【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及單晶，尤其是涉及一種單晶爐堝升控制方法。
技術介紹
1、隨著太陽能電池種類不斷增多、應用范圍日益廣闊、市場規模也逐步擴大，其中硅基電池因其轉化效率穩定而占主要市場。單晶硅棒是制造硅基電池的重要材料。目前行業內采用直拉法生產單晶硅棒的過程分為抽空、檢漏、加熱、復投、調溫、熔接、引晶、放肩、等徑、收尾、取段、停爐等工序，其中，等徑工序是拉制單晶硅棒最主要的階段，單晶硅棒直徑的波動對單晶產能和品質會產生較大影響。
2、目前等徑階段的堝升速度是根據實際拉速的波動而發生波動的，當實際拉速波動大時，堝升波動也增大，導致晶棒直徑控制精度不高，從而對單晶產能和品質會產生不利影響。
3、堝升即石英坩堝的上升動作；隨著晶體長度的增加，石英坩堝中的熔硅會不斷減少，導致液面位置逐漸下降。為了保持液面處于熱場中合適的成晶區域內，需要通過調整坩堝的上升速度（即堝升速度）來補償液面下降。
技術實現思路
1、針對上述情況，本專利技術提供一種單晶爐堝升控制方法，旨在解決目前等徑階段的堝升速度是根據實際拉速的波動而發生波動的，當實際拉速波動大時，堝升波動也增大，導致晶棒直徑控制精度不高，從而對單晶產能和品質會產生不利影響的技術問題。
2、為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：
3、本專利技術提供一種單晶爐堝升控制方法，包括：
4、步驟s1、采用分段定堝升的方式，使實際液位上升到目標液位附近；分段定堝升是指在不同等徑長度范圍內分別采用相應的
5、步驟s2、采用補償堝升的方式，使實際液位等于目標液位；
6、步驟s3、采用固定堝升結合補償堝升的方式，使實際液位保持在該目標液位；固定堝升指在指定等徑長度范圍內采用固定的堝升速度；固定堝升對應的等徑長度大于分段定堝升對應的等徑長度。
7、在本專利技術的一些實施例中，在步驟s1中，分段定堝升時的堝升速度按下式計算：
8、?；
9、式中：為石英坩堝內徑；為單晶硅棒直徑；為固態硅密度和液態硅密度的比值；sl為在某等徑長度范圍內的平均設定拉速；是經驗系數。
10、在本專利技術的一些實施例中，取1.3
11、在本專利技術的一些實施例中，在步驟s2中，補償堝升時的堝升速度按下式計算：
12、?；
13、式中：為實際液位；為目標液位；p為比例系數，i是積分系數，p、i按經驗取值；表示一定時間t內實際液位和目標液位的累計偏差。
14、在本專利技術的一些實施例中，補償堝升的堝升速度計算方式與步驟s2相同。
15、在本專利技術的一些實施例中，在步驟s3中，固定堝升時的堝升速度按下式計算：
16、?；
17、式中：為石英坩堝內徑；為單晶硅棒直徑；為固態硅密度和液態硅密度的比值；是第二指定等徑長度范圍內的平均設定拉速。
18、在本專利技術的一些實施例中，在步驟s1中，采用分段定堝升的方式，使實際液位上升到目標液位附近，包括：
19、采用分段定堝升的方式，使目標液位與實際液位之差大于1mm。
20、在本專利技術的一些實施例中，在步驟s3中，采用固定堝升結合補償堝升的方式，使實際液位保持在該目標液位，包括：
21、采用固定堝升結合補償堝升的方式，使目標液位與實際液位之差小于1mm而大于或等于0。
22、本專利技術實施例至少具有如下優點或有益效果：
23、利用單晶爐等徑階段特性，階段1分段定堝升把實際液位上升到目標液位附近，階段2采用補償堝升的方式使實際液位與目標液位一致，階段3用定堝升加上補償堝升的方式使實際液位保持在目標液位，從而減少實際拉速的波動，提高單晶硅棒的直徑控制精度和提高單晶硅棒的品質。
24、本專利技術的其他特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得明顯，或者通過實施本專利技術而了解。
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1.一種單晶爐堝升控制方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的單晶爐堝升控制方法，其特征在于，在步驟S1中，分段定堝升時的堝升速度按下式計算：
3.根據權利要求2所述的單晶爐堝升控制方法，其特征在于，取1.3。
4.根據權利要求1所述的單晶爐堝升控制方法，其特征在于，在步驟S2中，補償堝升時的堝升速度按下式計算：
5.根據權利要求4所述的單晶爐堝升控制方法，其特征在于，在步驟S3中，補償堝升的堝升速度計算方式與步驟S2相同。
6.根據權利要求1所述的單晶爐堝升控制方法，其特征在于，在步驟S3中，固定堝升時的堝升速度按下式計算：
7.根據權利要求1所述的單晶爐堝升控制方法，其特征在于，在步驟S1中，采用分段定堝升的方式，使實際液位上升到目標液位附近，包括：
8.根據權利要求1所述的單晶爐堝升控制方法，其特征在于，在步驟S3中，采用固定堝升結合補償堝升的方式，使實際液位保持在該目標液位，包括：
【技術特征摘要】
1.一種單晶爐堝升控制方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的單晶爐堝升控制方法，其特征在于，在步驟s1中，分段定堝升時的堝升速度按下式計算：
3.根據權利要求2所述的單晶爐堝升控制方法，其特征在于，取1.3。
4.根據權利要求1所述的單晶爐堝升控制方法，其特征在于，在步驟s2中，補償堝升時的堝升速度按下式計算：
5.根據權利要求4所述的單晶爐堝升控制方法，其特征在于，在步驟s3中，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉要普，羅玉梅，吳劍琴，袁夢，羅才軍，馬自成，
申請(專利權)人：四川永祥光伏科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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