【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及應用光學，尤其涉及一種用于光斑強度調控的光學元件的制備方法。
技術介紹
1、激光器產生的激光束的光強分布一般情況下是不均勻的，但是有些應用場合需要使用均勻分布的激光光斑，就需要對激光束的光強進行調控，以獲得滿足需求的均勻分布的激光光斑。現有的調控技術基本都是通過在光路中添加光學元件的方法，比如液晶光閥等來實現。但是有些應用場景，激光的功率較高，因此對光學元件的抗激光損傷能力提出了更高的要求。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種用于光斑強度調控的光學元件的制備方法。所述制備方法制備的光學元件抗光損傷能力強。
2、為了實現上述專利技術目的，本專利技術提供以下技術方案：
3、本專利技術提供了一種用于光斑強度調控的光學元件的制備方法，包括以下步驟：
4、將熔石英光學元件置于模具中進行等離子體刻蝕，得到刻蝕后的光學元件；所述模具的頂蓋設置有透過等離子體刻蝕的孔。
5、優選的，所述模具的材料為聚四氟乙烯。
6、優選的，所述等離子體刻蝕的等離子體出射方向與所述熔石英光學元件的表面垂直。
7、優選的，所述等離子體刻蝕采用的等離子體為sf6等離子體、chcl3和ccl4中的一種或兩種。
8、優選的，所述等離子體刻蝕采用的等離子體的流量為30～45sccm，電離功率為800w。
9、優選的，所述等離子體刻蝕的腔體壓強為1～1.5torr。
10、優選的，所述等離子體刻蝕
11、優選的，所述孔的孔徑為0.1～5mm。
12、本專利技術提供了一種用于光斑強度調控的光學元件的制備方法，包括以下步驟：將熔石英光學元件置于模具中進行等離子體刻蝕，得到刻蝕后的光學元件；所述模具的頂蓋設置有透過等離子體刻蝕的孔。本專利技術所述制備方法是直接在熔石英表面進行刻蝕，并通過刻蝕的區域調控激光的透過率，而不是通過在光學元件表面鍍膜的方法實現，所以抗光損傷能力強；通過設置模具中的孔，使等離子體能夠通過有孔的地方進行刻蝕，沒有孔的地方，等離子體不能通過而刻蝕不到；等離子體刻蝕的位置，光的透過率降低，進而調控光斑分布強度的。由此可見，所述制備方法方便快捷，成本低廉，易于實現，具有抗激光損傷能力高的特點。
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1.一種用于光斑強度調控的光學元件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述模具的材料為聚四氟乙烯。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕的等離子體出射方向與所述熔石英光學元件的表面垂直。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕采用的等離子體為SF6等離子體、CHCl3和CCl4中的一種或兩種。
5.如權利要求1或4所述的制備方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕采用的等離子體的流量為30～45sccm，電離功率為800W。
6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕的腔體壓強為1～1.5Torr。
7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕的時間為3～10min。
8.如權利要求1所述制備方法，其特征在于，所述孔的孔徑為0.1～5mm。
【技術特征摘要】
1.一種用于光斑強度調控的光學元件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述模具的材料為聚四氟乙烯。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕的等離子體出射方向與所述熔石英光學元件的表面垂直。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕采用的等離子體為sf6等離子體、chcl3和ccl4中的一種或兩種。
【專利技術屬性】
技術研發人員：賈寶申，蔣曉龍，唐洪平，
申請(專利權)人：中國工程物理研究院激光聚變研究中心，
類型：發明
國別省市：
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