【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造，特別是涉及一種晶圓表面處理裝置及減薄機。
技術介紹
1、集成電路的制造過程通常分為：硅片制造、前道工藝和后道工藝。后道工藝的主要目的是將生長有電路器件的整張晶圓制作成一個個獨立的成品芯片。后道工藝的制程大致可以分為：背面減薄、晶圓切割、晶圓貼裝、引線鍵合、塑封、激光打印、切筋成型和成品測試等8個主要步驟。晶圓的背面減薄(grinding)指對封裝前的硅晶片或化合物半導體等多種材料進行高精度磨削，使其厚度減少至合適的超薄形態。
2、晶圓背面通過磨削加工實現減薄后，需要對晶圓表面進行處理。晶圓減薄后進行表面處理的目的主要在于三方面，一方面是釋放晶圓應力，降低晶圓翹曲度；二方面是改善晶圓表面親水性；三方面是去除晶圓上的一部分硅粉，降低后續的清洗難度。
3、在對晶圓進行表面處理的過程中，需要利用拋光頭抵壓在晶圓表面上，即拋光頭需要對晶圓施加一定壓力。由于長期受力而導致安裝拋光頭的連接臂容易發生形變，從而導致拋光頭與晶圓之間產生間隙，不能保證對晶圓的表面處理效果，增加了晶圓表面處理裝置的維護成本。
技術實現思路
1、基于此，有必要針對現有技術中由于長期受力而導致安裝拋光頭的連接臂容易發生形變，從而導致拋光頭與晶圓之間產生縫隙，不能保證對晶圓的表面處理效果，增加了晶圓表面處理裝置的維護成本的問題，提供一種改善上述缺陷的晶圓表面處理裝置及減薄機。
2、一種晶圓表面處理裝置，包括：
3、轉盤，繞與預設方向平行的第一軸線可受控
4、處理組件，包括運動件、拋光頭及形變體，所述運動件位于所述轉盤在所述預設方向上的一側，且沿所述轉盤的徑向可受控移動，所述拋光頭活動連接在所述運動件朝向所述轉盤的一側，所述形變體設置在所述運動件上，器可受控地產生形變；
5、其中，所述轉盤朝向所述拋光頭的一側用于裝載晶圓，所述形變體在產生形變時能夠推動所述拋光頭抵壓在所述晶圓上。
6、在其中一個實施例中，所述形變體為氣囊。
7、在其中一個實施例中，所述處理組件還包括第一旋轉軸、第一旋轉驅動機構和第二旋轉軸；
8、所述第一旋轉軸繞與所述預設方向平行的第二軸線可旋轉地連接在所述運動件上，所述第一旋轉驅動機構設置在所述運動件上，并與所述第一旋轉軸驅動連接；所述第二旋轉軸與所述第一旋轉軸同軸設置，并能夠跟隨所述第一旋轉軸同步旋轉，且能夠相對所述第一旋轉軸沿所述第二軸線移動；
9、所述第二旋轉軸朝向所述轉盤的一端與所述拋光頭連接，所述形變體位于所述第二旋轉軸背離所述轉盤的一端，以使所述形變體產生形變時能夠通過所述第二旋轉軸推動所述拋光頭朝向所述晶圓移動。
10、在其中一個實施例中，所述第二旋轉軸貫穿所述第一旋轉軸，且與所述第一旋轉軸鍵連接。
11、在其中一個實施例中，所述第二旋轉軸背離所述轉盤的一端與所述形變體固定連接。
12、在其中一個實施例中，所述第一旋轉驅動機構包括第一旋轉驅動件、第一主動輪、第一從動輪及第一傳動帶；
13、所述第一旋轉驅動件設置在所述運動件上，所述第一主動輪安裝在所述第一旋轉驅動件的輸出軸上，所述第一從動輪安裝在所述第一旋轉軸上，所述第一傳動帶張緊套設在所述第一主動輪與所述第一從動輪之間。
14、在其中一個實施例中，所述處理組件還包括第二噴嘴，所述第二噴嘴設置在所述運動件朝向所述轉盤的一側，用于向所述轉盤上的晶圓噴射清潔液。
15、在其中一個實施例中，所述處理組件還包括第二旋轉驅動件及凸輪機構，所述凸輪機構傳動連接在所述第二旋轉驅動件與所述運動件之間，以將所述第二旋轉驅動件輸出的旋轉運動轉化成所述運動件沿所述轉盤的徑向的直線運動。
16、在其中一個實施例中，所述晶圓表面處理裝置還包括機架，所述凸輪機構包括旋轉板、第一樞轉軸、連接桿及第二樞轉軸；
17、所述運動件沿所述轉盤的徑向可移動地連接在所述機架上，所述第二旋轉驅動件設置在所述機架上，所述旋轉板安裝在所述第二旋轉驅動件的輸出軸上，所述第一樞轉軸偏心安裝在所述旋轉板上，所述第二樞轉軸安裝在所述運動件上，所述連接桿的兩端分別樞轉連接在所述第一樞轉軸和所述第二樞轉軸上。
18、在其中一個實施例中，所述機架上具有相對布設的第一導向板和第二導向板，所述運動件設置在所述第一導向板與所述第二導向板之間，并與所述第一導向板和所述第二導向板滑動配合。
19、一種減薄機，包括磨削裝置及如上任一實施例中所述的晶圓表面處理裝置。
20、上述晶圓表面處理裝置及減薄機，在實際使用時，將晶圓裝載至轉盤朝向拋光頭的一側表面。然后，控制形變體產生形變，產生形變的形變體對拋光頭進行抵推，直至拋光頭與轉盤上的晶圓相互抵壓。此時，控制轉盤繞第一軸線旋轉，控制運動件沿轉盤的徑向移動，使得拋光頭對晶圓表面進行處理。在對晶圓表面進行處理時，由于形變體處于變形狀態，在形變體施加的抵推力的作用下確保拋光頭一直與晶圓保持抵壓，避免出現拋光頭與晶圓之間產生間隙或抵壓力過小的情況，大大提高了對晶圓表面的處理效果，降低了晶圓表面處理裝置的維護成本。
