【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及反激電路領域，尤其涉及一種反激變換電路與電子設備。
技術介紹
1、目前的反激電路中，由于變壓器的初次級繞組無法完全耦合，電路中就必定存在漏感，降低電路的轉換效率。且電路輸出負載越重，漏感產生的尖峰電壓就會越高，導致emi，電壓應力等問題。普通的反激電路在主開關管開通時，還存在較大的電容性開通損耗問題，即使在qr模式反激下，在輸入電壓大于n*vo(n＝np/ns)較多時，谷底電壓較高，主開關管仍會存在較大的開通損耗。
2、現有的解決方式在初級側的電路中增加一與主開關工作在互補狀態的輔助mos開關，輔助mos開關被設置為在主開關開通前導通一固定時間，從而在主開關關斷時，先將漏感的能量吸收到箝位電容中，后將其釋放到負載或輸入端。這就導致了開通以及關斷輔助mos開關所需的時間為一較大的固定值，這將導致輔助mos開關的電流有效值較大，導通損耗大，降低了電路的效率，同時，又由于輔助mos管體二極管的反向恢復時間長，反向恢復電流大(反向恢復時間和反向恢復電流遠大于氮化鎵)，ccm下的反向恢復期間存在反向恢復共通風險，這也降低了電路的可靠性。
3、因而，如何保證主開關管在零電壓的情況下開通,回收變壓器漏感能量，兼顧提高電路的效率以及可靠性，已成為業界目前亟需解決的技術問題。
技術實現思路
1、本專利技術提供一種反激變換電路與電子設備，以解決如何保證主開關管在零電壓的情況下開通，回收變壓器漏感能量,兼顧提高電路的效率以及可靠性的問題。
2、根據本專利
3、所述開關管控制單元的第一輸入端接收第一信號，其第二輸入端接收開關頻率時鐘控制信號，其輸出端分別耦接至所述第一開關管的控制端以及所述第二氮化鎵開關管的控制端，所述第一開關管的第一端分別耦接至所述初級繞組的第一端以及所述第二氮化鎵開關管的第一端，所述第二氮化鎵開關管的第二端分別耦接至所述第二電阻的第一端以及所述第二電容的第一端，所述第二電阻的第二端以及所述第二電容的第二端耦接至所述初級繞組的第二端；其中，所述第一信號包括流過所述第二氮化鎵開關管的第一端的電流信息；
4、所述輔助繞組的第一端分別耦接至所述第一分壓電阻的第一端以及所述第一電容的第一端，所述第一分壓電阻的第二端耦接至所述第二分壓電阻的第一端，所述第一分壓電阻的第二端還耦接至所述開關管控制單元的第三輸入端，以輸出第二信號；所述第二分壓電阻的第二端分別耦接至所述輔助繞組的第二端以及所述第一電容的第二端，所述第一電阻與所述第一電容并聯；其中，所述第二信號包括流過所述第一分壓電阻的電流值或所述第一分壓電阻第二端的電壓值；
5、所述次級繞組的第一端以及第二端分別耦接至所述副邊輸出電路的第一端以及第二端；其中：
6、所述開關管控制單元被配置為：至少依據所述開關頻率時鐘控制信號、所述第一信號以及所述反激變換電路的工作模式，控制所述第二氮化鎵開關管導通以及關斷，以在所述第一開關管導通之前，通過導通所述第二氮化鎵開關管傳遞被存儲的所述初級繞組的漏感能量至所述次級繞組，通過關斷所述第二氮化鎵開關管，使得所述第一開關管的漏極電壓降低到零伏；
7、并僅在所述第二氮化鎵開關管關斷，且所述第二信號表征為下降過零點時，控制所述第一開關管導通，使得所述第一開關管可實現零電壓開通。
8、可選的，所述反激變換電路的工作模式包括連續導通模式和/或準諧振模式；當所述反激變換電路工作在連續導通模式或準諧振模式時，所述開關管控制單元被配置為：
9、若所述開關頻率時鐘控制信號表征為準備控制所述第一開關管導通，則控制所述第二氮化鎵開關管先導通；
10、若所述開關頻率時鐘控制信號表征為準備控制所述第一開關管導通且所述第一信號表征為所述第二氮化鎵開關管的第一端的電流小于或等于第一閾值時，控制所述第二氮化鎵開關管關斷；
11、若所述開關頻率時鐘控制信號表征為準備控制所述第一開關管導通，且所述第二氮化鎵開關管關斷，并且所述第二信號表征為下降過零點時，控制所述第一開關管導通；
12、若所述開關控制信號表征為控制所述第一開關管關斷，則控制所述第一開關管關斷。
13、可選的，當所述反激變換電路工作在連續導通模式時，所述第一信號對應的第一閾值為：
14、
15、當所述反激變換電路工作在準諧振模式時，所述第一信號對應的第一閾值為：
16、
17、其中，ce是所述第一開關管的漏極到接地端的等效電容，lleak為所述初級繞組的漏感，lm為初級繞組的勵磁電感，lp為初級繞組電感量，lp＝lm+lleak，n為初級繞組與次級繞組的匝數比，vo是所述副邊輸出電路的輸出電壓，vin是所述原邊輸入電路的輸入電壓。
18、可選的，所述反激變換電路的工作模式包括dcm斷續模式；當所述反激變換電路工作在dcm斷續模式時，所述開關管控制單元被配置為：
19、若所述開關頻率時鐘控制信號表征為準備控制所述第一開關管導通，且所述第二信號表征為上升過零點時，控制所述第二氮化鎵開關管導通，所述第一開關管關斷；
