【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及數(shù)字集成電路，特別涉及一種內(nèi)置dma控制模塊的讀取裝置。
技術(shù)介紹
1、一方面隨著集成電路制造工藝的改進(jìn)以及面向應(yīng)用的系統(tǒng)級芯片的發(fā)展，集成電路設(shè)計(jì)者已經(jīng)可以把越來越多、功能各異的功能模塊集成到同一個芯片上，另一方面，隨著各功能模塊的集成，系統(tǒng)處理的數(shù)據(jù)大小的增加，需要以高頻操作的高性能存儲器件，因此，如何實(shí)現(xiàn)外設(shè)簡單、直接地與存儲器芯片的數(shù)據(jù)交互、如何簡單、直接地實(shí)現(xiàn)存儲器芯片之間的數(shù)據(jù)交互是當(dāng)前待解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本技術(shù)提出一種內(nèi)置dma控制模塊的讀取裝置，能夠加快數(shù)據(jù)的讀寫速度。
2、根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的內(nèi)置dma控制模塊的讀取裝置，包括存儲器、中央處理器、直接存儲器訪問控制模塊、外部設(shè)備、外圍總線以及系統(tǒng)總線，其中，所述直接存儲器訪問控制模塊通過所述系統(tǒng)總線與所述存儲器和所述中央處理器相連；所述外部設(shè)備通過所述外圍總線與所述中央處理器和所述直接存儲器訪問控制模塊相連。
3、根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例，所述直接存儲器訪問控制模塊包括：第一緩沖區(qū)、第二緩沖區(qū)、通道模塊以及寄存器，其中，所述寄存器與所述第一緩沖區(qū)、所述寄存器與所述第二緩沖區(qū)、所述寄存器與所述fifo通道模塊相連；所述第一緩沖區(qū)與所述fifo通道模塊相連；所述第二緩沖區(qū)與所述fifo通道模塊相連。
4、根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例，還包括第一協(xié)助模塊、第二協(xié)助模塊，其中，所述第一協(xié)助模塊通過所述系統(tǒng)總線連接所述存儲
5、根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例，所述第一協(xié)助模塊與所述直接存儲器訪問控制模塊的所述第一緩沖區(qū)、所述第二緩沖區(qū)的至少一個通信相連。
6、根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的內(nèi)置dma控制模塊的讀取裝置，至少具有如下有益效果：
7、基于內(nèi)置dma控制模塊的讀取裝置，通過直接傳輸數(shù)據(jù)的通道，提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)男剩瑫r也降低了cpu的負(fù)載，提供在外部設(shè)備和存儲器之間或者存儲器和存儲器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸。
8、本技術(shù)的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本技術(shù)的實(shí)踐了解到。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種內(nèi)置DMA控制模塊的讀取裝置，其特征在于，包括：存儲器(10)、中央處理器(20)、直接存儲器訪問控制模塊(30)、外部設(shè)備(40)、外圍總線(50)以及系統(tǒng)總線(60)，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)置DMA控制模塊的讀取裝置，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)置DMA控制模塊的讀取裝置，其特征在于，還包括第一協(xié)助模塊(70)、第二協(xié)助模塊(80)，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)置DMA控制模塊的讀取裝置，其特征在于，所述第一協(xié)助模塊(70)與所述直接存儲器訪問控制模塊(30)的所述第一緩沖區(qū)(31)、所述第二緩沖區(qū)(32)的至少一個通信相連。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種內(nèi)置dma控制模塊的讀取裝置，其特征在于，包括：存儲器(10)、中央處理器(20)、直接存儲器訪問控制模塊(30)、外部設(shè)備(40)、外圍總線(50)以及系統(tǒng)總線(60)，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)置dma控制模塊的讀取裝置，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)置...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：顏軍，韓俊，黃仕林，
申請(專利權(quán))人：珠海航宇微科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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