【技術實現步驟摘要】
本申請實施例涉及半導體設計制造，特別是涉及一種存儲陣列及制備方法、存儲器及電子設備。
技術介紹
1、現有技術中，三維存儲陣列采用平板堆疊集成方案能夠有效降低工藝難度，提高存儲密度。平板堆疊方案中，每一層平板通過臺階結構引出接觸孔，再通過金屬走線連接到前道的平板驅動電路。
2、圖5為現有技術提供的一種疊層結構的結構示意圖。如圖5所示，該疊層結構01包括沿z軸依次設置的多個疊層011、布線層012。
3、其中，多個疊層011包括交替設置的多個絕緣層和多個導電層。
4、疊層結構01包括：沿第二方向設置的存儲區域013和臺階結構014。
5、臺階結構014包括多個臺階015，每個臺階015包括沿y方向延伸的臺階，其中，每個臺階的臺階面均為裸露的導電層，該臺階015通過電連接件016和布線層012連接。
6、布線層012包括：多個連接線0121，該連接線0121與臺階015一一相對，每個臺階015通過多個電連接件016和一個連接線0121連接。
7、然而，隨著多個疊層011層數的增加，臺階結構014占據面積顯著增大，限制存儲密度的提升。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種存儲陣列及制備方法、存儲器及電子設備，解決了疊層結構存儲密度低的問題。
2、為達到上述目的，本申請實施例采用如下技術方案：
3、本申請實施例的第一方面，提供一種存儲陣列，包括：襯底，以及設置在所述襯底上的多個疊層結構；每個該疊
4、一種可選的實現方式中，沿第二方向排列的相鄰兩個第一臺階組在該第二布線層上的投影呈軸對稱排布。由此，相鄰的多個臺階組的臺階兩兩相對，走線更方便。
5、一種可選的實現方式中，該疊層結構還包括：與該存儲區域對應的第二臺階區域，該第二臺階區域位于該存儲區域遠離該第一臺階區域的一側；該第二臺階區域包括沿該第二方向排列的多個第二臺階組，每個該第二臺階組包括多個臺階，每個該臺階的方向沿該第二方向延伸。由此，在存儲區域的另一側設置第二臺階區域，可以進一步增加臺階組的數量，進一步增加了相同高度的臺階的數量，在不增加額外成本的條件下有效縮減了臺階結構的占用面積，有利于存儲陣列的結構小型化設計和存儲高密度設計。
6、一種可選的實現方式中，該疊層結構包括沿第三方向層疊設置的多個疊層；該第三方向垂直于該襯底，多個該臺階組包括：第一類臺階組和第二類臺階組，該疊層結構中的部分疊層和該第一類臺階組連接，該疊層結構中的另一部分疊層和該第二類臺階組連接，該第一類臺階組的高度和該第二類臺階組的高度不同。由此，通過設置多個高度的臺階組，與只有一個高度的臺階組相比，在不增加額外成本的條件下有效縮減了臺階結構的占用面積，便于增大核心區的面積，利于三維存儲陣列的結構小型化設計和存儲高密度設計。
7、一種可選的實現方式中，該第一類臺階組的底面高于或等于第二類臺階組的頂面高度。由此，可以使得兩類臺階組在高度方向錯開，提高存儲密度。
8、一種可選的實現方式中，該第一臺階區域包括：多個第一類臺階組，該第二臺階區域包括：多個第二類臺階組，或，該第一臺階區域包括：多個第二類臺階組，該第二臺階區域包括：多個第一類臺階組。由此，可以使得兩類臺階組在高度方向錯開，提高存儲密度。
9、一種可選的實現方式中，該第一臺階區域包括：至少一個第一類臺階組和至少一個第二類臺階組。由此，可以使得兩類臺階組在高度方向錯開，提高存儲密度。
10、一種可選的實現方式中，該第二臺階區域包括：至少一個第一類臺階組和至少一個第二類臺階組。由此，可以使得兩類臺階組在高度方向錯開，提高存儲密度。
11、一種可選的實現方式中，該疊層結構包括沿該第一方向交替設置的多個絕緣層和多個導電層。由此，該導電層可以作為電極，與驅動電路電連接，實現存儲陣列的存儲功能。
12、一種可選的實現方式中，該疊層結構還包括：沿該第一方向層疊設置的第一布線層和第二布線層，其中，該第一布線層設置在該疊層結構遠離該襯底的一側，該第二布線層設置在該第一布線層遠離該疊層結構的一側；該第一布線層包括：多個第一連接線；該第二布線層包括：多個第二連接線；該電連接件包括：第一電連接件和第二電連接件；每個該階通過第一電連接件和一條第一連接線連接；且，與多個該臺階組中高度相同的臺階連接的該第一連接線通過該第二電連接件和同一條第二連接線連接。由此，通過設置第一布線層、第二布線層，使得走線無需占用陣列之外的額外面積，提高了存儲密度。同時，與直接通過電連接件連接相比，設置布線層減小了電連接件的長度，占用金屬走線資源少，避免繞線，降低了走線難度，且減小時延。
