一種用于橋式功率模塊反偏測試的單電源電路制造技術

本技術公開的用于橋式功率模塊反偏測試的單電源電路，該電路包括：一個高壓電源，負高壓生成電路及開關器件；高壓電源給上橋臂功率模塊施加反偏電壓，開關器件以設定頻率，50％的占空比工作，負高壓生成電路產生穩定的負壓給下橋臂功率模塊施加反偏電壓。采用一個高壓電源，實現上橋臂、下橋臂的反偏，相比雙高壓電源方案，大大節省了成本；實現上下橋臂功率器件的同時進行偏壓測量，節省測試時間。

【技術實現步驟摘要】

本技術屬于測試電路，更具體地，本技術涉及一種用于橋式功率模塊反偏測試的單電源電路。

技術介紹

1、把多個功率器件如金屬-氧化物半導體場效應晶體管mosfet，功率二極管，以及絕緣柵雙極型晶體管igbt(insulated?gate?bipolar?transistor)封裝在一個模塊中，成為功率模塊。其中以橋式結構最為普遍。如兩個單元的功率器件構成上下橋的半橋模塊，四個單元功率器件構成的全橋模塊，以及六個單元功率器件構成的三相全橋模塊等。為了品質控制，在出廠前要進行一定時間的老化試驗。其中一定溫度，濕度條件下的反偏試驗是其中最主要的老化試驗。反偏試驗是在每個功率器件截止的狀態下施加一定的電壓，通過檢測相應功率器件的漏電流來檢測該功率器件的狀態，如果漏電流超過限制，則認為該器件失效，剔除失效器件。現有的上下橋同時老化的方案中，通常采用兩個高壓電源，一個高壓電源用于上橋臂的反偏測試，另一個高壓電源用于下橋臂的反偏試驗，兩個高壓電源的反偏試驗該方案大幅度增加了測試設備的成本。

技術實現思路

1、本技術提供一種用于橋式功率模塊反偏測試的單電源電路，該堤電路通過一個高壓電源即可實現上橋臂、下橋臂的反偏測試。

2、本技術是這樣實現的，一種用于橋式功率模塊反偏測試的單電源電路，所述電路包括：一個高壓電源，負高壓生成電路及開關器件；

3、高壓電源給上橋臂功率模塊施加反偏電壓，開關器件以設定頻率，50％的占空比工作，負高壓生成電路產生穩定的負壓給下橋臂功率模塊施加反偏電壓。</p>

4、進一步的，高壓電源與上橋臂功率模塊并聯連接。

5、進一步的，負高壓生成電路包括：電阻，第一電容、第一二極管、第二二極管及第二電容；

6、其中，上橋臂功率模塊、高壓電源正極通過電阻與第二電容連接，第二電容與第一二極管的陽極連接、第二二極的陰極連接，第一二極管的陰極連接高壓電源的負極及上橋臂功率模塊，第二二極管的陽極連接第一電容及下橋臂功率模塊，第一電容連接高壓電源的負極，第一電容與下橋臂功率模塊并聯連接；開關器件與電阻及第一二極管并聯連接。

7、進一步的，開關器件為三極管或igbt。

8、進一步的，開關器件的集電極連接電阻，發射極連接第一二極管的陰極連接，且接地。

9、本技術提供用于橋式功率模塊反偏測試的單電源電路具有如下有益效果：

10、(1)采用一個高壓電源，實現上橋臂、下橋臂的反偏，相比雙高壓電源方案，大大節省了成本；

11、(2)實現上下橋臂功率器件的同時進行偏壓測量，節省測試時間。

本文檔來自技高網...

【技術保護點】

1.一種用于橋式功率模塊反偏測試的單電源電路，其特征在于，所述電路包括：一個高壓電源，負高壓生成電路及開關器件；

2.如權利要求1所述用于橋式功率模塊反偏測試的單電源電路，其特征在于，開關器件為三極管或IGBT。

3.如權利要求2所述用于橋式功率模塊反偏測試的單電源電路，其特征在于，開關器件的集電極連接電阻，發射極連接第一二極管的陰極連接，且接地。

4.如權利要求3所述用于橋式功率模塊反偏測試的單電源電路，其特征在于，開關器件為MOSFET。

【技術特征摘要】

1.一種用于橋式功率模塊反偏測試的單電源電路，其特征在于，所述電路包括：一個高壓電源，負高壓生成電路及開關器件；

2.如權利要求1所述用于橋式功率模塊反偏測試的單電源電路，其特征在于，開關器件為三極管或igbt。

3....

【專利技術屬性】
技術研發人員：李冬黎，倪煒江，李倩，
申請(專利權)人：安徽芯塔電子科技有限公司，
類型：新型
國別省市：