，所述固定框架形成有多個(gè)安裝窗，所述屏蔽板連接所述固定框架并遮蔽所述安裝窗，以共同限定出所述容納空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述固定框架形成有滑槽，所述活動(dòng)板沿第一方向的相對(duì)兩端容置于所述滑槽內(nèi)，使得所述活動(dòng)板沿第二方向滑移以打開(kāi)或遮蔽所述束流口，其中，第一方向和第二方向相互垂直。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述中子發(fā)生裝置包括第一防護(hù)板和第二防護(hù)板，所述第一防護(hù)板設(shè)置于所述活動(dòng)板遠(yuǎn)離所述屏蔽殼的一側(cè)，所述第二防護(hù)板設(shè)置于所述第一防護(hù)板遠(yuǎn)離所述屏蔽殼的一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述中子發(fā)生裝置包括坩堝組件，所述中子源放置于所述坩堝組件內(nèi)，所述石墨堆形成有與所述放射腔連通的第一插口，所述屏蔽殼形成有與所述第一插口連通的第一定位口，所述坩堝組件通過(guò)所述第一定位口及所述第一插口進(jìn)入所述放射腔，并遮蔽所述第一插口。
6.
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述限位件包括防護(hù)套，所述防護(hù)套圍裹于所述棒體的外表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述防護(hù)套形成有沿所述坩堝的軸向延伸的第一走線槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述屏蔽殼包括固定框架和第一定位板，所述第一定位板可拆卸地連接所述固定框架，以打開(kāi)或遮蔽所述第一定位口。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述中子發(fā)生裝置包括容器，所述探測(cè)器放置于所述容器內(nèi)，所述石墨堆形成有與所述探測(cè)腔連通的第二插口，所述屏蔽殼形成有連通所述第二插口的第二定位口，所述容器沿水平方向通過(guò)所述第二定位口及所述第二插口可抽拉地進(jìn)出所述探測(cè)腔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述容器形成有置物腔和與所述置物腔連通的第二走線槽，所述探測(cè)器設(shè)置于所述置物腔內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述屏蔽殼包括固定框架和第二定位板，所述第二定位板可拆卸地連接所述固定框架，以打開(kāi)或遮蔽所述第二定位口。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述石墨堆呈六面體狀，所述中子源設(shè)置于所述石墨堆的幾何中心。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述石墨堆包括多個(gè)石墨塊，所述石墨塊呈六面體狀，多個(gè)所述石墨塊沿左右方向排列組成第一單元，多個(gè)所述第一單元沿前后方向排列構(gòu)成第二單元，多個(gè)所述第二單元沿上下方向疊置構(gòu)成所述石墨堆。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種中子發(fā)生裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述屏蔽殼包括固定框架和多個(gè)屏蔽板，所述固定框架形成有多個(gè)安裝窗，所述屏蔽板連接所述固定框架并遮蔽所述安裝窗，以共同限定出所述容納空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述固定框架形成有滑槽，所述活動(dòng)板沿第一方向的相對(duì)兩端容置于所述滑槽內(nèi)，使得所述活動(dòng)板沿第二方向滑移以打開(kāi)或遮蔽所述束流口，其中，第一方向和第二方向相互垂直。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述中子發(fā)生裝置包括第一防護(hù)板和第二防護(hù)板，所述第一防護(hù)板設(shè)置于所述活動(dòng)板遠(yuǎn)離所述屏蔽殼的一側(cè)，所述第二防護(hù)板設(shè)置于所述第一防護(hù)板遠(yuǎn)離所述屏蔽殼的一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述中子發(fā)生裝置包括坩堝組件，所述中子源放置于所述坩堝組件內(nèi)，所述石墨堆形成有與所述放射腔連通的第一插口，所述屏蔽殼形成有與所述第一插口連通的第一定位口，所述坩堝組件通過(guò)所述第一定位口及所述第一插口進(jìn)入所述放射腔，并遮蔽所述第一插口。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述坩堝組件包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的中子發(fā)生裝置，其特征在于，所述限位件包括防護(hù)套，所述防護(hù)套圍裹于所述棒體的外表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的中子...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：段君儀，劉毅娜，駱海龍，王志強(qiáng)，李春娟，秦海亮，李瑋，李立華，莫玉俊，張書(shū)峰，何逾洋，徐新宇，陳軍，焦聽(tīng)雨，秦茜，石斌，韓佳佳，韓影，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中國(guó)原子能科學(xué)研究院，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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