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    一種絕緣子專用清潔劑及其制備方法技術

    技術編號:4184408 閱讀:255 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
    本發明專利技術提供一種絕緣子專用清潔劑,包含以下質量百分比的組成成分:聚乙二醇辛基苯醚1~20%,壬基酚聚氧乙烯醚1~20%,二氯甲烷1~3%,C↓[5]H↓[2]F↓[10]?。怠玻埃?,C↓[3]HCl↓[2]F↓[5]10~30%,C↓[2]Cl↓[3]H↓[3] 5~15%。本發明專利技術還提供該絕緣子專用清潔劑的制備方法,包括以下步驟:將上述各組分按比例裝入密閉容器,在溫度為20~30℃,常壓下反應1小時。本清潔劑無環境污染,腐蝕性低,物理分解能力強,使用安全可靠,可迅速、徹底清除各種絕緣子及深層的塵土、油污、碳漬、鹽分、潮氣、金屬塵埃及各種帶電粒子,有效消除“軟性故障”,保證設備的最佳工作狀態,降低維護成本。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及一種清潔劑,具體地說,本專利技術涉及一種絕緣子專用清潔劑。
    技術介紹
    由J、程控交換機、移動通訊設備、微波通訊設備、無線尋呼設備、電腦系統、白動化控制設各、影視設備、廣電設備、遙控、遙感、遙測設備、高精密儀器、家用電器等設備在運行過程中,時刻受到污穢及靜屯的侵害,形成屯路(板)漏電,屯化學腐蝕, 靜電放屯引起的元器件擊穿會造成元器件介質硬,—l;-穿、燒毀或永久性失效,軟擊穿則會造成器件性能劣化或參數指標卜降。電力設備事故的報木原閃是由于絕緣-f、母排、端了-、幵關、互感器、刀間、接 觸器、繼電器、觸頭等表面沉枳了污穢物質,使絕緣性降低,泄露!ii流增大,造成短 路、電弧、散熱不良及W絡事故。由于污W跳閘后的歪合成功率很低,絕緣子的污閃 容易大面積發展,造成K時間的惡性停電事故,??鄻O大。傳統的電f電力設備維護技術方法冇-1、 事后搶修,即更換硬件;2、 停機丁作后采用皮老虎、吹風機吹走表面浮塵,用刷子刷十.,或用揮發性、易 燃溶劑(如酒精、汽油、四氯化碳)進行擦洗。fl足,使用這些方法對T深層及細小罅隙的灰塵、油污、碳漬等有害物質很難消 洗干凈,且危害性大,并且受到時間和空間的限制。與傳統方法相比,采用精密電路的帶屯清洗維護技術,可以迅速、徹底清除各種 精密設備電路表向-及深層的灰塵、油污、炭漬、鹽份、潮1、金屬塵埃及各種帶屯粒 ./-,有效消除"軟性故障",避免造成設備電路短路、電弧、散熱不良,影響信號的準確性和穩定性,保證設備最佳工作狀態和穩定運行,防止:歪大惡性事故發生。 但是,現在市場上使用的帶電清洗劑通常均偏酸性或堿性,揮發快,其動態絕緣值偏低,易造成閃絡。因此,本專利技術的目的在于提供一種中性、去污力強、腐蝕性低的絕緣子專用清潔劑。
    技術實現思路
    本專利技術提供一種絕緣子專用清潔劑,包含以下質量百分比的組成成分聚乙二醇辛基苯醚1 20%,壬基酚聚氧乙烯醚1 20%, 二氯甲烷1 3%, C5H2F10 5 20%, C3HC12F510 30%, C2C13H3 5 15%。所述聚乙二醇辛基苯醚含量優選1 5%,所述壬基酚聚氧乙烯醚含量優選5 10%。 所述清潔劑還包括選自以下組分的一種或多種低級烷烴、具有碳原子數為1 4的烷基取代基的低級烷烴、低級醇類、低級烯烴。所述低級烷烴包括庚垸0 1%、己垸0 1%、辛垸0 1%。所述具有碳原子數為1 4的垸基取代基的低級烷烴包括甲基戊烷0 1%、甲基己 烷0 1%、 二甲基己烷0 1%、甲基庚烷0 1%、甲基環己烷0 1%、乙基戊烷0 1%、 二甲基環戊垸0 1%、四甲基丁垸0 1%、甲基乙基己烷0 1%、三甲基戊垸0 1%。所述低級醇類包括乙醇0 1%。所述低級烯烴包括乙烯0 1%。所述清潔劑的PH值為6. 8 7. 2。本專利技術還提供所述絕緣子專用清潔劑的制備方法,包括以下步驟將上述各組分 按比例裝入密閉容器,在溫度為20 30。C,常壓下反應l小時。本專利技術的有益效果為本清潔劑無環境污染,腐蝕性低,物理分解能力強,使用安全可靠,可迅速、徹 底清除各種絕緣子及深層的塵土、油污、碳漬、鹽分、潮氣、金屬塵埃及各種帶電粒 子,有效消除"軟性故障",保證設備的最佳工作狀態,降低維護成本,已被成功用于 潔神JS-169D絕緣子專用清潔劑中。具體實施例方式以下用實施例對本專利技術作更詳細的描述。這些實施例僅僅是對本專利技術最佳實施方 式的描述,并不對本專利技術的范圍有任何限制。