【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及溫度計標定，特別是涉及一種低溫溫度計標定裝置，該低溫溫度計標定裝置適用于常低溫下和有磁場環境的溫度計標定和校正。
技術介紹
1、溫度計是準確判斷和測量溫度的裝置，在能夠準確測量溫度是現代工業中最基本的要求。隨著科學技術的發展，能夠在低溫下準確地測量溫度是現代工程技術特別是低溫工程領域中十分重要的一環。當前溫度計為了實現方便進行數據采集的要求，多采用電阻式溫度計，即利用在不同溫度下電阻值不同的特性制成的溫度計。此類溫度計只需要通過測量低溫下電阻值的大小便可知道所處環境溫度的數值。溫度計在低溫下工作時，由于工藝原因和溫度計材料本身的性能原因，在溫度計出廠時或者使用一段時間后需要對溫度計進行標定，即在一系列固定的溫度下重新測量溫度計的電阻值。在有磁場的環境下工作的溫度計更需要標定，因為磁場對溫度計的電阻值有影響，進而影響溫度計的準確性。因此，能夠準確地標定溫度計，特別是在有磁場環境下標定溫度計是目前工程技術中的重點，也是一大技術難點。如果溫度計標定誤差較大，將使工作人員產生誤判，對低溫系統產生極大破壞性。
2、然而，現有的常低溫溫度計標定裝置主要有使用液氮液氦標定和使用小型低溫制冷機標定，具有以下缺陷：使用液氮液氦標定的溫度計只能在固定的兩個溫度點下標定，無法標定更低的溫度，而且數據采樣點有限，難以保證溫度計標定準確性。而使用小型低溫制冷機直接標定方法受制冷機限制較大，標定過程中涉及多次拆裝、固定、抽真空、冷卻的操作，并且需要焊接額外的測量系統，過程繁瑣費時。另外，由于溫度計在有磁場的環境情況下較少，使得磁場
3、會使得系統更加復雜，因此現有的常低溫溫度計標定裝置一般沒有設置超導磁5體，無法在有磁場環境下標定溫度計。
技術實現思路
1、本專利技術的一目的是，提供一種低溫溫度計標定裝置，該低溫溫度計標定裝置能夠在4k～300k下、0～8t磁場下連續可調標定溫度計。
2、0本專利技術提供了一種低溫溫度計標定裝置，包括：
3、真空罩；
4、防輻射屏，其設置在所述真空罩內；
5、超導磁體組件，其設置在所述防輻射屏內，包括超導磁體和分別設置在超
6、導磁體兩端的磁體導冷板；
7、5溫度計標定臺，其設置在所述超導磁體組件的中心孔內，用于標定溫度計；
8、加熱器，其設置在所述溫度計標定臺上，用于調控所述溫度計標定臺的溫度；
9、測量與冷卻底座，其設置在所述超導磁體組件的中心孔內，用于支撐所述
10、溫度計標定臺和所述加熱器；
11、0磁場測量件，其設置在所述真空罩的室溫孔內，用于測量所述超導磁體的磁場強度；以及
12、制冷機，所述制冷機設置在所述真空罩上，用于冷卻所述防輻射屏、所述超導磁體以及所述溫度計標定臺。
13、在本專利技術的一實施例中，所述制冷機包括設置在所述防輻射屏上的一級冷頭和設置在所述防輻射屏內并通過三個導冷橋分別連接于所述超導磁體組件的兩個磁體導冷板和所述測量與冷卻底座的二級冷頭。
14、在本專利技術的一實施例中，三個導冷橋包括磁體上導冷橋、磁體下導冷橋以及標定臺導冷橋，所述制冷機的二級冷頭通過所述磁體上導冷橋和所述磁體下導冷橋分別冷卻所述超導磁體兩端的磁體導冷板，從而實現對所述超導磁體的冷卻；所述制冷機的二級冷頭通過所述標定臺導冷橋冷卻所述測量與冷卻底座，從而實現對所述溫度計標定臺的冷卻。
15、在本專利技術的一實施例中，所述低溫溫度計標定裝置還包括連接于所述加熱器的加熱器引線，所述加熱器引線自所述防輻射屏和所述真空罩引出，其中所述低溫溫度計標定裝置通過調節施加在所述加熱器引線上的電流，來調整所述加熱器的加熱功率，從而控制所述溫度計標定臺的溫度。
16、在本專利技術的一實施例中，所述低溫溫度計標定裝置還包括設置在所述室溫孔內的室溫孔防輻射屏組件，所述室溫孔防輻射屏組件與所述磁場測量件之間形成活動連接。
17、在本專利技術的一實施例中，所述磁場測量件為高斯計探頭。
18、在本專利技術的一實施例中，所述室溫孔防輻射屏組件包括間隔套設在所述高斯計探頭上的多個防輻射圓板。
19、在本專利技術的一實施例中，所述低溫溫度計標定裝置還包括連接于所述測量與冷卻底座的測量引線，所述溫度計標定臺包括溫度計冷卻臺、包裹所述溫度計冷卻臺的絕緣套管、套設在所述絕緣套管外的基座、設置在所述基座上的多個焊接點以及連接于對應的所述焊接點的引線針；
20、其中所述引線針插設在所述測量與冷卻底座上而形成與所述測量引線相連接的狀態，所述溫度計冷卻臺設置有多個插孔，其中一個插孔用于放置標準溫度計，其他插孔用于放置待標定溫度計，其中待標定溫度計的溫度計引線與對應的所述焊接點連接，從而形成待標定溫度計與所述測量引線之間連接的狀態。
21、在本專利技術的一實施例中，所述插孔為2～10個。
22、在本專利技術的一實施例中，所述標準溫度計為cernox溫度計。
23、在本專利技術的一實施例中，所述測量引線設置有熱沉。
24、在本專利技術的一實施例中，所述低溫溫度計標定裝置還包括連接所述真空罩和所述防輻射屏的輻射屏懸掛桿、連接所述真空罩和所述超導磁體的磁體懸掛桿以及用于支撐所述測量與冷卻底座的標定臺支撐桿。
25、本專利技術具有以下有益效果：
26、(1)本專利技術的所述低溫溫度計標定裝置可以實現在4k～300k溫區下，磁場強度為0～8t環境下連續可調標定溫度計，溫度標定范圍廣，標定準確性高；
