【技術實現步驟摘要】
本實施方式涉及半導體，具體地，涉及一種半導體封裝用基板、半導體封裝件及半導體封裝用基板的制造方法。
技術介紹
1、在電子部件的制造工藝中，將在半導體晶圓上實現電路的工藝稱為前端工藝(fe：front-end)，并且將把晶圓組裝成可以在實際產品中使用的狀態的工藝稱為后端工藝(be：back-end)，封裝工藝包括在該后端工藝中。
2、近年來使得電子產品快速發展的半導體產業的四大核心技術包括半導體技術、半導體封裝技術、制造工藝技術和軟件技術。半導體技術正在以微米以下的納米單位的線寬、千萬個以上的單元(cell)、高速動作、高散熱等各種形式發展，但相比之下，目前還沒有能夠完美封裝這樣的產品的技術。
3、尤其，如果配備有加熱元件的半導體封裝件不能正常散熱，則可能由于封裝件的組件之間的熱膨脹系數差異而出現翹曲(warpage)現象。由于這將增加半導體封裝件的缺陷率，因此傳統的半導體封裝件嘗試了通過在封裝件之間單獨設置中介層或散熱層來散熱，但存在增加半導體封裝件的厚度的問題。
4、作為關聯現有技術，存在韓國公開專利第10-2021-0056433號和韓國公開專利第10-2021-0119545號等。
技術實現思路
1、專利技術要解決的問題
2、本實施方式的目的在于，提供一種在實際上不增加半導體封裝件的厚度的情況下確保熱穩定性的半導體封裝用基板、半導體封裝件及半導體封裝用基板的制造方法。
3、本實施方式的技術問題不限于上述技術問題，本領
4、用于解決問題的手段
5、為了實現上述目的，根據一個實施方式的半導體封裝用基板包括：基板，包括一表面、與所述一表面相反的另一表面、所述一表面凹入而成的凹入面和連接所述一表面與所述凹入面的側壁，以及多個第一過孔，貫穿所述凹入面和所述另一表面；多個所述第一過孔是包含導熱材料的熱過孔。
6、所述基板可包括玻璃基板。
7、所述基板可包括絕緣基板。
8、所述一表面的表面粗糙度(ra)和所述另一表面的表面粗糙度分別可以小于等于
9、所述基板還可以包括多個第二過孔，多個所述第二過孔貫穿所述一表面和所述另一表面。
10、所述凹入面的面積可以為所述一表面的面積的10％以上。
11、為了實現上述目的，根據一個實施方式的半導體封裝件包括：基板，包括一表面、與所述一表面相反的另一表面、所述一表面凹入而成的凹入面和連接所述一表面與所述凹入面的側壁，多個第一過孔，貫穿所述凹入面和所述另一表面，以及元件部，設置在所述凹入面上；多個所述第一過孔是包含導熱材料的熱過孔。
12、所述基板可包括玻璃基板。
13、所述基板可包括絕緣基板。
14、所述一表面的表面粗糙度(ra)和所述另一表面的表面粗糙度分別可以小于等于
15、所述基板還可以包括多個第二過孔，多個所述第二過孔貫穿所述一表面和所述另一表面。
16、所述元件部可包括有源元件。
17、所述半導體封裝件還可包括填充材料，所述填充材料覆蓋所述元件部。
18、所述填充材料的熱膨脹系數低于所述基板的熱膨脹系數。
19、所述側壁和所述凹入面之間的角度可以是鈍角。
20、為了實現上述目標，根據一個實施方式的半導體封裝用基板的制造方法包括：準備步驟，在基板的一表面、與所述一表面相反的另一表面或所述一表面和所述另一表面兩者的預定位置處形成缺陷；過孔形成步驟，將蝕刻液施加到所述基板上以形成多個過孔和凹入面；以及填充步驟，將導熱材料填充至多個所述過孔。
21、專利技術效果
22、本實施方式的半導體封裝用基板、半導體封裝件及通過本實施方式的制造方法制造的半導體封裝用基板具有優異的散熱效果。
23、此外，本實施方式的半導體封裝用基板、半導體封裝件及通過本實施方式的制造方法制造的半導體封裝用基板具有減輕因熱膨脹而導致的基板表面的翹曲現象的效果。
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1.一種半導體封裝用基板，其中，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體封裝用基板，其中，
3.根據權利要求1所述的半導體封裝用基板，其中，
4.根據權利要求1所述的半導體封裝用基板，其中，
5.根據權利要求1所述的半導體封裝用基板，其中，
6.根據權利要求1所述的半導體封裝用基板，其中，
7.一種半導體封裝件，其中，包括：
8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其中，
9.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其中，還包括：
10.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其中，
11.一種半導體封裝用基板的制造方法，其中，包括：
【技術特征摘要】
1.一種半導體封裝用基板，其中，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體封裝用基板，其中，
3.根據權利要求1所述的半導體封裝用基板，其中，
4.根據權利要求1所述的半導體封裝用基板，其中，
5.根據權利要求1所述的半導體封裝用基板，其中，
6.根據權利要求1所述...
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