13、一種可選的實現方式中，多個該第一連接線沿該第二方向依次排列；多個該第二連接線沿該第三方向依次排列。由此，進一步降低了走線難度。
14、一種可選的實現方式中，該第一電連接件垂直于該第一連接線，該第二電連接件垂直于該第二連接線。由此，減小了電連接件的長度，降低了走線難度，且減小時延。
15、一種可選的實現方式中，該布線層還包括：第三布線層，該第三布線層設置在該疊層結構遠離該第二布線層的一側，該第一布線層還包括：多個第三連接線，該第二布線層通過第三電連接件與該第三連接線連接，該第三連接線通過第四連接件和該第三布線層連接，該第三布線層用于和前道驅動電路連接。由此，使得第三布線層更靠近驅動電路，降低時延。
16、一種可選的實現方式中，相鄰臺階組之間設置有間隙，該第四電連接件設置在該間隙中。由此，可以減小第四電連接件對空間的占用。
17、一種可選的實現方式中，該導電層為板線，該疊層結構還包括：字線和位線，該字線和該位線設置在該疊層結構遠離該第二布線層的一側，該字線和該位線的延伸方向垂直。由此，將字線、位線和第三布線層(導電層為板線，板線通過第三布線層和驅動電路連接)設置在疊層結構的同一側，與驅動電路連接時，走線最短，降低時延。
18、本申請實施例的第二方面，提供一種存儲陣列的制備方法，該方法包括：在襯底上形成多個疊層結構；其中，該疊層結構在第一方向包括：存儲區域和與該存儲區域對應的第一臺階區域；其中，該存儲區域包括多個存儲單元；在該第一臺階區域形成沿第二方向排列的多個第一臺階組；其中，每個第一臺階組包括多個臺階；本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種存儲陣列，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲陣列，其特征在于，沿第二方向排列的相鄰兩個所述第一臺階組在所述襯底上的投影呈軸對稱排布。
3.根據權利要求1或2所述的存儲陣列，其特征在于，所述疊層結構還包括：與所述存儲區域對應的第二臺階區域，所述第二臺階區域位于所述存儲區域遠離所述第一臺階區域的一側；
4.根據權利要求1-3任一項所述的存儲陣列，其特征在于，所述疊層結構包括沿第三方向層疊設置的多個疊層；所述第三方向垂直于所述襯底；
5.根據權利要求1-4任一項所述的存儲陣列，其特征在于，所述疊層結構還包括：層疊設置的第一布線層和第二布線層，其中，所述第一布線層設置在所述疊層結構遠離所述襯底的一側，所述第二布線層設置在所述第一布線層遠離所述疊層結構的一側；
6.根據權利要求5所述的存儲陣列，其特征在于，多個所述第一連接線沿所述第二方向依次排列；多個所述第二連接線沿所述第一方向依次排列。
7.根據權利要求5或6所述的存儲陣列，其特征在于，所述第一電連接件垂直于所述第一連接線，所述第二電連接件垂直
8.根據權利要求5-7任一項所述的存儲陣列，其特征在于，所述疊層結構還包括：第三布線層，所述第三布線層設置在所述疊層結構遠離所述第二布線層的一側，所述第一布線層還包括：多個第三連接線，所述第二布線層通過第三電連接件與所述第三連接線連接，所述第三連接線通過第四連接件和所述第三布線層連接，所述第三布線層用于和前道驅動電路連接。
9.根據權利要求8所述的存儲陣列，其特征在于，相鄰臺階組之間設置有間隙，所述第四電連接件設置在所述間隙中。
10.根據權利要求1-9任一項所述的存儲陣列，其特征在于，所述疊層結構包括沿第三方向交替設置的多個絕緣層和多個導電層。
11.根據權利要求10所述的存儲陣列，其特征在于，所述導電層為板線，所述存儲陣列還包括：字線和位線，所述字線和所述位線設置在所述疊層結構遠離所述第二布線層的一側，所述字線和所述位線的延伸方向垂直。
12.根據權利要求10或11所述的存儲陣列，其特征在于，所述存儲區域的每層所述導電層上設有多個陣列排布的存儲單元。
13.一種存儲陣列，其特征在于，包括：
14.根據權利要求13所述的存儲陣列，其特征在于，每個所述臺階沿第二方向延伸，多個所述第一連接線沿所述第二方向依次排列；多個所述第二連接線沿所述第一方向依次排列，所述第一方向和所述第二方向相交且平行于所述襯底。