27、(2)本專利技術的所述低溫溫度計標定裝置通過從制冷機的二級冷頭引出三路導冷橋分別冷卻超導磁體的上下兩部分和溫度計標定臺的方式，和通過調控加熱器引線的電流的方式來控制加熱器的加熱功率，實現了實現在4k～300k溫區下，磁場強度為0～8t環境下連續可調標定溫度計，溫度調控方式簡單、易行；
28、(3)本專利技術的所述低溫溫度計標定裝置的溫度計冷卻臺設置有多個插孔，可同時實現多個溫度計的標定；
29、(4)本專利技術的所述低溫溫度計標定裝置通過采用真空罩為溫度計標定提供真空環境，采用制冷機的一級冷頭冷卻防輻射屏，能夠起到減少輻射漏熱的作用，同時還采用室溫孔防輻射屏組件和高斯計來減少室溫向溫度計標定臺的輻射漏熱，以此能夠確保溫度計標定的準確性。
30、通過對隨后的描述和附圖的理解，本專利技術進一步的目的和優勢將得以充分體現。
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1.一種低溫溫度計標定裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于，所述制冷機包括設置在所述防輻射屏上的一級冷頭和設置在所述防輻射屏內并通過三個導冷橋分別連接于所述超導磁體組件的兩個磁體導冷板和所述測量與冷卻底座的二級冷頭。
3.根據權利要求2所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于，三個導冷橋包括磁體上導冷橋、磁體下導冷橋以及標定臺導冷橋，所述制冷機的二級冷頭通過所述磁體上導冷橋和所述磁體下導冷橋分別冷卻所述超導磁體兩端的磁體導冷板，從而實現對所述超導磁體的冷卻；所述制冷機的二級冷頭通過所述標定臺導冷橋冷卻所述測量與冷卻底座，從而實現對所述溫度計標定臺的冷卻。
4.根據權利要求3所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于，還包括連接于所述加熱器的加熱器引線，所述加熱器引線自所述防輻射屏和所述真空罩引出，其中所述低溫溫度計標定裝置通過調節施加在所述加熱器引線上的電流，來調整所述加熱器的加熱功率，從而控制所述溫度計標定臺的溫度。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于，還包括設置在
6.根據權利要求5所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于，所述磁場測量件為高斯計探頭。
7.根據權利要求6所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于，所述室溫孔防輻射屏組件包括間隔套設在所述高斯計探頭上的多個防輻射圓板。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于，還包括連接于所述測量與冷卻底座的測量引線，所述溫度計標定臺包括溫度計冷卻臺、包裹所述溫度計冷卻臺的絕緣套管、套設在所述絕緣套管外的基座、設置在所述基座上的多個焊接點以及連接于對應的所述焊接點的引線針；
9.根據權利要求8所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于，所述插孔為2～10個，和/或，所述標準溫度計為Cernox溫度計。
10.根據權利要求1至4中任一項所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于，還包括連接所述真空罩和所述防輻射屏的輻射屏懸掛桿、連接所述真空罩和所述超導磁體的磁體懸掛桿以及用于支撐所述測量與冷卻底座的標定臺支撐桿。
...【技術特征摘要】
1.一種低溫溫度計標定裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于，所述制冷機包括設置在所述防輻射屏上的一級冷頭和設置在所述防輻射屏內并通過三個導冷橋分別連接于所述超導磁體組件的兩個磁體導冷板和所述測量與冷卻底座的二級冷頭。
3.根據權利要求2所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于，三個導冷橋包括磁體上導冷橋、磁體下導冷橋以及標定臺導冷橋，所述制冷機的二級冷頭通過所述磁體上導冷橋和所述磁體下導冷橋分別冷卻所述超導磁體兩端的磁體導冷板，從而實現對所述超導磁體的冷卻；所述制冷機的二級冷頭通過所述標定臺導冷橋冷卻所述測量與冷卻底座，從而實現對所述溫度計標定臺的冷卻。
4.根據權利要求3所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于，還包括連接于所述加熱器的加熱器引線，所述加熱器引線自所述防輻射屏和所述真空罩引出，其中所述低溫溫度計標定裝置通過調節施加在所述加熱器引線上的電流，來調整所述加熱器的加熱功率，從而控制所述溫度計標定臺的溫度。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的低溫溫度計標定裝置，其特征在于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王春棟，方志春，信紀軍，王維，李來風，
申請(專利權)人：中國科學院理化技術研究所，
類型：發明
國別省市：
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