【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種磁控濺射反應腔室，具體涉及一種雙靶材磁控濺射反應腔室，屬于半導體設備。
技術介紹
1、磁控濺射技術通過在高真空環境中，將目標材料加熱并在其表面施加高能離子束，使其表面原子逸出并沉積在基板上，從而形成薄膜。該技術可以制備高質量、均勻厚度和致密性好的薄膜，這些特性使其在半導體行業中應用廣泛。
2、在半導體封裝行業中，磁控濺射機主要用來在晶圓上鍍金屬阻擋層和金屬種子層，大部分濺射機腔體都是分離式，一個靶材占用一個獨立腔體，每個腔體都要配備獨立的真空系統和電源系統，成本較高。
3、同時，當晶圓上需要濺射不同金屬，則需要經過不同的腔室，晶圓在機臺內的傳輸路徑更長，影響機臺的單位產出。
技術實現思路
1、為解決現有技術的不足，本專利技術的目的在于提供一種雙靶材磁控濺射反應腔室。
2、為了實現上述目標，本專利技術采用如下的技術方案：
3、一種雙靶材磁控濺射反應腔室，所述腔室由內設的隔板分隔為底部貫通的子腔室a和子腔室b，
4、于所述腔室的腔底設有可移動至子腔室a、子腔室b底部的載片臺，
5、所述子腔室a、子腔室b的頂部分別設有靶材，所述靶材接射頻電源；
6、所述腔室設有充氣口、抽氣口。
7、上述子腔室a和子腔室b分別設有與隔板連接的擋板，所述擋板包括頂面擋板、側面擋板和底面擋板；
8、所述頂面擋板設有對應靶材的頂口；
9、所述底面擋板設有對應載片臺的底口。p>
10、進一步的，上述底擋板呈下移的階梯狀。
11、進一步的，上述底口對應置于載片臺上的晶圓。
12、上述子腔室a和子腔室b頂部的靶材的材質不相同，并分別通過電路開關接相同的射頻電源。
13、上述抽氣口接真空泵。
14、上述充氣口接氣源。
15、上述擋板和隔板可拆卸。
16、上述腔室的腔底設有滑軌，所述載片臺呈t型，底部沿所述滑軌滑動。
17、本專利技術的有益之處在于：
18、本專利技術的一種雙靶材磁控濺射反應腔室，通過隔板在腔室內分隔出底部貫通的兩個子腔室，利用擋板防止濺射金屬沉積到腔壁上，擋板可拆卸清洗；利用可在兩個子腔室的底部反復移動的載片臺，實現被載片臺承載的晶圓依次完成金屬阻擋層和金屬種子層的濺射，且階梯狀的底面擋板使得晶圓暴露于靶材濺射區，而載片臺的其他區域則被擋板保護，放置交錯的濺射污染。
19、本專利技術的一種雙靶材磁控濺射反應腔室，其結構簡單，使用方便，腔體共用一套射頻電源和一套真空系統，減少了濺射機的腔體，降低了濺射機的成本，縮短晶圓在不同腔體之間的傳送時間，提高了機臺產出，具有很強的實用性和廣泛地適用性。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種雙靶材磁控濺射反應腔室，其特征在于，所述腔室由內設的隔板分隔為底部貫通的子腔室A和子腔室B，
2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述子腔室A和子腔室B分別設有與隔板連接的擋板，所述擋板包括頂面擋板、側面擋板和底面擋板；
3.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述底面擋板呈下移的階梯狀。
4.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述底口對應置于載片臺上的晶圓。
5.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述子腔室A和子腔室B頂部的靶材的材質不相同，并分別通過電路開關接相同的射頻電源。
6.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述抽氣口接真空泵。
7.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述充氣口接氣源。
8.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述擋板和隔板可拆卸。
9.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述腔室的腔底設有滑軌，所述載片臺呈T型，底部沿所述滑軌滑動。
【技術特征摘要】
1.一種雙靶材磁控濺射反應腔室，其特征在于，所述腔室由內設的隔板分隔為底部貫通的子腔室a和子腔室b，
2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述子腔室a和子腔室b分別設有與隔板連接的擋板，所述擋板包括頂面擋板、側面擋板和底面擋板；
3.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述底面擋板呈下移的階梯狀。
4.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述底口對應置于載片臺上的晶圓。
5.根據權利要求1所述的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：范勤良，陶余凡，李新，
申請(專利權)人：江蘇芯德半導體科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
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