【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于半導體，具體涉及一種自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構及其制造方法。
技術介紹
1、自保護功率器件是將雙極型器件（bipolar?device簡稱bjt）、互補型金屬氧化半導體(complementary?metal-oxide-semiconductor?簡稱cmos)與功率器件制作在同一塊芯片上，該工藝技術除了綜合bjt器件的高跨導和強負載驅動能力，以及cmos的高集成度和低功耗的優點外，更重要的是還綜合了功率器件的高電壓大電流的優勢。
2、自保護功率器件的誕生表明在增強功率開關器件性能的同時還可以實現自檢測、自保護功能，系統的成本得到減少，可靠性得到提高，因此，在汽車電子領域自保護功率器件得到廣泛的應用。
3、汽車電子中耐壓一般會用到70v左右，而在低壓應用中，sgt?mos脫穎而出，與垂直雙擴散金屬氧化半導體（vertical?double-diffused?mosfet?簡稱vdmos）相比，在相同的耐壓下具有更小的比導通電阻，更低的開關損耗。但自保護sgt?mot與各種保護線路，包括過流保護線路、過溫保護線路、柵電極的靜電釋放（electro-static?discharge?簡稱esd）保護線路等，通過一種工藝兼容性比較高的工藝集成技術整合在一顆芯片上卻成為一種難點。
技術實現思路
1、為了解決上述問題，本專利技術提出了一種自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構及其制造方法，實現自保護線路的工藝兼容性。
2、本專利
3、一種自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構，利用深槽刻蝕工藝、槽底氧化層刻蝕技術以及多晶硅（polysilicon?簡稱poly）填充技術相互結合的方式將sgt的漏極引到器件的正面。
4、上述自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構的制造方法，具體包括以下步驟：
5、一種自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構，其特征在于：
6、利用深槽刻蝕工藝、槽底氧化層刻蝕技術以及多晶硅填充技術相互結合的方式，將sgt的漏極引到器件的正面。
7、一種如權利要求1所述的自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
8、步驟一：在p型襯底上面注入第一n型注入區作為n型埋層；
9、步驟二：在p型襯底上生長一層第一n型外延層；
10、步驟三：掩膜版介質層淀積，刻蝕漏極電位引出漏極槽和sgt槽；
11、步驟四：槽側壁與底部犧牲氧化后，再淀積第一介質層，利用掩膜版刻蝕掉漏極槽底部的氧化層；
12、步驟五：淀積第一n型poly?，利用化學機械拋光技術和干法刻蝕工藝，研磨和回刻poly?，形成sgt的場板，和漏極槽的引出端；
13、步驟六：利用掩膜版，采用濕法工藝刻蝕掉第一介質層；
14、步驟七：采用熱氧化的方式生長sgt的柵氧；
15、步驟八：淀積第二n型poly?，利用化學機械拋光技術和干法刻蝕工藝，研磨和回刻poly，形成sgt柵極；
16、步驟九：采用離子注入方式，利用掩膜版依次做出第二n型注入區、第一p型注入區、第三n型注入區，做完阱區之后，生長場氧作為器件之間的隔離介質；
17、步驟十：在上述外延層上通過熱氧的方式生長高質量的柵氧，之后在高質量的柵氧上淀積一層多晶，經過刻蝕工藝形成n型金屬氧化半導體和p型金屬氧化半導體的柵極；
18、步驟十一：采用離子注入方式，利用掩膜版依次做出第四n型注入區和第二p型注入區，形成金屬氧化物半導體的漏極和源極接觸，bjt的發射極、基極和集電極接觸；
19、步驟十二：淀積第二層間介質層，刻蝕引線孔，淀積頂層金屬。
20、步驟一所述第一n型注入區，注入的劑量在1e17cm-2~5e18cm-2范圍內，注入的能量在100kev~300kev范圍內。
21、步驟三所述漏極電位引出漏極槽cd是sgt槽cd的1.5~2倍，通過負載效應刻蝕出不同深度的兩種槽，漏極電位引出漏極槽需要貫穿第一n型外延層，連接到第一n型注入區。
22、步驟六所述第一介質層的厚度要根據sgt的耐壓來調整，厚度在0.2~0.25μm范圍內。
23、步驟三中，具體刻蝕方法為，利用掩膜版，將漏極槽底部的氧化層進行干法刻蝕，在漏極槽底部進行槽底注入，注入的劑量在1e15cm-2~1e16?cm-2范圍內，注入的能量在50kev~100kev。
24、步驟五所述第一n型poly的摻雜濃度1e17cm-3~1e18cm-3范圍內。
25、步驟九具體為利用si3n4作為掩膜，接著進行場氧生長，厚度在0.1~0.3μm，作為各器件之間的隔離介質層。
26、本專利技術利用深槽刻蝕工藝、槽底氧化層刻蝕技術以及多晶硅（polysilicon?簡稱poly）填充技術相互結合的方式將sgt的漏極引到器件的正面，實現自保護線路的工藝兼容性，實現了電路模塊與功率模塊高度集成化。
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1.一種自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構，其特征在于：
2.一種如權利要求1所述的自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
3.根據權利要求2所述的自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構的制造方法，其特征在于：
4.根據權利要求3所述的自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構的制造方法，其特征在于：
5.根據權利要求4所述的自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構的制造方法，其特征在于：
6.根據權利要求5所述的自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構的制造方法，其特征在于：
7.根據權利要求6所述的自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構的制造方法，其特征在于：
8.根據權利要求7所述的自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構的制造方法，其特征在于：
【技術特征摘要】
1.一種自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構，其特征在于：
2.一種如權利要求1所述的自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
3.根據權利要求2所述的自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構的制造方法，其特征在于：
4.根據權利要求3所述的自保護屏蔽柵極功率器件漏極正面引出結構的制造方法，其特征在于：
【專利技術屬性】
技術研發人員：王南南，肖曉軍，趙宏美，
申請(專利權)人：龍騰半導體股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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