【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種存儲器，尤其是涉及一種包含非揮發性單元及電流驅動電路的存儲器。
技術介紹
1、隨著儲存技術的進步，對于存儲器的需求的標準也越來越高。使用者常期待存儲器可支持高速操作，支持非揮發性的存儲，及具有較小尺寸。為了上述需求，目前已有磁阻式隨機存取存儲器(magnetoresistive?random?access?memory，又稱mram)等技術方案，可支持高速且非揮發性的存取。
2、然而，實務上已觀察到，目前的存儲器設計有工程上的難題。舉例來說，當電路面積縮減，將發生驅動電流不足的問題，而導致存儲器單元無法被正確地存取。若為了提高驅動能力，而增加驅動電路的晶體管數量，又將導致電路難以縮減。
3、因此，本領域仍需可提供足夠驅動能力且不大幅增加電路尺寸的解決方案，以改善存儲器的規格與性能。
技術實現思路
1、實施例提供一種存儲器，包含(n-1)個第一非揮發性單元，(n-1)條位線及一第一電流驅動電路。該(n-1個)第一非揮發性單元的每一第一非揮發性單元包含一第一端及一第二端。該(n-1)條位線之一第i位線耦接于該(n-1)個第一非揮發性單元之一第i第一非揮發性單元的一第一端。該第一電流驅動電路，包含n個第一晶體管，耦接于該(n-1)個第一非揮發性單元。其中n及i為正整數，n>2，且i<n。
2、另一實施例提供一種存儲器，包含一第一非揮發性單元，一第二非揮發性單元，一第一位線，一第二位線，一第一晶體管，一第二晶體管及一第三晶體
3、另一實施例提供一種存儲器，包含一氧化擴散層，一多晶硅層，一第一金屬層，一第一非揮發性單元，一第二非揮發性單元及一第二金屬層。該多晶硅層形成于該氧化擴散層上方。該第一金屬層形成于該氧化擴散層上方。該第一非揮發性單元設置于該氧化擴散層上方，位于一第一參考線上。該第二非揮發性單元設置于該氧化擴散層上方，位于一第二參考線上，其中該第二參考線平行于該第一參考線。該第二金屬層，形成于該第一非揮發性單元及該第二非揮發性單元上方。
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1.一種存儲器，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的存儲器，其中該(n-1)個第一非揮發性單元是(n-1)個磁隧道結單元，(n-1)個電阻隨機存取存儲器單元，或(n-1)個相變單元。
3.如權利要求1所述的存儲器，其中：
4.如權利要求1所述的存儲器，其中一預定電壓是施加于該第i位線，及該第一電流驅動電路是被操作以使一預定電流流經該第i第一非揮發性單元，以存取該第i第一非揮發性單元。
5.如權利要求4所述的存儲器，其中當該第i第一非揮發性單元被寫入，該預定電流具有一較高值，且當該第i第一非揮發性單元被讀取，該預定電流具有一較低值。
6.如權利要求1所述的存儲器，其中當該(n-1)個第一非揮發性單元之一被存取，該n個第二晶體管被失能。
【技術特征摘要】
1.一種存儲器，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的存儲器，其中該(n-1)個第一非揮發性單元是(n-1)個磁隧道結單元，(n-1)個電阻隨機存取存儲器單元，或(n-1)個相變單元。
3.如權利要求1所述的存儲器，其中：
4.如權利要求1所述的存儲器，其中一預定電壓是施加于該第i位線，及該第一電流驅動電路是被操...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曾俊硯，郭有策，陳昌宏，王淑如，邱雅蘭，黃俊憲，蔡志維，余欣熾，吳奕廷，黃正同，王荏滺，吳禎祥，楊伯鈞，謝詠凈，陳健中，李柏昌，
申請(專利權)人：聯華電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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