【技術實現步驟摘要】
本公開實施例涉及半導體，尤其涉及一種存儲器的測試方法及設備。
技術介紹
1、存儲器是一種可提供數據訪問功能的數據存儲設備，存儲器通常以二進制形式存儲數據。存儲器中可以包括大量的存儲單元，每個存儲單元可以存儲一位二進制數據0或1。例如，dram(dynamic?random?access?memory，動態隨機存儲器)是一種常用的存儲器，dram的存儲單元包括存儲電容和晶體管，晶體管用于控制向存儲電容中寫入數據，或控制從存儲電容中讀取數據。
2、現有技術中，為了檢測存儲器中是否存在故障單元，可以對存儲器進行測試，對存儲器的測試過程包括所有存儲單元的測試過程。在每個存儲單元的測試過程中，先對每個存儲單元寫入數據，并在等待預設的保留時長之后對該存儲單元讀取數據。其中，該保留時長受pvt(process、voltage、temperature，工藝、電壓、溫度)等參數影響而變化，稱為可變保留時長(variable?retention?time，vrt)。在存儲單元對應的讀取數據和寫入數據不一致時，可以確定該存儲單元的掉電導致該存儲單元存在故障。在存儲單元對應的讀取的數據和寫入的數據一致時，此時可以確定該存儲單元不存在故障。
3、然而，現有保留時長的測試方案存在測試時間浪費的問題。
技術實現思路
1、本公開實施例提供一種存儲器的測試方法及設備，以充分利用測試時間。
2、第一方面，本公開實施例提供一種存儲器的測試方法，所述方法包括：
3、對所述存
4、在等待目標時長之后，對所述多個存儲芯片依次讀取數據，所述目標時長是根據預設的保留時長和所述多個存儲芯片的總寫入時長之間的差值確定的，所述保留時長是測試每個存儲單元的數據保留故障時，寫入數據和讀取數據之間的等待時長；
5、對于所述存儲芯片中的存儲單元，根據寫入所述存儲單元的數據和從所述存儲單元讀取的數據，確定所述存儲單元是否存在故障。
6、在一些實施方式中，所述對所述存儲器中的多個存儲芯片依次寫入數據，包括：
7、根據預設的保留時長和單個存儲芯片的寫入時長，確定所述保留時長內可寫入的最大芯片數量；
8、對所述存儲器中所述最大芯片數量的存儲芯片依次寫入數據。
9、在一些實施方式中，所述根據預設的保留時長和單個存儲芯片的寫入時長，確定所述保留時長內可寫入的最大芯片數量，包括：
10、將所述保留時長和所述單個存儲芯片的寫入時長之間的比值的整數部分作為所述最大芯片數量。
11、在一些實施方式中，所述方法還包括：
12、將所述保留時長除以所述單個存儲芯片的寫入時長得到的余數作為所述目標時長。
13、在一些實施方式中，所述對所述存儲器中的多個存儲芯片依次寫入數據，包括：
14、在對每個所述存儲芯片寫入數據之后，統計已寫入數據的一個或多個存儲芯片的總寫入時長；
15、若所述總寫入時長和單個存儲芯片的寫入時長之和小于或等于所述保留時長，則繼續對下一個所述存儲芯片寫入數據；
16、若所述總寫入時長和單個存儲芯片的寫入時長之和大于所述保留時長，則停止對下一個所述存儲芯片寫入數據。
17、在一些實施方式中，每個所述存儲芯片的寫入數據過程包括：
18、按照所述存儲芯片中各行的地址順序，依次對所述行寫入數據。
19、在一些實施方式中，所述對所述行寫入數據，包括：
20、激活所述行的字線；
21、對所述行中的各個存儲單元依次寫入數據；
22、對所述行的位線進行預充電。
23、在一些實施方式中，每個所述存儲芯片的讀取數據過程包括：
24、按照所述存儲芯片中各行的地址順序，依次對所述行讀取數據，所述存儲器中的各存儲單元的讀取順序和所述存儲器中的各存儲單元的寫入順序一致。
25、在一些實施方式中，所述對所述行讀取數據，包括：
26、激活所述行的字線；
27、對所述行中的各個存儲單元依次讀取數據；
28、對所述行的位線進行預充電。
29、在一些實施方式中，所述對所述多個存儲芯片依次讀取數據之后，還包括：
30、對多個所述存儲芯片依次進行反操作，每個所述存儲芯片的反操作包括：對所述存儲芯片中的每個存儲單元依次進行再次寫入和再次讀取，對于同一個存儲單元，再次寫入的數據和上次寫入的數據不同；
31、對于每個所述存儲單元，根據再次寫入所述存儲單元的數據和再次從所述存儲單元讀取的數據，確定所述存儲單元是否存在故障。
32、在一些實施方式中，所述存儲器為高帶寬存儲器。
33、在一些實施方式中，所述多個存儲芯片包括堆疊的第一存儲芯片和第二存儲芯片，所述第一存儲芯片和所述第二存儲芯片是交替寫入的，并且，所述第一存儲芯片和所述第二存儲芯片是交替讀取的。
34、在一些實施方式中，所述第一存儲芯片為多個，多個所述第一存儲芯片是并行寫入的，并且多個所述第一存儲芯片是并行讀取的；
35、所述第二存儲芯片為多個，多個所述第二存儲芯片是并行寫入的，并且多個所述第二存儲芯片是并行讀取的。
36、第二方面，本公開實施例提供一種存儲器的測試裝置，包括：
37、寫入數據模塊，用于對所述存儲器中的多個存儲芯片依次寫入數據；
38、讀取數據模塊，用于在等待目標時長之后，對所述多個存儲芯片依次讀取數據，所述目標時長是根據預設的保留時長和所述多個存儲芯片的總寫入時長之間的差值確定的，所述保留時長是測試每個存儲單元的數據保留故障時，寫入數據和讀取數據之間的等待時長；
