【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及電子電路，尤其涉及一種電子隔離開關(guān)電路和控制模塊。
技術(shù)介紹
1、在控制系統(tǒng)領(lǐng)域中，對于保證控制信號的穩(wěn)定性，通常采用繼電器形成的電子隔離開關(guān)進(jìn)行電氣隔離；但是繼電器內(nèi)部含有機(jī)械開關(guān)，每次吸合斷開都會造成彈片的機(jī)械損傷以及抖動帶來的信號干擾，影響了電子隔離開關(guān)的使用壽命和隔離精度；另外由繼電器形成的電子開關(guān)體積較大，應(yīng)用范圍窄。
2、可見，現(xiàn)有技術(shù)中的電子隔離開關(guān)存在使用壽命短、隔離精度低和體積大的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對現(xiàn)有技術(shù)中所存在的不足，本技術(shù)的提供的電子隔離開關(guān)電路和控制模塊，其解決了現(xiàn)有技術(shù)中的電子隔離開關(guān)存在使用壽命短、隔離精度低和體積大的問題。
2、第一方面，本技術(shù)提供一種電子隔離開關(guān)電路，所述隔離開關(guān)包括：光耦、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一mos管、第四電阻、第五電阻和第二mos管；所述光耦的原邊陽極通過所述第一電阻與信號輸入端相連，所述光耦的原邊陰極與信號地相連，所述光耦的副邊集電極通過所述第二電阻與所述第一mos管的柵極相連，所述第一mos管的源極與電源端相連，所述第一mos管的柵極還通過所述第三電阻與所述電源端相連；所述光耦的副邊發(fā)射極通過所述第四電阻與所述第二mos管的柵極相連，所述第二mos管的源極與電源地相連，所述第二mos管的柵極還通過所述第五電阻與電源地相連；其中，所述第一mos管的漏極為所述電子隔離開關(guān)電路的第一輸出端，所述第二mos管的漏極為所述電子隔離開關(guān)電路的第二輸出端。
3、可選地
4、可選地，所述隔離開關(guān)還包括：第六電阻，所述第六電阻的第一端與所述第一mos管的漏極相連，所述第六電阻的第二端與所述第二mos管的漏極相連。
5、可選地，所述隔離開關(guān)還包括：濾波電容，所述濾波電容的第一端與所述第一mos管的漏極相連，所述濾波電容的第二端與所述第二mos管的漏極相連。
6、可選地，所述隔離開關(guān)還包括：第七電阻和第八電阻；所述第七電阻的第一端與所述第一mos管的柵極相連，所述第七電阻的第二端與所述第二電阻的第一端相連；其中，所述第二電阻的第二端與所述光耦的副邊集電極相連；所述第八電阻的第一端與所述第二mos管的柵極相連，所述第八電阻的第二端與所述第四電阻的第一端相連；其中，所述第四電阻的第二端與所述光耦的副邊發(fā)射極相連。
7、可選地，所述開關(guān)電路還包括：第一穩(wěn)壓二極管和第二穩(wěn)壓二極管；所述第一穩(wěn)壓二極管的陽極與所述第七電阻的第二端相連，所述第一穩(wěn)壓二極管的陰極與所述第一mos管的源極相連；所述第二穩(wěn)壓二極管的陽極與電源地相連，所述第二穩(wěn)壓二極管的陰極與所述第八電阻的第二端相連。
8、可選地，第一mos管和第三mos管為p型mos管，第二mos管和第四mos管為n型mos管。
9、第二方面，本技術(shù)提供一種控制模塊，所述控制模塊包括多路電子隔離開關(guān)電路。
10、可選地，所述控制模塊包括六路電子隔離開關(guān)電路，第一路電子隔離開關(guān)電路的光耦、第二路電子隔離開關(guān)的光耦和第三路電子隔離開關(guān)的光耦集成為第一光耦芯片，第四路電子隔離開關(guān)電路的光耦、第五路電子隔離開關(guān)的光耦和第六路電子隔離開關(guān)的光耦集成為第二光耦芯片。
11、可選地，所述第一路電子隔離開關(guān)電路、第二路電子隔離開關(guān)和第三路電子隔離開關(guān)集成到第一電路板，且所述第一光耦芯片和mos管分別設(shè)置在第一電路板的兩面；所述第四路電子隔離開關(guān)電路、第五路電子隔離開關(guān)和第六路電子隔離開關(guān)集成到第二電路板，且所述第二光耦芯片和mos管分別設(shè)置在第二電路板的兩面；其中，所述第一電路板和所述第二電路板重疊設(shè)置
12、相比于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)具有如下有益效果：
13、本技術(shù)通過光耦實(shí)現(xiàn)信號地和電源地的隔離，由兩個mos管作為功率輸出開關(guān)，不僅可以將小信號控制電平轉(zhuǎn)換為大功率輸出起到電氣隔離和功率輸出的效果，還減小了體積，擴(kuò)大了應(yīng)用范圍；進(jìn)一步地，本技術(shù)通過在光耦輸出端設(shè)置的mos管，可以對輸出電壓進(jìn)行鉗位，防止后級負(fù)載的干擾，保證輸出電壓的穩(wěn)定性，提高了隔離精度。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，所述隔離開關(guān)包括：
2.如權(quán)利要求1所述的電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，所述隔離開關(guān)還包括：
3.如權(quán)利要求1所述的電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，所述隔離開關(guān)還包括：
4.如權(quán)利要求3所述的電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，所述隔離開關(guān)還包括：
5.如權(quán)利要求2所述的電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，所述隔離開關(guān)還包括：
6.如權(quán)利要求5所述的電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，所述開關(guān)電路還包括：
7.如權(quán)利要求3所述的電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，第一MOS管和第三MOS管為P型MOS管，第二MOS管和第四MOS管為N型MOS管。
8.一種控制模塊，其特征在于，所述控制模塊包括多路權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的電子隔離開關(guān)電路。
9.如權(quán)利要求8所述的控制模塊，其特征在于，所述控制模塊包括六路電子隔離開關(guān)電路，第一路電子隔離開關(guān)電路的光耦、第二路電子隔離開關(guān)的光耦和第三路電子隔離開關(guān)的光耦集成為第一光耦芯片，第四路電子隔離開關(guān)電路的光耦、第五路電子隔離開關(guān)的光耦
10.如權(quán)利要求9所述的控制模塊，其特征在于，所述第一路電子隔離開關(guān)電路、第二路電子隔離開關(guān)和第三路電子隔離開關(guān)集成到第一電路板，且所述第一光耦芯片和MOS管分別設(shè)置在第一電路板的兩面；所述第四路電子隔離開關(guān)電路、第五路電子隔離開關(guān)和第六路電子隔離開關(guān)集成到第二電路板，且所述第二光耦芯片和MOS管分別設(shè)置在第二電路板的兩面；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，所述隔離開關(guān)包括：
2.如權(quán)利要求1所述的電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，所述隔離開關(guān)還包括：
3.如權(quán)利要求1所述的電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，所述隔離開關(guān)還包括：
4.如權(quán)利要求3所述的電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，所述隔離開關(guān)還包括：
5.如權(quán)利要求2所述的電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，所述隔離開關(guān)還包括：
6.如權(quán)利要求5所述的電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，所述開關(guān)電路還包括：
7.如權(quán)利要求3所述的電子隔離開關(guān)電路，其特征在于，第一mos管和第三mos管為p型mos管，第二mos管和第四mos管為n型mos管。
8.一種控制模塊，其特征在于，所述控制模...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：肖平，
申請(專利權(quán))人：重慶大及電子科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
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