【技術實現步驟摘要】
涉及電力電子。
技術介紹
1、壓電電路可以將電能轉換為機械能，或者將機械能轉換為電能。壓電陶瓷作為壓電負載或壓電制動器的一種，廣泛應用于半導體技術、光電子、通信與集成光學、光學儀器設備、醫療生物顯微設備、生命科學、精密加工設備、新藥設計與醫療技術、數據存儲技術、納米技術、納米制造與納米自動化、航空航天、圖像處理等領域。
2、例如，在半導體行業中，壓電物鏡定位器，可為微納級晶片加工提供高精度的激光切割技術及全自動光學顯微檢測技術；衛星激光通信中，衛星與地面間的光通信中光路對準需要非常高的角度定位精度，壓電偏轉精瞄鏡，可提供納弧度級的光束對準精度，提高衛星激光通信的信息傳輸效率及能力。
3、但是現有技術中，尚未提出一種能夠同時保證低失真、高增益、大電流和大帶寬的驅動電路。
技術實現思路
1、為解決現有技術中存在的，現有技術中，尚未提出一種能夠同時保證低失真、高增益、大電流和大帶寬的驅動電路的技術問題，本專利技術提供的技術方案為：
2、輸入級跨導電路，應用于壓電功率驅動電路，所述輸入級跨導電路包括依次連接的集電極電流源、發射極衰減電阻、輸入級差分對和尾部電流源。
3、進一步，提供一個優選實施方式，所述集電極電流源包括串聯的二極管d1和d2，與所述d1和d2并聯的電阻r1和三極管管q1；所述q1的柵極連接所述d2的負極，q1的發射極連接所述r1。
4、進一步，提供一個優選實施方式，所述發射級衰減電阻包括電阻r3和r4，所述r3和r
5、進一步，提供一個優選實施方式，所述輸入級差分對包括三極管管q2和q3，所述q2和q3的發射極分別練級所述r3和r4。
6、進一步，提供一個優選實施方式，所述尾部電流源包括三極管管q4和q5，所述q4和q5的集電極分別連接至所述q2和q3的集電極，q4和q5的柵極連接至所述q5的集電極；
7、還包括電阻r5和r6，分別連接至所述q4和q5的發射極。
8、基于同一專利技術構思，本專利技術還提供了一種壓電陶瓷驅動電路，所述電路包括：
9、所述的輸入級跨導電路，用于將參考信號的差分電壓輸入轉為電流輸出；
10、電壓放大級電路，用于將所述電流輸出轉為電壓輸出，并提供增益；
11、功率放大級電路，用于根據所述電壓輸出，向負載提供大電流。
12、進一步，提供一個優選實施方式，所述電壓放大級電路包括集電極負載、補償電容、電壓放大級限流器、射極跟隨器和單端共發射極放大器。
13、進一步，提供一個優選實施方式，所述功率放大級電路包括偏置電路、輸出驅動器和輸出極。
14、進一步，提供一個優選實施方式，所述電路的輔助電路包括直流偏移調整電路和保護電路。
15、基于同一專利技術構思，本專利技術還提供了一種壓電陶瓷驅動方法，所述方法是基于所述的驅動電路實現的，包括：
16、將參考信號的差分電壓轉化為電流輸出的步驟；
17、將所述電流輸出轉化為電壓輸出的步驟；
18、根據所述電壓輸出，生成大電流輸出信號的步驟。
19、與現有技術相比，本專利技術提供的技術方案的有益之處在于：
20、本專利技術提供的一種壓電陶瓷驅動電路，采用差分對輸入級電路可以消除vbe電壓產生的交越失真，提高線性度。
21、本專利技術提供的一種壓電陶瓷驅動電路，采用發射級跟隨型電壓放大級可以改善失真影響，提高低頻增益。
22、本專利技術提供的一種壓電陶瓷驅動電路，采用射級跟隨器和源極跟隨器電路結構可以降低失真，提高整個放大器的開環增益。
23、本專利技術提供的一種壓電陶瓷驅動電路，通過調節可變電阻器向反饋點注入一個所需極性的小電流來調整輸入失調電壓。
24、本專利技術提供的一種壓電陶瓷驅動電路，平均電流限制、溫度保護和峰值電流限制可以保護電路免受過流和過熱的損害。
