【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種制作半導體元件的方法，尤其是涉及一種制作蕭特基二極管的方法。
技術介紹
1、半導體裝置被用于各種電子應用中，例如個人電腦、手機、數字相機以及其他電子設備。一般通過在半導體基板上依序沉積絕緣或介電層、導電層以及半導體層材料以制造半導體裝置，并使用光刻對各種材料層進行圖案化，以在其上形成電路組件及元件。
2、半導體產業通過持續減小最小部件尺寸以持續提高各種電子組件(例如晶體管、二極管、電阻、電容等)的整合密度，其允許將更多組件整合至給定區域中。然而，隨著最小部件尺寸的減小，出現了應解決的額外問題。
技術實現思路
1、本專利技術一實施例揭露一種制作半導體元件的方法。首先形成一淺溝隔離于基底內，然后形成一第一柵極結構于該基底上并設于該淺溝隔離旁，形成一第一摻雜區于該第一柵極結構以及該淺溝隔離之間，形成一第二摻雜區于該第一摻雜區以及該第一柵極結構之間，形成一第一接觸插塞于該第一摻雜區上，再形成一第二接觸插塞于該第二摻雜區上。
2、本專利技術一實施例揭露一種半導體元件，其主要包含一淺溝隔離設于基底內，一第一柵極結構設于基底上以及淺溝隔離旁，第一摻雜區設于該第一柵極結構以及該淺溝隔離之間，第二摻雜區設于該第一摻雜區以及該第一柵極結構之間，第一接觸插塞設于該第一摻雜區上以及第二接觸插塞設于該第二摻雜區上。
【技術保護點】
1.一種制作半導體元件的方法，包含：
2.如權利要求1所述的方法，還包含：
3.如權利要求2所述的方法，還包含在去除該第二間隙壁之前形成硅化金屬層于該第二摻雜區上。
4.如權利要求2所述的方法，還包含形成該第一接觸插塞于該第二柵極結構以及該第一摻雜區上。
5.如權利要求1所述的方法，其中該第一接觸插塞包含L形。
6.如權利要求2所述的方法，還包含：
7.如權利要求1所述的方法，其中該第一摻雜區以及該第二摻雜區包含相同導電型式。
8.如權利要求1所述的方法，其中該第一摻雜區濃度小于該第二摻雜區濃度。
9.如權利要求1所述的方法，其中該第二摻雜區底表面低于該第一摻雜區底表面。
10.一種半導體元件，包含：
11.如權利要求10所述的半導體元件，還包含：
12.如權利要求11所述的半導體元件，其中該第一接觸插塞設于該第二柵極結構以及該第一摻雜區上。
13.如權利要求11所述的半導體元件，其中該第二柵極結構包含第二金屬柵極。
14.如
15.如權利要求10所述的半導體元件，其中該第一接觸插塞包含L形。
16.如權利要求10所述的半導體元件，還包含硅化金屬層設于該第二摻雜區上。
17.如權利要求10所述的半導體元件，其中該第一摻雜區以及該第二摻雜區包含相同導電型式。
18.如權利要求10所述的半導體元件，其中該第一摻雜區濃度小于該第二摻雜區濃度。
19.如權利要求10所述的半導體元件，其中該第二摻雜區底表面低于該第一摻雜區底表面。
...【技術特征摘要】
1.一種制作半導體元件的方法，包含：
2.如權利要求1所述的方法，還包含：
3.如權利要求2所述的方法，還包含在去除該第二間隙壁之前形成硅化金屬層于該第二摻雜區上。
4.如權利要求2所述的方法，還包含形成該第一接觸插塞于該第二柵極結構以及該第一摻雜區上。
5.如權利要求1所述的方法，其中該第一接觸插塞包含l形。
6.如權利要求2所述的方法，還包含：
7.如權利要求1所述的方法，其中該第一摻雜區以及該第二摻雜區包含相同導電型式。
8.如權利要求1所述的方法，其中該第一摻雜區濃度小于該第二摻雜區濃度。
9.如權利要求1所述的方法，其中該第二摻雜區底表面低于該第一摻雜區底表面。
10.一種半導體元件，包含：
11.如權利要求10所述的半導體...
【專利技術屬性】
技術研發人員：林文凱，白啟宏，薛勝元，李國興，康智凱，
申請(專利權)人：聯華電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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