15.根據權利要求13或14所述的存儲陣列，其特征在于，所述第一電連接件垂直于所述第一連接線，所述第二電連接件垂直于所述第二連接線。
16.根據權利要求13-15任一項所述的存儲陣列，其特征在于，所述布線層還包括：第三布線層，所述第三布線層設置在所述疊層結構遠離所述第二布線層的一側，所述第一布線層還包括：多個第三連接線，所述第二布線層通過第三電連接件與所述第三連接線連接，所述第三連接線通過第四連接件和所述第三布線層連接，所述第三布線層用于和前道驅動電路連接。
17.一種存儲器，其特征在于，包括：控制器，以及如權利要求1-16任一項所述的存儲陣列，所述控制器和所述存儲陣列電連接。
18.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括：
19.一種電子設備，其特征在于，包括：包括：主板；以及如權利要求18所述的芯片封裝結構，所述芯片封裝結構設置在所述主板上，且與所述主板電連接。
20.一種存儲陣列的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
21.根據權利要求20所述的存儲陣列的制備方法，其特征在于，所述在所述第一臺階區域形成沿第二方向排列的多個第一臺階組包括：
22.根據權利要求20或21所述的存儲陣列的制備方法，其特征在于，所述疊層結構在第二方向還包括：第二臺階區域，所述第二臺階區域位于所述存儲區域遠離所述第一臺階區域的一側，所述方法還包括：
23.根據權利要求20-22任一項所述的存儲陣列的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：在所述疊層結構上形成第一介質層；
24.根據權利要求23所述的存儲陣列的制備方法，其特征在于，所述在襯底上形成多個疊層結構包括：
...【技術特征摘要】
1.一種存儲陣列，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲陣列，其特征在于，沿第二方向排列的相鄰兩個所述第一臺階組在所述襯底上的投影呈軸對稱排布。
3.根據權利要求1或2所述的存儲陣列，其特征在于，所述疊層結構還包括：與所述存儲區域對應的第二臺階區域，所述第二臺階區域位于所述存儲區域遠離所述第一臺階區域的一側；
4.根據權利要求1-3任一項所述的存儲陣列，其特征在于，所述疊層結構包括沿第三方向層疊設置的多個疊層；所述第三方向垂直于所述襯底；
5.根據權利要求1-4任一項所述的存儲陣列，其特征在于，所述疊層結構還包括：層疊設置的第一布線層和第二布線層，其中，所述第一布線層設置在所述疊層結構遠離所述襯底的一側，所述第二布線層設置在所述第一布線層遠離所述疊層結構的一側；
6.根據權利要求5所述的存儲陣列，其特征在于，多個所述第一連接線沿所述第二方向依次排列；多個所述第二連接線沿所述第一方向依次排列。
7.根據權利要求5或6所述的存儲陣列，其特征在于，所述第一電連接件垂直于所述第一連接線，所述第二電連接件垂直于所述第二連接線。
8.根據權利要求5-7任一項所述的存儲陣列，其特征在于，所述疊層結構還包括：第三布線層，所述第三布線層設置在所述疊層結構遠離所述第二布線層的一側，所述第一布線層還包括：多個第三連接線，所述第二布線層通過第三電連接件與所述第三連接線連接，所述第三連接線通過第四連接件和所述第三布線層連接，所述第三布線層用于和前道驅動電路連接。
9.根據權利要求8所述的存儲陣列，其特征在于，相鄰臺階組之間設置有間隙，所述第四電連接件設置在所述間隙中。
10.根據權利要求1-9任一項所述的存儲陣列，其特征在于，所述疊層結構包括沿第三方向交替設置的多個絕緣層和多個導電層。
11.根據權利要求10所述的存儲陣列，其特征在于，所述導電層為板線，所述存儲陣列還包括：字線和位線，所述字線和所述位線設置在所述疊層結構遠離所述第二布線層的一側，所述字線和所述位線的延伸方向垂直。
12.根據權利要求10或1...
【專利技術屬性】
技術研發人員：林琪，陳華威，卜思童，丁士成，方亦陳，徐亮，許俊豪，
申請(專利權)人：華為技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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