20、若所述開關頻率時鐘控制信號表征為準備控制所述第一開關管導通且所述第一信號表征為所述第二氮化鎵開關管的第一端的電流小于或等于第一閾值時，控制所述第二氮化鎵開關管關斷；
21、若在所述第二氮化鎵開關管關斷時，所述開關頻率時鐘控制信號表征為準備控制所述第一開關管導通且所述第二信號表征為下降過零點時，控制所述第一開關管導通；
22、若所述開關控制信號表征為控制所述第一開關管關斷，則控制所述第一開關管關斷。
23、可選的，當所述反激變換電路工作在dcm斷續模式時，所述第一信號對應的第一閾值為：
24、
25、其中，ce是所述第一開關管的漏極到接地端的等效電容，lp為初級繞組電感量，n為初級繞組與次級繞組的匝數比，vo是所述副邊輸出電路的輸出電壓，vin是所述原邊輸入電路的輸入電壓。
26、可選的，所述第二氮化鎵開關管為e型氮化鎵開關管。
27、可選的，所述反激變換電路工作在連續導通模式時，所述開關管控制單元還被配置為：
28、若所述開關控制信號表征為控制所述第一開關管關斷且所述第一信號表征為所述第二氮化鎵開關管的第一端的電流大于或等于第二閾值時，控制所述第二氮化鎵開關管導通；
29、若所述開關控制信號表征為控制所述第一開關管關斷，且所述第一信號表征為所述第二氮化鎵開關管的第一端的電流等于0時，控制所述第二氮化鎵開關管關斷。
30、可選的，所述第二氮化鎵開關管為d型氮化鎵本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種反激變換電路，其特征在于，包括：原邊輸入電路、變壓器、副邊輸出電路及輔助繞組電路；所述原邊輸入電路包括開關管控制單元、第一開關管以及吸收模塊；所述輔助繞組電路包括第一分壓電阻、第二分壓電阻、第一電容以及第一電阻；所述吸收模塊包括第二電阻、第二電容以及第二氮化鎵開關管；
2.根據權利要求1所述的反激變換電路，其特征在于，所述反激變換電路的工作模式包括連續導通模式和/或準諧振模式；當所述反激變換電路工作在連續導通模式或準諧振模式時，所述開關管控制單元被配置為：
3.根據權利要求2所述的反激變換電路，其特征在于，當所述反激變換電路工作在連續導通模式時，所述第一信號對應的第一閾值為：
4.根據權利要求1所述的反激變換電路，其特征在于，所述反激變換電路的工作模式包括DCM斷續模式；當所述反激變換電路工作在DCM斷續模式時，所述開關管控制單元被配置為：
5.根據權利要求4所述的反激變換電路，其特征在于，當所述反激變換電路工作在DCM斷續模式時，所述第一信號對應的第一閾值為：
6.根據權利要求2或4所述的反激變換電路，其特征在
7.根據權利要求6所述的反激變換電路，其特征在于，所述反激變換電路工作在連續導通模式時，所述開關管控制單元還被配置為：
8.根據權利要求2或4所述的反激變換電路，其特征在于，所述第二氮化鎵開關管為D型氮化鎵開關管或MOS管開關管。
9.根據權利要求1所述的反激變換電路，其特征在于，所述原邊輸入電路還包括第四電阻；
10.根據權利要求9所述的反激變換電路，其特征在于，所述開關管控制單元的第一輸入端接收所述第四電阻兩端的電壓。
11.根據權利要求1所述的反激變換電路，其特征在于，所述副邊輸出電路包括第三開關管、第三電阻、第三電容以及第三開關管控制單元；
12.根據權利要求1所述的反激變換電路，其特征在于，所述原邊輸入電路還包括電源側電容；
13.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求1-12任一項所述的反激變換電路。
...【技術特征摘要】
1.一種反激變換電路，其特征在于，包括：原邊輸入電路、變壓器、副邊輸出電路及輔助繞組電路；所述原邊輸入電路包括開關管控制單元、第一開關管以及吸收模塊；所述輔助繞組電路包括第一分壓電阻、第二分壓電阻、第一電容以及第一電阻；所述吸收模塊包括第二電阻、第二電容以及第二氮化鎵開關管；
2.根據權利要求1所述的反激變換電路，其特征在于，所述反激變換電路的工作模式包括連續導通模式和/或準諧振模式；當所述反激變換電路工作在連續導通模式或準諧振模式時，所述開關管控制單元被配置為：
3.根據權利要求2所述的反激變換電路，其特征在于，當所述反激變換電路工作在連續導通模式時，所述第一信號對應的第一閾值為：
4.根據權利要求1所述的反激變換電路，其特征在于，所述反激變換電路的工作模式包括dcm斷續模式；當所述反激變換電路工作在dcm斷續模式時，所述開關管控制單元被配置為：
5.根據權利要求4所述的反激變換電路，其特征在于，當所述反激變換電路工作在dcm斷續模式時，所述第一信號對應的第一閾...
【專利技術屬性】
技術研發人員：肖海斌，覃敏貴，郭春明，喬宇波，
申請(專利權)人：華源智信半導體深圳有限公司，
類型：發明
國別省市：
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