【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及低電壓差分信號，具體為一種低電壓差分信號電路。
技術介紹
1、低電壓差分信號電路是一種用于處理低電壓差分信號的電路。差分信號是指由兩個信號相對于一個共同參考點的差值。低電壓差分信號通常指的是電壓較小的差分信號，常見于傳感器輸出、通信接口等應用中。
2、經檢索，現有技術中，公開號為cn104808735b，公開了一種低電壓差分信號驅動電路，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第一電阻器、第二電阻器以及偏壓驅動器。第一晶體管耦接于供應電位和第一節點之間。第二晶體管耦接于供應電位和第二節點之間。第三晶體管耦接于第一節點和接地電位之間。第四晶體管耦接于第二節點和接地電位之間。第一電阻器耦接于第一節點和第三節點之間。第二電阻器耦接于第二節點和第三節點之間。偏壓驅動器根據數據信號，產生多項偏壓信號以控制第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管。省略電流源和電流吸收器；增加頂部空間及增廣輸出范圍；可適用于極低供應電壓；加快操作速度；以及減少制造成本。
3、但是，該技術中仍存在以下缺陷：
4、現有技術中，低電壓差分信號電路中往往需要通過ldo將輸入高電壓穩定地調節為輸出低電壓后，再為低電壓差分信號提供適應的低電壓使用，而由于低電壓差分信號電路需要電子元件較多，同時還需要配合使用ldo獲取穩定的低電壓，而導致低電壓差分信號電路結構的組成復雜，使得生產成本增加。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種低電壓差分信號電路
2、為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：
3、一種低電壓差分信號電路，包括差分信號模塊，所述差分信號模塊的輸入端直接與供電端vdd電性連接，所述差分信號模塊的輸出端與分流模塊電性連接，所述分流模塊的輸入端為vin端口，所述vin端口為差分信號模塊提供高低電平，所述差分信號模塊還與運算放大器op的輸出端電性連接。
4、優選的，所述差分信號模塊包括包括mos管q1、mos管q2、mos管q3、mos管q4，所述mos管q1和mos管q2的源極與供電端vdd連接，所述mos管q1和mos管q2的柵極共接，所述mos管q1的漏極與mos管q3的源極連接，所述mos管q2的漏極與mos管q4的源極，所述mos管q3和mos管q4的柵極共接。
5、優選的，所述分流模塊包括mos管q5、mos管q6、mos管q7、反相器inv1和反相器inv2，所述反相器inv1的輸入端為vin端口，所述反相器inv1的輸出端分別與mos管q5的柵極以及反相器inv2的輸入端連接，所述反相器inv2的輸出端與mos管q6的柵極連接，所述mos管q5和mos管q6的源極共接于mos管q7的漏極上，所述mos管q7的源極接地。
6、優選的，所述mos管q5的漏極與mos管q3的漏極連接，所述mos管q6的漏極與mos管q4的漏極連接，為mos管q3和mos管q4的漏極輸出電流提供分流。
7、優選的，所述運算放大器op的輸出端與mos管q1和mos管q2的柵極共接，所述運算放大器op的反相輸入端提供參考電壓。
8、優選的，所述運算放大器op的正相輸入端與電阻r1和電阻r2的一端共接，所述電阻r1和電阻r2的另一端分別與mos管q3和mos管q4的漏極連接。
9、優選的，所述差分信號模塊還包括電阻r3和電阻r4，所述電阻r3和電阻r4的一端分別與mos管q3和mos管q4的漏極，所述電阻r3和電阻r4的另一端均為接地設置。
10、優選的，所述電阻r3的一端為dout+端口，所述電阻r4的一端為dout-端口。
11、優選的，所述mos管q1、mos管q2、mos管q3、mos管q4為p溝道mos管。
12、優選的，所述mos管q5、mos管q6、mos管q7為n溝道mos管。
13、與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：
14、1、本低電壓差分信號電路結構簡單，不需要通過ldo將輸入高電壓穩定地調節為輸出低電壓供低電壓差分信號電路使用，而使可以直接將高電壓5v接入電壓差分信號電路中，經過mos管q1、mos管q2、mos管q3、mos管q4的降壓和分流模塊的分流后輸出穩定的低電壓的3.3v，由于不需要通過ldo將輸入高電壓穩定地調節為輸出低電壓供低電壓差分信號電路使用，從而達到元器件的使用減少，生產成本的降低。
15、2、為了保證輸出差分電平的穩定性，通過運算放大器op的增設，根據放大器op的反相輸入端提供參考電壓，來消除實現對共模信號的抑制或濾除，從而減小共模干擾對差分信號的影響，其能夠有效地抑制共模信號，提高差分信號的信噪比和準確性。
