橫向ＰＮＰ型三極管制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種橫向ＰＮＰ型三極管，包括：基區(qū)，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)，發(fā)射區(qū)的橫截面為圓形，集電區(qū)的橫截面為圓環(huán)形。基區(qū)為ＣＭＯＳ的Ｎ阱區(qū)，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)通過在Ｎ阱區(qū)表面注入Ｐ型離子形成。發(fā)射區(qū)注入的Ｐ型離子濃度范圍為５ｅ１９～１ｅ２０ｃｍ－３集電區(qū)Ｐ型離子濃度范圍為１ｅ１８～２ｅ１８ｃｍ－３。集電區(qū)的縱向深度范圍為２μｍ～５μｍ。本發(fā)明專利技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：可以更有效的收集從發(fā)射極而來的空穴，從而能夠方便的通過增加收集區(qū)的深度提高器件的電流增益。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體器件，具體涉及一種橫向PNP型三極管。
技術(shù)介紹
目前常見的PNP型三極管常制作成橫向的，其結(jié)構(gòu)俯視圖如圖1所示，剖面如圖2 所示。PNP型三極管包含P型集電區(qū)2， N型基區(qū)1和P型發(fā)射區(qū)4。 P型集電區(qū)2通過集 電極引出，P型發(fā)射區(qū)4通過發(fā)射極弓I出，N型基區(qū)1通過基極3引出，基極3和集電區(qū)2之 間有淺溝槽隔離(STI)區(qū)5。 如圖l，傳統(tǒng)的橫向PNP三極管通常采用長方形的發(fā)射區(qū)和集電區(qū)結(jié)構(gòu)，以CMOS的 N阱作為器件基區(qū)，通過p+的離子注入形成器件發(fā)射區(qū)和收集區(qū)，這種器件的優(yōu)點(diǎn)是它是 在CM0S的制備過程中利用CMOS的注入得到，不需要額外光罩。但是，這種三極管的電流增 益較低，不能滿足現(xiàn)有電路設(shè)計(jì)的要求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題是提供一種電流增益較高的橫向PNP型三極管。 為了解決以上技術(shù)問題，本專利技術(shù)提供了一種橫向PNP型三極管，包括基區(qū)，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)，所述發(fā)射區(qū)的橫截面為圓形，所述集電區(qū)的橫截面為圓環(huán)形。 優(yōu)選地，所述基區(qū)為CMOS的N阱區(qū)，所述的集電區(qū)和發(fā)射區(qū)通過在所述N阱區(qū)表面注入P型離子形成。 進(jìn)一步地，所述集電區(qū)注入的P型離子濃度范圍為5el9 le20cm—3，所述發(fā)射區(qū)注入的P型離子濃度范圍為lel8 2el8cm—3。 優(yōu)選地，所述集電區(qū)的縱向深度范圍為2um 5um。 本專利技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)可以更有效的收集從發(fā)射極而來的空穴，從而能夠方便的 通過增加收集區(qū)的深度提高器件的電流增益。附圖說明 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本專利技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)說明。 圖1是現(xiàn)有PNP型三極管的俯視圖； 圖2是現(xiàn)有PNP型三極管的剖面圖； 圖3是本專利技術(shù)的PNP型三極管的俯視圖； 圖4是本專利技術(shù)的PNP型三極管的剖面圖； 圖5是本專利技術(shù)的PNP型三極管收集區(qū)深度與電流增益、擊穿電壓的關(guān)系曲線圖。 圖中的附圖標(biāo)記為1、基區(qū)；2、集電區(qū)；3、基極；4、發(fā)射區(qū)；5、淺溝槽隔離區(qū)。 具體實(shí)施例方式本專利技術(shù)的PNP型三極管俯視圖如圖3所示，剖面如圖4所示，包含基區(qū)1，集電區(qū)2和發(fā)射區(qū)3，基區(qū)1為CM0S的N阱區(qū)，集電區(qū)2和發(fā)射區(qū)3通過在N阱區(qū)表面注入P型離子 形成，集電區(qū)注入的P型離子濃度范圍為5el9 le20cm—3，發(fā)射區(qū)注入的P型離子濃度范圍 為lel8 2el8cm—3。與現(xiàn)有技術(shù)不同的地方是本專利技術(shù)所注入的發(fā)射區(qū)4的橫截面為圓形， 集電區(qū)2的橫截面為圓環(huán)形，這種形狀可以更有效的收集從發(fā)射極而來的空穴。 如圖5所示，我們用單獨(dú)的收集區(qū)(即集電區(qū))2注入研究發(fā)現(xiàn)，本專利技術(shù)的PNP型 三極管結(jié)構(gòu)，通過增加收集區(qū)2的深度可以進(jìn)一步提高器件的電流增益，而且與傳統(tǒng)設(shè)計(jì) 不同的是這種電流增益的提高不必以損失擊穿電壓為代價(jià)。本專利技術(shù)集電區(qū)的縱向深度范圍 為2um 5um。權(quán)利要求一種橫向PNP型三極管，其特征在于，包括基區(qū)，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)，所述發(fā)射區(qū)的橫截面為圓形，所述集電區(qū)的橫截面為圓環(huán)形。2. 如權(quán)利要求1所述的橫向PNP型三極管，其特征在于，所述基區(qū)為CMOS的N阱區(qū)，所 述的集電區(qū)和發(fā)射區(qū)通過在所述N阱區(qū)表面注入P型離子形成。3. 如權(quán)利要求2所述的橫向PNP型三極管，其特征在于，所述集電區(qū)注入的P型離子濃 度范圍為5el9 le20cm—3，所述發(fā)射區(qū)注入的P型離子濃度范圍為lel8 2el8cm—3。4. 如權(quán)利要求l所述的橫向PNP型三極管，其特征在于，所述集電區(qū)的縱向深度范圍為 2um 5um。全文摘要本專利技術(shù)公開了一種橫向PNP型三極管，包括基區(qū)，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)，發(fā)射區(qū)的橫截面為圓形，集電區(qū)的橫截面為圓環(huán)形。基區(qū)為CMOS的N阱區(qū)，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)通過在N阱區(qū)表面注入P型離子形成。發(fā)射區(qū)注入的P型離子濃度范圍為5e19～1e20cm-3集電區(qū)P型離子濃度范圍為1e18～2e18cm-3。集電區(qū)的縱向深度范圍為2μm～5μm。本專利技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)可以更有效的收集從發(fā)射極而來的空穴，從而能夠方便的通過增加收集區(qū)的深度提高器件的電流增益。文檔編號(hào)H01L29/735GK101707206SQ200910199439公開日2010年5月12日 申請(qǐng)日期2009年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月26日專利技術(shù)者吳小利, 許丹 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種橫向ＰＮＰ型三極管，其特征在于，包括：基區(qū)，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)，所述發(fā)射區(qū)的橫截面為圓形，所述集電區(qū)的橫截面為圓環(huán)形。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吳小利，許丹，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：31[中國|上海]