39、第一故障確定模塊，用于對于所述存儲芯片中的存儲單元，根據寫入所述存儲單元的數據和從所述存儲單元讀取的數據，確定所述存儲單元是否存在故障。
40、在一些實施方式中，所述寫入數據模塊還用于：
41、根據預設的保留時長和單個存儲芯片的寫入時長，確定所述保留時長內可寫入的最大芯片數量；
42、對所述存儲器中所述最大芯片數量的存儲芯片依次寫入數據。
43、在一些實施方式中，所述寫入數據模塊還用于：
44、將所述保留時長和所述單個存儲芯片的寫入時長之間的比值的整數部分作為所述最大芯片數量。
45、在一些實施方式中，所述裝置還包括：
46、目標時長確定模塊，用于將所述保留時長除以所述單個存儲芯片的寫入時長得到的余數作為所述目標時長。
47、在一些實施方式中，所述寫入數據模塊還用于：
48、在對每個所述存儲芯片寫入數據之后，統計已寫入數據的一個或多個存儲芯片的總寫入時長；
49、若所述總寫入時長和單個存儲芯片的寫入時長之和小于或等于所述保留時長，則繼續對下一個所述存儲芯片寫入數據；<本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種存儲器的測試方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述存儲器中的多個存儲芯片依次寫入數據，包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據預設的保留時長和單個存儲芯片的寫入時長，確定所述保留時長內可寫入的最大芯片數量，包括：
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述存儲器中的多個存儲芯片依次寫入數據，包括：
6.根據權利要求1至5任一項所述的方法，其特征在于，每個所述存儲芯片的寫入數據過程包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述對所述行寫入數據，包括：
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，每個所述存儲芯片的讀取數據過程包括：
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述對所述行讀取數據，包括：
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述對所述多個存儲芯片依次讀取數據之后，還包括：
11.根據權利要求1至
12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述多個存儲芯片包括堆疊的第一存儲芯片和第二存儲芯片，所述第一存儲芯片和所述第二存儲芯片是交替寫入的，并且，所述第一存儲芯片和所述第二存儲芯片是交替讀取的。
13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一存儲芯片為多個，多個所述第一存儲芯片是并行寫入的，并且多個所述第一存儲芯片是并行讀取的；
14.一種存儲器的測試裝置，其特征在于，包括：
15.一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至13中任一項所述的存儲器的測試方法。
16.一種電子設備，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種存儲器的測試方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述存儲器中的多個存儲芯片依次寫入數據，包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據預設的保留時長和單個存儲芯片的寫入時長，確定所述保留時長內可寫入的最大芯片數量，包括：
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述存儲器中的多個存儲芯片依次寫入數據，包括：
6.根據權利要求1至5任一項所述的方法，其特征在于，每個所述存儲芯片的寫入數據過程包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述對所述行寫入數據，包括：
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，每個所述存儲芯片的讀取數據過程包括：
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述對所述行讀取數據，包括：
【專利技術屬性】
技術研發人員：莊勇，
申請(專利權)人：長鑫存儲技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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