【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造領域，特別是涉及一種隔離變壓器，還涉及一種半導體器件。
技術介紹
1、在半導體集成工藝中，一種示例性的隔離變壓器在其上下線圈之間采用二氧化硅作為隔離介質。通過增加二氧化硅的厚度，可以提升上下線圈的耐壓。但由于上線圈在金屬刻蝕時，在被刻蝕的材質表面會造成較多的缺陷(defect)，導致上線圈位置處的高電場的區域容易優先發生介質擊穿，從而影響整個變壓器的耐壓。
2、在電容隔離的方案中，可以通過在主介質層和上線圈之間加一層氮化硅作為緩沖層，以此來提高隔離變壓器的耐壓。但是由于氮化硅的能量間隙較小，對于集成了高壓器件區和低壓器件區的器件，容易導致高低壓器件表面有電荷移動，久而久之會導致低壓器件壽命偏低，影響器件整體的可靠性。
技術實現思路
1、基于此，有必要提供一種既具有較高的耐壓、又能夠優化低壓器件壽命的隔離變壓器。
2、一種隔離變壓器，包括：下線圈；主介質層，覆蓋所述下線圈；氮氧化硅層，位于所述主介質層上；上線圈，位于所述氮氧化硅層上。
3、上述隔離變壓器，在主介質層和上線圈之間設置氮氧化硅層，在確保隔離變壓器耐壓的同時，能夠減小高壓區域對低壓區域的影響，提升器件總體的壽命。
4、在其中一個實施例中，所述氮氧化硅層中硅元素與氮元素的摩爾比值在0.5到1.5之間。
5、在其中一個實施例中，通過將沉積工藝的反應氣體中sih4和n2o的流量比控制在1:3～2:1之間，和/或將沉積工藝的功率控制在100w～20
6、在其中一個實施例中，所述氮氧化硅層的厚度大于300nm。
7、在其中一個實施例中，所述氮氧化硅層的厚度小于所述主介質層的厚度。
8、在其中一個實施例中，所述主介質層包括硅氧化物層。
9、在其中一個實施例中，所述主介質層的厚度大于4微米。
10、在其中一個實施例中，所述隔離變壓器還包括鈍化層，所述鈍化層覆蓋至少部分所述上線圈。
11、在其中一個實施例中，所述上線圈和下線圈為金屬線圈或合金線圈。
12、在其中一個實施例中，所述上線圈和下線圈的材料均包括銅和鋁。
13、在其中一個實施例中，所述氮氧化硅層包括線圈區域，所述上線圈在所述氮氧化硅層的上表面的正投影位于所述線圈區域內；所述隔離變壓器還包括隔離區域，所述隔離區域的材質包括硅氧化物，所述隔離區域包圍所述線圈區域。
14、在其中一個實施例中，所述隔離區域為包圍所述線圈區域的圈狀，所述氮氧化硅層除了位于隔離區域內側的所述線圈區域，還包括位于隔離區域外側的外側區域。
15、在其中一個實施例中，所述隔離區域與鈍化層的材質相同。
16、在其中一個實施例中，所述隔離區域與所述上線圈的間距大于0.5倍的所述主介質層的厚度。
17、還有必要提供一種半導體器件。
18、一種半導體器件，包括變壓器區和低壓區域，所述低壓區域包括低壓器件，所述變壓器區包括前述任一實施例所述的隔離變壓器。
19、上述半導體器件，在主介質層和上線圈之間設置氮氧化硅層，在確保隔離變壓器耐壓的同時，能夠減小變壓器區對低壓區域的影響，提升半導體器件總體的壽命。
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1.一種隔離變壓器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的隔離變壓器，其特征在于，所述氮氧化硅層中硅元素與氮元素的摩爾比值在0.5到1.5之間。
3.根據權利要求2所述的隔離變壓器，其特征在于，通過將沉積工藝的反應氣體中SiH4和N2O的流量比控制在1:3～2:1之間，和/或將沉積工藝的功率控制在100W～200W，來控制調節所述氮氧化硅層中硅元素與氮元素的摩爾比值在0.5到1.5之間。
4.根據權利要求3所述的隔離變壓器，其特征在于，所述主介質層包括硅氧化物層。
5.根據權利要求1或4所述的隔離變壓器，其特征在于，所述主介質層的厚度大于4微米。
6.根據權利要求1所述的隔離變壓器，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層覆蓋至少部分所述上線圈。
7.根據權利要求1所述的隔離變壓器，其特征在于，所述氮氧化硅層包括線圈區域，所述上線圈在所述氮氧化硅層的上表面的正投影位于所述線圈區域內；
8.根據權利要求7所述的隔離變壓器，其特征在于，所述隔離區域為包圍所述線圈區域的圈狀；所述氮氧化硅層除了位于隔離
9.根據權利要求7或8所述的隔離變壓器，其特征在于，所述隔離區域與所述上線圈的間距大于0.5倍的所述主介質層的厚度。
10.一種半導體器件，包括變壓器區和低壓區域，所述低壓區域包括低壓器件，其特征在于，所述變壓器區包括如權利要求1-9中任一項所述的隔離變壓器。
...【技術特征摘要】
1.一種隔離變壓器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的隔離變壓器，其特征在于，所述氮氧化硅層中硅元素與氮元素的摩爾比值在0.5到1.5之間。
3.根據權利要求2所述的隔離變壓器，其特征在于，通過將沉積工藝的反應氣體中sih4和n2o的流量比控制在1:3～2:1之間，和/或將沉積工藝的功率控制在100w～200w，來控制調節所述氮氧化硅層中硅元素與氮元素的摩爾比值在0.5到1.5之間。
4.根據權利要求3所述的隔離變壓器，其特征在于，所述主介質層包括硅氧化物層。
5.根據權利要求1或4所述的隔離變壓器，其特征在于，所述主介質層的厚度大于4微米。
6.根據權利要求1所述的隔離變壓器，其特征在于，還...
【專利技術屬性】
技術研發人員：何乃龍，趙景川，張森，繆海生，張龍，劉斯揚，孫偉鋒，
申請(專利權)人：無錫華潤上華科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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