【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于電子電路，具體涉及一種適用于gan半橋驅動芯片分地設計的電平位移電路。
技術介紹
1、電平位移電路負責信號在不同的電壓域之間的轉換，在模擬集成電路的各個領域內都應用廣泛。在gan柵驅動系統中，芯片打線、封裝和pcb板走線均會引入比較大的寄生電感，在功率回路電流變化過快時，造成驅動芯片上可觀的地彈。為了抑制地彈對驅動芯片邏輯信號的干擾，通常采用分地設計，將芯片內部的參照地分為兩個部分，隔離邏輯電路和功率電路。在gan半橋柵驅動系統中，電平位移電路除了能夠實現信號在不同電壓域之間的傳遞之外，還應具備一定的抗地彈能力，同時匹配高側通道的信號傳輸延時。因此，為了滿足gan半橋柵驅動嚴苛的工作環境要求，實現高抗擾可調延時的電平位移電路具有重要意義。
技術實現思路
1、本專利技術的目的，就是針對上述問題，提出一種適用于gan驅動芯片分地設計的電平位移電路，該電路具有在高地彈條件下工作的能力，能夠為柵驅動系統提供穩定的電壓隔離和信號傳遞。
2、本專利技術的技術方案是：
3、一種適用于gan半橋驅動芯片分地設計的電平位移電路，如圖3所示，定義驅動芯片邏輯部分的參考地為sgng，驅動芯片功率回路部分的參考地為pgnd，并且參照sgnd的5v電源軌為vdd5，參照pgnd的5v電源軌為vddl，輸入電源vcc為9～20v電源軌，包括第一ldpmos管、第二ldpmos管、第一ldnmos管、第二ldnmos管、第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四p
4、第五齊納二極管的陰極接vcc，其陽極接第一電阻的一端、第一ldpmos管的柵極、第二ldpmos管的柵極；第一電阻的另一端接sgnd；
5、第五pmos管的源極接vcc，其柵極接第三齊納二極管的陽極、第三pmos管的柵極、第四pmos管的漏極；第三齊納二極管的陰極接vcc；第一ldnmos管的漏極接第五pmos管的漏極，第一ldnmos管的柵極接vddl，其源極接第三nmos管的漏極、第五nmos管的柵極、第一齊納二極管的陰極、死地nmos管的柵極；第一pmos管的源極接vddl，其柵極接第二pmos管的漏極和第六nmos管的漏極；第五nmos管的漏極接第一pmos管的漏極，第五nmos管的源極和第一齊納二極管的陽極接pgnd；第三nmos管的柵極接第二ldnmos管的源極，第三nmos管的源極接pgnd；
6、第三pmos管的源極接vcc，其漏極接第一ldpmos管的源極；第一ldpmos管的漏極接第一nmos管的漏極；第一nmos管的柵極接第一反相器的輸出端，第一nmos管的源極接sgnd；第一反相器的輸入端接輸入信號in，第一反相器的電源接vdd5和sgnd，所述輸入信號in為參照sgnd的輸入信號；
7、第四pmos管的源極接vcc，其柵極接第三pmos管的漏極，第四pmos管的漏極接第二ldpmos管的源極；第二ldpmos管的漏極接第二nmos管的漏極；第二nmos管的柵極接輸入信號in，其源極接sgnd；
8、第四齊納二極管的陰極接電源，陽極接第三pmos管的漏極、第四pmos管的柵極、第六pmos管的柵極；
9、第六pmos管的源極接vcc，其漏極接第二ldnmos的漏極；第二ldnmos的柵極接vddl，其源極接第四nmos管的漏極、第二齊納二極管的陰極、第六nmos管的柵極；第二齊納二極管的陽極、第四nmos管的源極、第六nmos管的源極接pgnd；
10、第二pmos管的源極接vddl，第二pmos管漏極與第六nmos管漏極的連接點為電平位移電路的輸出端。
11、本專利技術的有益效果為：提出一種適用于gan半橋驅動芯片分地設計的電平位移電路，能在高地彈的gan半橋柵驅動芯片中穩定工作。
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1.一種適用于GaN半橋驅動芯片分地設計的電平位移電路，定義驅動芯片邏輯部分的參考地為SGNG，驅動芯片功率回路部分的參考地為PGND，并且參照SGND的5V電源軌為VDD5，參照PGND的5V電源軌為VDDL，輸入電源VCC為9～20V電源軌；其特征在于，電平位移電路包括第一LDPMOS管、第二LDPMOS管、第一LDNMOS管、第二LDNMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一電阻、第一齊納二極管、第二齊納二極管、第三齊納二極管、第四齊納二極管、第五齊納二極管和第一反相器；
【技術特征摘要】
1.一種適用于gan半橋驅動芯片分地設計的電平位移電路，定義驅動芯片邏輯部分的參考地為sgng，驅動芯片功率回路部分的參考地為pgnd，并且參照sgnd的5v電源軌為vdd5，參照pgnd的5v電源軌為vddl，輸入電源vcc為9～20v電源軌；其特征在于，電平位移電路包括第一ldpmos管、第二ldpmos管、第一ldn...
【專利技術屬性】
技術研發人員：明鑫，張永強，吳之久，王卓，張波，
申請(專利權)人：電子科技大學深圳高等研究院，
類型：發明
國別省市：
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