【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種存儲器件及其制備方法。
技術介紹
1、二維(two?dimensional，2d)存儲器件在電子裝置中普遍存在，并且可包括例如或非(nor)閃速存儲陣列、與非(nand)閃速存儲陣列、動態隨機存取存儲器(dynamic?random-access?memory，dram)陣列等。然而，2d存儲陣列已經接近縮放極限，存儲密度無法進一步提高；且用于將層疊的多個存儲單元中的每一溝道部引出存儲陣列表面的溝道連接柱在存儲陣列表面所占用的區域面積較大，工藝難度較大，成本較高。
技術實現思路
1、本申請提供的存儲器件及其制備方法，旨在解決現有2d存儲陣列的存儲密度無法進一步提高，且用于將層疊的多個存儲單元中的每一溝道部引出存儲陣列表面的溝道連接柱在存儲陣列表面所占用的區域面積較大，工藝難度較大，成本較高的問題。
2、為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種存儲器件，該存儲器件包括：襯底及至少一存儲陣列；至少一存儲陣列設置于所述襯底上，且每一所述存儲陣列包括沿高度方向依次層疊的多個存儲子陣列層，每個所述存儲子陣列層包括沿所述高度方向層疊的漏區半導體層、溝道半導體層和源區半導體層；每個所述存儲子陣列層中的所述漏區半導體層、溝道半導體層和源區半導體層分別包括沿行方向分布的多條漏區半導體條、溝道半導體條和源區半導體條，每條所述漏區半導體條、溝道半導體條和源區半導體條分別沿列方向延伸；多層所述存儲子陣列層中的一列所述漏區半導體條、溝道半導體條和
3、在一些實施例中，所述溝道連接結構包括多個溝道連接柱；其中，每列所述半導體條狀結構的至少一側設置有對應的所述溝道連接柱；所述溝道連接柱分別沿所述高度方向延伸，且所述溝道連接柱至少有部分與相鄰的所述半導體條狀結構中的每一所述溝道半導體條接觸，與每一所述漏區半導體條和每一所述源區半導體條絕緣設置；和/或
4、所述溝道連接結構包括溝道連接墻；其中，所述溝道連接墻沿所述高度方向和所述行方向延伸，且所述溝道連接墻與每列所述半導體條狀結構中的每個所述溝道半導體條接觸，與每個所述漏區半導體條和每個所述源區半導體條絕緣設置。
5、在一些實施例中，每列所述半導體條狀結構的兩側分別設置有對應的所述溝道連接柱，且相鄰兩列所述半導體條狀結構共享同一所述溝道連接柱。
6、在一些實施例中，每一所述溝道連接柱分別與所述溝道連接墻連接，以通過所述溝道連接墻將所述多個溝道連接柱連接在一起。
7、在一些實施例中，沿所述列方向，所述半導體條狀結構的端部兩側分別設置對應的所述溝道連接柱，且所述溝道連接柱沿所述列方向延伸至所述半導體條狀結構的端部邊緣位置處；所述溝道連接墻設置在所述半導體條狀結構的端部邊緣位置處，并沿所述高度方向和所述行方向延伸，且與多個所述溝道連接柱接觸，從而將所述多個溝道連接柱連接在一起。
8、在一些實施例中，所述溝道連接柱與所述溝道連接墻一體成型。
9、在一些實施例中，奇數列所述半導體條狀結構的同一側分別設置有對應的所述溝道連接柱；或者
10、偶數列所述半導體條狀結構的同一側分別設置有對應的所述溝道連接柱。
11、在一些實施例中，所述溝道連接結構的材質包括多晶硅；
12、每一所述存儲陣列還包括：
13、連接層，設置于所述溝道連接結構背離所述襯底的一側表面；且所述連接層的導電性能優于所述溝道連接結構的導電性能。
14、在一些實施例中，所述連接層的材質包括金屬硅化物。
15、在一些實施例中，每列所述半導體條狀結構中的每一所述漏區半導體條和所述源區半導體條與相鄰的所述溝道連接結構間隔設置；且所述漏區半導體條和所述源區半導體條與相鄰的所述溝道連接結構之間填充有第一絕緣物質，通過該第一絕緣物質實現絕緣。
16、在一些實施例中，所述存儲陣列的數量為多個；每個所述存儲陣列中的所述溝道連接結構位于所述存儲陣列的端部邊緣位置處，且相鄰兩個所述存儲陣列之間填充有第二絕緣物質，以隔離相鄰兩個所述存儲陣列中的溝道連接結構。
17、為解決上述技術問題，本申請采用的另一個技術方案是：提供一種存儲器件的制備方法。該方法包括：提供一半導體基材；所述半導體基材包括襯底和設置于所述襯底上且沿高度方向依次層疊的多個存儲子陣列層，每個所述存儲子陣列層包括沿所述高度方向層疊的漏區半導體層、溝道半導體層和源區半導體層；每個所述存儲子陣列層中的所述漏區半導體層、溝道半導體層和源區半導體層分別包括沿行方向分布的多條漏區半導體條、溝道半導體條和源區半導體條；每條所述漏區半導體條、溝道半導體條和源區半導體條分別沿列方向延伸；多層所述存儲子陣列層中的一列所述漏區半導體條、溝道半導體條和源區半導體條定義為一列半導體條狀結構；在所述半導體基材上開設連接孔洞；通過所述連接孔洞形成溝道連接結構；所述溝道連接結構沿所述高度方向延伸，且所述溝道連接結構與每列所述半導體條狀結構中的每個所述溝道半導體條接觸，與每個所述漏區半導體條和每個所述源區半導體條絕緣設置。
