【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于半導體功率器件，具體涉及一種具有屏蔽柵極電阻的屏蔽柵溝槽mosfet結構。
技術介紹
1、sgt（shield-gate-trench，屏蔽柵極溝槽）結構因其具有電荷耦合效應，在傳統溝槽mosfet垂直耗盡（p-body/n-epi結）基礎上引入了水平耗盡，將器件電場由三角形分布改變為近似矩形分布。在采用同樣摻雜濃度的外延規格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓，該結構在中低壓功率器件領域得到廣泛應用。
2、但是現有的sgt?mosfet結構在快速開關仍會產生源漏電壓阻尼震蕩，且電力電子變流裝置中的開關續流元件功率二極管由續流到截止轉換的反向恢復過程中會在負載上產生電壓尖峰，且短時續流下電壓尖峰會很大，極易造成器件過壓失效。
技術實現思路
1、針對上述問題，本專利技術提供一種具有屏蔽柵極電阻的屏蔽柵溝槽mosfet結構，優化現有技術在應用端的表現。
2、本專利技術所采用的技術方案為：
3、具有屏蔽柵極電阻的屏蔽柵溝槽mosfet結構，其屏蔽柵溝槽的屏蔽柵極總線上設置有一個可變電阻區域，所述區域位于屏蔽柵溝槽mosfet結構的外延襯底上。
4、所述可變電阻區域分布設置在屏蔽柵溝槽mosfet結構的終端區，為深溝槽結構。
5、所述可變電阻區域的深溝槽內填充有多晶硅，溝槽深度與有源區的屏蔽柵極引出結構的溝槽深度一致。
6、所述深溝槽寬度在0.2-4微米，高度在0.5-10微米。
7、所述可變電
8、另一種優選，所述可變電阻區域的深溝槽結構為一條或者多條并聯后并延長，電阻范圍為0.001ω~100ω。
9、本專利技術具有以下優點：
10、本專利技術所述技術方案，在不增加工藝難度和掩膜版層數前提下，通過增加屏蔽柵極總線電阻這一結構，有效減緩屏蔽柵極電容充放電速度，改善屏蔽柵溝槽mosfet的開關阻尼震蕩，同時也降低了二極管反向恢復產生的反向電壓尖峰。
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1.具有屏蔽柵極電阻的屏蔽柵溝槽MOSFET結構，其特征在于：
2.根據權利要求1所述的具有屏蔽柵極電阻的屏蔽柵溝槽MOSFET結構，其特征在于：
3.根據權利要求2所述的具有屏蔽柵極電阻的屏蔽柵溝槽MOSFET結構，其特征在于：
4.根據權利要求3所述的具有屏蔽柵極電阻的屏蔽柵溝槽MOSFET結構，其特征在于：
5.根據權利要求4所述的具有屏蔽柵極電阻的屏蔽柵溝槽MOSFET結構，其特征在于：
6.根據權利要求4所述的具有屏蔽柵極電阻的屏蔽柵溝槽MOSFET結構，其特征在于：
【技術特征摘要】
1.具有屏蔽柵極電阻的屏蔽柵溝槽mosfet結構，其特征在于：
2.根據權利要求1所述的具有屏蔽柵極電阻的屏蔽柵溝槽mosfet結構，其特征在于：
3.根據權利要求2所述的具有屏蔽柵極電阻的屏蔽柵溝槽mosfet結構，其特征在于：
4....
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊樂，李鐵生，樓穎穎，陳橋梁，
申請(專利權)人：龍騰半導體股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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