25、本專利技術提供的一種壓電陶瓷驅動電路，輸入級差分對和發射級跟隨型電壓放大級可以提高線性度，減少失真。
26、本專利技術提供的一種壓電陶瓷驅動電路，通過射級跟隨器和源極跟隨器電路結構，可以降低失真，提高放大器的性能。
27、本專利技術提供的一種壓電陶瓷驅動電路，使用的電路結構簡單，可以降低制造成本。
28、本專利技術提供的一種壓電陶瓷驅動電路，通過優化電路結構，可以實現高帶寬的信號放大。
29、本專利技術提供的一種壓電陶瓷驅動電路，可以應用于驅動壓電負載，例如在半導體技術、光電子、通信與集成光學、光學儀器設備、醫療生物顯微設備、生命科學、精密加工設備、新藥設計與醫療技術、數據存儲技術、納米技術、納米制造與納米自動化、航空航天、圖像處理等領域。
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1.輸入級跨導電路，應用于壓電功率驅動電路，其特征在于，所述輸入級跨導電路包括依次連接的集電極電流源、發射極衰減電阻、輸入級差分對和尾部電流源。
2.根據權利要求1所述的輸入級跨導電路，其特征在于，所述集電極電流源包括串聯的二極管D1和D2，與所述D1和D2并聯的電阻R1和三極管管Q1；所述Q1的柵極連接所述D2的負極，Q1的發射極連接所述R1。
3.根據權利要求2所述的輸入級跨導電路，其特征在于，所述發射級衰減電阻包括電阻R3和R4，所述R3和R4的其中一端分別連接至所述Q1的集電極。
4.根據權利要求3所述的輸入級跨導電路，其特征在于，所述輸入級差分對包括三極管管Q2和Q3，所述Q2和Q3的發射極分別練級所述R3和R4。
5.根據權利要求4所述的輸入級跨導電路，其特征在于，所述尾部電流源包括三極管管Q4和Q5，所述Q4和Q5的集電極分別連接至所述Q2和Q3的集電極，Q4和Q5的柵極連接至所述Q5的集電極；
6.一種壓電陶瓷驅動電路，其特征在于，所述電路包括：
7.根據權利要求6所述的一種壓電陶瓷驅動電路，
8.根據權利要求6所述的一種壓電陶瓷驅動電路，其特征在于，所述功率放大級電路包括偏置電路、輸出驅動器和輸出極。
9.根據權利要求6所述的一種壓電陶瓷驅動電路，其特征在于，所述電路的輔助電路包括直流偏移調整電路和保護電路。
10.一種壓電陶瓷驅動方法，其特征在于，所述方法是基于權利要求6所述的驅動電路實現的，包括：
...【技術特征摘要】
1.輸入級跨導電路，應用于壓電功率驅動電路，其特征在于，所述輸入級跨導電路包括依次連接的集電極電流源、發射極衰減電阻、輸入級差分對和尾部電流源。
2.根據權利要求1所述的輸入級跨導電路，其特征在于，所述集電極電流源包括串聯的二極管d1和d2，與所述d1和d2并聯的電阻r1和三極管管q1；所述q1的柵極連接所述d2的負極，q1的發射極連接所述r1。
3.根據權利要求2所述的輸入級跨導電路，其特征在于，所述發射級衰減電阻包括電阻r3和r4，所述r3和r4的其中一端分別連接至所述q1的集電極。
4.根據權利要求3所述的輸入級跨導電路，其特征在于，所述輸入級差分對包括三極管管q2和q3，所述q2和q3的發射極分別練級所述r3和r4。
5.根據權利要求4所述的輸入級跨導電路，其特...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蘇鴻飛，張志鑫，楊明遠，陳峰，張玉環，于磊，賈國東，
申請(專利權)人：哈爾濱芯明天科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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