16、3、由于采用兩個p溝道mos管的串聯方式，也使得高電平轉化為低電平經過兩個p溝道mos管后能夠保持低電平的穩定，消除電平的抖動。
17、本專利技術的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他優點可通過在說明書以及附圖中所指出的結構來實現和獲得。
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1.一種低電壓差分信號電路，包括差分信號模塊，其特征在于：所述差分信號模塊的輸入端直接與供電端VDD電性連接，所述差分信號模塊的輸出端與分流模塊電性連接，所述分流模塊的輸入端為VIN端口，所述VIN端口為差分信號模塊提供高低電平，所述差分信號模塊還與運算放大器OP的輸出端電性連接。
2.根據權利要求1所述的一種低電壓差分信號電路，其特征在于：所述差分信號模塊包括包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4，所述MOS管Q1和MOS管Q2的源極與供電端VDD連接，所述MOS管Q1和MOS管Q2的柵極共接，所述MOS管Q1的漏極與MOS管Q3的源極連接，所述MOS管Q2的漏極與MOS管Q4的源極，所述MOS管Q3和MOS管Q4的柵極共接。
3.根據權利要求2所述的一種低電壓差分信號電路，其特征在于：所述分流模塊包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7、反相器INV1和反相器INV2，所述反相器INV1的輸入端為VIN端口，所述反相器INV1的輸出端分別與MOS管Q5的柵極以及反相器INV2的輸入端連接，所述反相器INV2的輸出端與MOS管Q6
4.根據權利要求3所述的一種低電壓差分信號電路，其特征在于：所述MOS管Q5的漏極與MOS管Q3的漏極連接，所述MOS管Q6的漏極與MOS管Q4的漏極連接，為MOS管Q3和MOS管Q4的漏極輸出電流提供分流。
5.根據權利要求2所述的一種低電壓差分信號電路，其特征在于：所述運算放大器OP的輸出端與MOS管Q1和MOS管Q2的柵極共接，所述運算放大器OP的反相輸入端提供參考電壓。
6.根據權利要求5所述的一種低電壓差分信號電路，其特征在于：所述運算放大器OP的正相輸入端與電阻R1和電阻R2的一端共接，所述電阻R1和電阻R2的另一端分別與MOS管Q3和MOS管Q4的漏極連接。
7.根據權利要求6所述的一種低電壓差分信號電路，其特征在于：所述差分信號模塊還包括電阻R3和電阻R4，所述電阻R3和電阻R4的一端分別與MOS管Q3和MOS管Q4的漏極，所述電阻R3和電阻R4的另一端均為接地設置。
8.根據權利要求7所述的一種低電壓差分信號電路，其特征在于：所述電阻R3的一端為Dout+端口，所述電阻R4的一端為Dout-端口。
9.根據權利要求2所述的一種低電壓差分信號電路，其特征在于：所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4為P溝道MOS管。
10.根據權利要求3所述的一種低電壓差分信號電路，其特征在于：所述MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7為N溝道MOS管。
...【技術特征摘要】
1.一種低電壓差分信號電路，包括差分信號模塊，其特征在于：所述差分信號模塊的輸入端直接與供電端vdd電性連接，所述差分信號模塊的輸出端與分流模塊電性連接，所述分流模塊的輸入端為vin端口，所述vin端口為差分信號模塊提供高低電平，所述差分信號模塊還與運算放大器op的輸出端電性連接。
2.根據權利要求1所述的一種低電壓差分信號電路，其特征在于：所述差分信號模塊包括包括mos管q1、mos管q2、mos管q3、mos管q4，所述mos管q1和mos管q2的源極與供電端vdd連接，所述mos管q1和mos管q2的柵極共接，所述mos管q1的漏極與mos管q3的源極連接，所述mos管q2的漏極與mos管q4的源極，所述mos管q3和mos管q4的柵極共接。
3.根據權利要求2所述的一種低電壓差分信號電路，其特征在于：所述分流模塊包括mos管q5、mos管q6、mos管q7、反相器inv1和反相器inv2，所述反相器inv1的輸入端為vin端口，所述反相器inv1的輸出端分別與mos管q5的柵極以及反相器inv2的輸入端連接，所述反相器inv2的輸出端與mos管q6的柵極連接，所述mos管q5和mos管q6的源極共接于mos管q7的漏極上，所述mos管q7的源極接地。
4.根據權利要求3所述的一種低電壓差分信號電路，其特征在于：所述mos管q5...
【專利技術屬性】
技術研發人員：請求不公布姓名，請求不公布姓名，
申請(專利權)人：瓴科微上海集成電路有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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