【技術實現步驟摘要】
本技術涉及太陽能電池，具體地說，涉及一種n型topcon電池。
技術介紹
1、n型topcon電池(tunnel?oxide?passivated?contact?solar?cell，隧穿氧化層鈍化接觸電池)的基本構想是在保留原有n型pert電池(passivated?emitter，rear?totally-diffused?cell)的正面鈍化膜下，搭配銀柵極的鈍化和接觸結構，在電池片背表面引入隧穿氧化層和摻雜多晶硅鈍化接觸結構，并且由于該鈍化接觸結構可耐受高溫工藝，可兼容現有p型perc電池的工業化量產設備和制程經驗，具有較大的發展前景。
2、太陽能電池的柵線電極與銀漿的絲網印刷性能(粘度、流變性)、導電膜層與pn結的接觸電阻及附著力、導電膜層的抗彎抗壓折性、導電膜層的阻值以及抗老化性能等是影響太陽能電池光電轉換效率及壽命的重要因素。
3、目前柵線電極存在以下幾個問題：接觸電阻大；與電池片表面附著力不夠；導電性需進一步提升；柵線粗且高寬比不夠理想；性能不穩定、易氧化等。具有較小接觸電阻、更好的附著力、更優的導電性能，同時保證較大的高寬比，并且使用壽命長性能穩定的電極對提高電池性能至關重要。
4、需要說明的是，在上述
技術介紹
部分公開的信息僅用于加強對本技術的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域技術人員已知的現有技術的信息。
技術實現思路
1、針對現有技術中的問題，本技術的目的在于提供n型topcon電池，該電池的包括銅電極層和銀鋁電極層的
2、本技術提供了一種n型topcon電池，包括：
3、n型硅基底、所述n型硅基底的兩側表面的n面和p面；
4、所述n面和所述p面分別獨立地設置有線槽，且所述線槽內設置有柵線；
5、所述n面的柵線包括銀電極層，且所述銀電極層與所述n面的線槽的槽底相接觸；
6、所述p面的柵線包括層疊設置的銅電極層和銀鋁電極層，且所述銅電極層與所述p面的線槽的槽底相接觸。
7、根據本技術的一些示例，所述銅電極層采用磁控濺射方法制備。
8、根據本技術的一些示例，所述銅電極層的厚度為10nm～20nm。
9、根據本技術的一些示例，所述n面包括依次層疊于n型硅基底的一表面的第一隧穿氧化層、第一摻雜半導體層和第一鈍化層；
10、所述p面包括依次層疊于n型硅基底的另一表面的第二隧穿氧化層、第二摻雜半導體層和第二鈍化層；且
11、所述第一摻雜半導體層與所述第二摻雜半導體層的極性不同。
12、根據本技術的一些示例，所述p面還包括透明導電氧化物層；
13、所述透明導電氧化物層位于所述第二摻雜半導體層與所述銅電極層之間。
14、根據本技術的一些示例，所述第一隧穿氧化層為三氧化二鋁薄膜層、氧化鉭薄膜層、氧化鋯薄膜層、二氧化鈦薄膜層中的任一種薄膜層；和/或
15、所述第二隧穿氧化層為三氧化二鋁薄膜層、氧化鉭薄膜層、氧化鋯薄膜層、二氧化鈦薄膜層中的任一種薄膜層。
16、根據本技術的一些示例，所述第二摻雜半導體層包括第二輕摻雜半導體區域和第二重摻雜半導體區域，所述銅電極層層疊于第二重摻雜半導體區域。
17、根據本技術的一些示例，所述銀電極層和/或所述銀鋁電極層通過金屬漿料的絲網印刷方法獲得。
18、根據本技術的一些示例，所述銀電極層的厚度和/或所述銀鋁電極層的厚度大于或等于10nm。
19、根據本技術的一些示例，所述n型硅基底為n型晶體硅片。
20、本技術的n型topcon電池的正面電極包括銅電極層和銀鋁電極層，銀鋁電極層抑制了cu的氧化，而銅電極層抑制了ag的過度界面反應，銅電極層的使用降低銀鋁漿用料的同時提高電極的抗老化性能，同時，該銅電極層與摻雜半導體層形成更優的歐姆接觸，電極具有較小接觸電阻，且附著力更好，導電性更優的同時保證較大高寬比柵線，相應地，n型topcon電池具有更優異的性能。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種n型TOPCon電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的n型TOPCon電池，其特征在于，所述銅電極層采用磁控濺射方法制備。
3.根據權利要求1所述的n型TOPCon電池，其特征在于，所述銅電極層的厚度為10nm～20nm。
4.根據權利要求1所述的n型TOPCon電池，其特征在于，所述N面包括依次層疊于n型硅基底的一表面的第一隧穿氧化層、第一摻雜半導體層和第一鈍化層；
5.根據權利要求4所述的n型TOPCon電池，其特征在于，所述P面還包括透明導電氧化物層；
6.根據權利要求4所述的n型TOPCon電池，其特征在于，所述第一隧穿氧化層為三氧化二鋁薄膜層、氧化鉭薄膜層、氧化鋯薄膜層、二氧化鈦薄膜層中的任一種薄膜層；和/或
7.根據權利要求4所述的n型TOPCon電池，其特征在于，所述第二摻雜半導體層包括第二輕摻雜半導體區域和第二重摻雜半導體區域，所述銅電極層層疊于第二重摻雜半導體區域。
8.根據權利要求1所述的n型TOPCon電池，其特征在于，所述銀電極層和/或所述銀鋁電極層通過
9.根據權利要求1所述的n型TOPCon電池，其特征在于，所述銀電極層的厚度和/或所述銀鋁電極層的厚度大于或等于10nm。
10.根據權利要求1所述的n型TOPCon電池，其特征在于，所述n型硅基底為n型晶體硅片。
...【技術特征摘要】
1.一種n型topcon電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的n型topcon電池，其特征在于，所述銅電極層采用磁控濺射方法制備。
3.根據權利要求1所述的n型topcon電池，其特征在于，所述銅電極層的厚度為10nm～20nm。
4.根據權利要求1所述的n型topcon電池，其特征在于，所述n面包括依次層疊于n型硅基底的一表面的第一隧穿氧化層、第一摻雜半導體層和第一鈍化層；
5.根據權利要求4所述的n型topcon電池，其特征在于，所述p面還包括透明導電氧化物層；
6.根據權利要求4所述的n型topcon電池，其特征在于，所述第一隧穿氧化層為三氧化二鋁...
【專利技術屬性】
技術研發人員：夏斯陽，陳紅，簡磊，李松江，潘聞景，辛體偉，郭超，
申請(專利權)人：鹽城天合國能光伏科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。