實施例1:聚乙二醇辛基苯醚lkg,壬基酚聚氧乙烯醚5kg,二氯甲烷lkg,C5H2Fn)5kg,C3HCl2F5410kg, C2C13H3 5kg。將上述原料裝入密閉容器,在溫度25'C,常壓下反應l小時,制得精密電路清潔劑。實施例2:聚乙二醇辛基苯醚20kg,壬基酚聚氧乙烯醚20kg, 二氯甲垸3kg, C5H2Fuj20kg, C3HC12F5 20kg, C2C13H3 15kg。 制備方法同實施例1。實施例3:聚乙二醇辛基苯醚15kg,壬基酚聚氧乙烯醚10kg, 二氯甲烷2kg, C5H2Fu)10kg, C3HC12F5 30kg, C2C13H3 10kg,甲基戊烷0. 5kg,甲基戊垸0. 5kg,乙醇0. 5kg,乙基 戊烷0.5kg、庚烷O. 5kg。制備方法同實施例1。實施例4:聚乙二醇辛基苯醚18kg,壬基酚聚氧乙烯醚14kg, 二氯甲烷3kg, C^Fu)18kg, C3HC12F5 25kg, C2C13H3 12kg,甲基己垸0. 5kg,己烷0. 5kg,甲基庚垸lkg, 二甲基 環戊烷0.5kg,甲基乙基己垸0.5kg,三甲基戊垸lkg。制備方法同實施例1。實施例5:聚乙二醇辛基苯醚12kg,壬基酚聚氧乙烯醚10kg, 二氯甲垸2kg, C5H2F1() 20kg, C3HC12F5 28kg, C2C13H3 10kg, 二甲基己垸lkg,甲基戊垸0. 5kg、乙烯lkg、四甲基 丁烷0.5kg,辛垸lkg。制備方法同實施例l。本清潔劑無環境污染,腐蝕性低,物理分解能力強,使用安全可靠,可迅速、徹 底清除各種絕緣子及深層的塵土、油污、碳漬、鹽分、潮氣、金屬塵埃及各種帶電粒 子,有效消除"軟性故障",保證設備的最佳工作狀態,降低維護成本,已被成功用 于潔神JS-169D絕緣子專用清潔劑中。權利要求1、一種清潔劑,其特征在于,包含以下質量百分比的組成成分聚乙二醇辛基苯醚1~20%,壬基酚聚氧乙烯醚1~20%,二氯甲烷1~3%,C5H2F10 5~20%,C3HCl2F5 10~30%,C2Cl3H3 5~15%。2、 如權利要求1所述的保潔劑,其特征在于,所述聚乙二醇辛基苯醚含量為l 5%,所述壬基酚聚氧乙烯醚含量為5 10%。3、 如權利要求1所述的清潔劑,其特征在于,還包括選自以下組分的一種或多種 低級烷烴、具有碳原子數為1 4的垸基取代基的低級垸烴、低級醇類、低級烯烴。4、 如權利要求1所述的清潔劑,其特征在于,所述低級烷烴包括庚垸0 1%、己 烷0 1%、辛烷0 1%。5、 如權利要求1所述的清潔劑,其特征在于,所述具有碳原子數為1 4的垸基 取代基的低級烷烴包括甲基戊垸0 1%、甲基己垸0 1%、 二甲基己垸0 1%、甲基庚 烷0 1%、甲基環己烷0 1%、乙基戊垸0 1%、 二甲基環戊垸0 1%、四甲基丁烷0 1%、甲基乙基己烷0 1%、三甲基戊烷0 1%。6、 如權利要求1所述的清潔劑,其特征在于,所述低級醇類包括乙醇0 1%。7、 如權利要求l所述的清潔劑,其特征在于,所述低級烯烴包括乙烯0 1%。8、 如權利要求1所述的清潔劑,其特征在于,所述清潔劑的PH值為6. 8 7. 2。9、 權利要求1所述清潔劑的制備方法,該清潔劑包含以下質量百分比的組成成分: 聚乙二醇辛基苯醚1 20%,壬基酚聚氧乙烯醚1 20%, 二氯甲垸1 3%, C5H2F1Q 5 20%, C3HC12F5 10 30%, C2C13H3 5 15%,所述制備方法包括以下步驟將上述各組分 按比例裝入密閉容器,在溫度為20 30。C,常壓下反應l小時。全文摘要本專利技術提供一種絕緣子專用清潔劑,包含以下質量百分比的組成成分聚乙二醇辛基苯醚1~20%,壬基酚聚氧乙烯本文檔來自技高網
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    【技術保護點】
    一種清潔劑,其特征在于,包含以下質量百分比的組成成分:聚乙二醇辛基苯醚1~20%,壬基酚聚氧乙烯醚1~20%,二氯甲烷1~3%,C↓[5]H↓[2]F↓[10]?。怠玻埃?,C↓[3]HCl↓[2]F↓[5]?。保啊常埃?,C↓[2]Cl↓[3]H↓[3]?。怠保担ァ?

    【技術特征摘要】

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:張思平
    申請(專利權)人:張思平,
    類型:發明
    國別省市:31[中國|上海]

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