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1.一種晶圓表面處理裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述形變體(33)為氣囊。
3.根據權利要求1所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述處理組件(30)還包括第一旋轉軸(34)、第一旋轉驅動機構和第二旋轉軸(35)；
4.根據權利要求3所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述第二旋轉軸(35)貫穿所述第一旋轉軸(34)，且與所述第一旋轉軸(34)鍵連接。
5.根據權利要求3所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述第二旋轉軸(35)背離所述轉盤(20)的一端與所述形變體(33)固定連接。
6.根據權利要求3所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述第一旋轉驅動機構包括第一旋轉驅動件(361)、第一主動輪(362)、第一從動輪(363)及第一傳動帶(364)；
7.根據權利要求1至6任一項所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述處理組件(30)還包括第二噴嘴(50)，所述第二噴嘴(50)設置在所述運動件(31)朝向所述轉盤(20)的一側，用于向所述轉盤(20)上的晶
8.根據權利要求1至6任一項所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述處理組件(30)還包括第二旋轉驅動件(38)及凸輪機構(39)，所述凸輪機構(39)傳動連接在所述第二旋轉驅動件(38)與所述運動件(31)之間，以將所述第二旋轉驅動件(38)輸出的旋轉運動轉化成所述運動件(31)沿所述轉盤(20)的徑向的直線運動。
9.根據權利要求8所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述晶圓表面處理裝置還包括機架(10)，所述凸輪機構(39)包括旋轉板(391)、第一樞轉軸(392)、連接桿(394)及第二樞轉軸(393)；
10.根據權利要求9所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述機架(10)上具有相對布設的第一導向板(13)和第二導向板(14)，所述運動件(31)設置在所述第一導向板(13)與所述第二導向板(14)之間，并與所述第一導向板(13)和所述第二導向板(14)滑動配合。
11.一種減薄機，其特征在于，包括磨削裝置及如權利要求1至10任一項所述的晶圓表面處理裝置。
...【技術特征摘要】
1.一種晶圓表面處理裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述形變體(33)為氣囊。
3.根據權利要求1所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述處理組件(30)還包括第一旋轉軸(34)、第一旋轉驅動機構和第二旋轉軸(35)；
4.根據權利要求3所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述第二旋轉軸(35)貫穿所述第一旋轉軸(34)，且與所述第一旋轉軸(34)鍵連接。
5.根據權利要求3所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述第二旋轉軸(35)背離所述轉盤(20)的一端與所述形變體(33)固定連接。
6.根據權利要求3所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述第一旋轉驅動機構包括第一旋轉驅動件(361)、第一主動輪(362)、第一從動輪(363)及第一傳動帶(364)；
7.根據權利要求1至6任一項所述的晶圓表面處理裝置，其特征在于，所述處理組件(30)還包括第二噴嘴(50)，所述第二噴嘴(50)設置在所述運動件(31)朝向所述轉盤(20)的一側，用于向所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：吳俊逸，張鵬飛，
申請(專利權)人：吉姆西半導體科技無錫股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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