18、在一些實施例中，所述連接孔洞包括多個第一類型連接孔洞，所述第一類型連接孔洞沿所述高度方向延伸至所述襯底，且每一所述第一類型連接孔洞暴露出相鄰的所述半導體條狀結構中的每一所述漏區半導體條、溝道半導體條和源區半導體條的部分，用于形成多個溝道連接柱；其中，每列所述半導體條狀結構的至少一側設置有對應的所述溝道連接柱；所述溝道連接柱分別沿所述高度方向延伸，且所述溝道連接柱至少有部分與相鄰的所述半導體條狀結構中的每一所述溝道半導體條接觸，與每一所述漏區半導體條和每一所述源區半導體條非接觸；和/或；
19、所述連接孔洞包括第二類型連接孔洞，所述第二類型連接孔洞沿所述高度方向和所述行方向延伸至所述襯底，并用于形成每一所述存儲陣列的溝道連接墻，且每一所述第二類型連接孔洞暴露出相鄰的所述存儲陣列中的每一所述漏區半導體條、溝道半導體條和源區半導體條的端部邊緣位置；其中，所述溝道連接墻沿所述高度方向和所述行方向延伸，且所述溝道連接墻與每列所述半導體條狀結構中的每個所述溝道半導體條接觸，與每個所述漏區半導體條和每個所述源區半導體條絕緣設置。
20、在一些實施例中，所述通過所述連接孔洞形成溝道連接結構的步驟，包括：
21、去除每一所述第一類型連接孔洞和/或所述第二類型連接孔洞暴露出的所述漏區半導體條的部分和所述源區半導體條的部分，以形成隔離凹槽；
22、在所述隔離凹槽中填充第一絕緣物質，以覆蓋露出的所述漏區半導體條和所述源區半導體條；
23、在所述第一類型連接孔洞和/或所述第二類型連接孔洞內填充第一本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種存儲器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，
3.根據權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，
4.根據權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，
5.根據權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，
6.根據權利要求4所述的存儲器件，其特征在于，
7.根據權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，
8.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述溝道連接結構的材質包括多晶硅；
9.根據權利要求8所述的存儲器件，其特征在于，
10.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，
11.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，
12.一種存儲器件的制備方法，其特征在于，包括：
13.根據權利要求12所述的存儲器件的制備方法，其特征在于，
14.根據權利要求13所述的存儲器件的制備方法，其特征在于，
15.根據權利要求14所述的存儲器件的制備方法，其特征在于，所述在所述第二類型連接孔洞內填充所述
16.根據權利要求15所述的存儲器件的制備方法，其特征在于，
17.根據權利要求14-16任一項所述的存儲器件的制備方法，其特征在于，所述第一導電介質包括多晶硅；
18.根據權利要求13所述的存儲器件的制備方法，其特征在于，所述多個第一類型連接孔洞和所述第二類型連接孔洞同步形成，并填充第一導電材料以同時形成所述溝道連接柱和所述溝道連接墻。
...【技術特征摘要】
1.一種存儲器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，
3.根據權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，
4.根據權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，
5.根據權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，
6.根據權利要求4所述的存儲器件，其特征在于，
7.根據權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，
8.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述溝道連接結構的材質包括多晶硅；
9.根據權利要求8所述的存儲器件，其特征在于，
10.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，
11.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，
12.一種存儲...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曹開瑋，
申請(專利權)人：武漢新芯集成電路制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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