【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及光電，具體涉及一種發(fā)光器件以及包含發(fā)光器件的電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、基于p-i-n結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件，因其具有自發(fā)光、高亮度、廣視角、對比度以及清晰度高、輕薄、柔性、溫度特性好、響應(yīng)速度快和節(jié)能環(huán)保等優(yōu)異特性，已成為顯示技術(shù)等領(lǐng)域的研究熱點和重點發(fā)展方向。其中，以有機發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode,oled)和量子點發(fā)光二極管(quantum?dot?light?emitting?diode,qled)為代表的新型顯示技術(shù)，具有相似的“三明治”結(jié)構(gòu)，即包括陽極、與陽極相對設(shè)置的陰極以及設(shè)置于陽極與陰極之間的發(fā)光子層。
2、為了提高發(fā)光器件的發(fā)光性能，kido等人于2003年提出了疊層發(fā)光器件的概念，疊層發(fā)光器件是指：將多個發(fā)光子層通過連接層連接構(gòu)成一個器件，且各個發(fā)光子層共用一個外接電源，當(dāng)外界電源通過電極向疊層發(fā)光器件注入載流子時，連接層能夠向相鄰的兩個發(fā)光子層分別提供電子和空穴，使得器件效率隨連接層連接的發(fā)光子層的個數(shù)成倍提升。然而，疊層發(fā)光器件仍面臨諸多技術(shù)難點，例如：為了提高電流效率，疊層發(fā)光器件通常還設(shè)有電子功能層和/或空穴功能層，導(dǎo)致疊層發(fā)光器件的膜層數(shù)量較多，并增加了界面缺陷，使得驅(qū)動電壓升高。
3、因此，如何確保疊層發(fā)光器件具有理想的電流效率的前提下，簡化疊層發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)組成對疊層發(fā)光器件的應(yīng)用與發(fā)展具有重要意義。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┝艘环N發(fā)光器件以及包含發(fā)光器件的電子設(shè)備，以簡化疊層
2、第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N發(fā)光器件，包括：
3、陽極；
4、陰極，與所述陽極相對設(shè)置；
5、發(fā)光層，設(shè)置于所述陽極與所述陰極之間，所述發(fā)光層包括n個發(fā)光子層，所述n個發(fā)光子層分別為第一發(fā)光子層至第n發(fā)光子層，沿著所述陽極指向所述陰極的方向上，所述第一發(fā)光子層至所述第n發(fā)光子層依次排列，n為大于等于2的正整數(shù)；以及
6、(n-1)個連接層，各所述連接層分別設(shè)置于相鄰兩個所述發(fā)光子層之間；
7、其中，各所述發(fā)光子層的材料各自獨立地包含發(fā)光材料，以及電子傳輸材料和空穴傳輸材料中的一種；
8、各所述連接層包括p型電荷產(chǎn)生層和/或n型電荷產(chǎn)生層；當(dāng)各所述連接層包括p型電荷產(chǎn)生層或n型電荷產(chǎn)生層時，各所述連接層與至少一相鄰層形成pn異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
9、可選地，當(dāng)各所述發(fā)光子層的材料包含發(fā)光材料和電子傳輸材料時，所述發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)組成為下述任意一種情況：
10、(a1)各所述連接層為p型電荷產(chǎn)生層；
11、(a2)各所述連接層為n型電荷產(chǎn)生層，各所述連接層與相鄰的且更靠近所述陰極的所述發(fā)光子層之間還設(shè)有第一空穴傳輸層；
12、(a3)各所述連接層由一層p型電荷產(chǎn)生層和一層n型電荷產(chǎn)生層組成，所述p型電荷產(chǎn)生層較所述n型電荷產(chǎn)生層更靠近所述陰極。
13、可選地，在(a3)中，相鄰于各所述連接層且更靠近所述陰極的所述發(fā)光子層與所述p型電荷產(chǎn)生層之間還設(shè)有第二空穴傳輸層。
14、可選地，所述發(fā)光器件還包括第三空穴傳輸層，所述第三空穴傳輸層設(shè)置于所述第一發(fā)光子層與所述陽極之間。
15、可選地，當(dāng)所述發(fā)光器件包含所述第一空穴傳輸層至所述第三空穴傳輸層中的一種或多種，以及所述p型電荷產(chǎn)生層時，所述p型電荷產(chǎn)生層的材料為第一材料，至少一空穴傳輸層的材料包含所述第一材料。
16、可選地，對于包含所述第一材料的每一空穴傳輸層中，所述第一材料的質(zhì)量占所述空穴傳輸層的總質(zhì)量的10％～90％。
17、可選地，在各所述發(fā)光子層中，所述電子傳輸材料占所述發(fā)光子層的總質(zhì)量的10％～40％，所述發(fā)光材料占所述發(fā)光子層的總質(zhì)量的60％～90％。
18、可選地，當(dāng)各所述發(fā)光子層的材料包含發(fā)光材料和空穴傳輸材料時，所述發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)組成為下述任意一種情況：
19、(b1)各所述連接層為n型電荷產(chǎn)生層；
20、(b2)各所述連接層由一層p型電荷產(chǎn)生層和一層n型電荷產(chǎn)生層組成，所述p型電荷產(chǎn)生層較所述n型電荷產(chǎn)生層更靠近所述陰極。
21、可選地，所述發(fā)光器件還包括電子傳輸層，所述電子傳輸層設(shè)置于所述第n發(fā)光子層與所述陰極之間。
22、可選地，當(dāng)所述發(fā)光器件包括電子傳輸層和所述n型電荷產(chǎn)生層時，所述n型電荷產(chǎn)生層的材料為第二材料，所述電子傳輸層的材料包含所述第二材料。
23、可選地，所述第二材料占所述電子傳輸層的總質(zhì)量的10％～90％。
24、可選地，在各所述發(fā)光子層中，所述空穴傳輸材料占所述發(fā)光子層的總質(zhì)量的10％～40％，所述發(fā)光材料占所述發(fā)光子層的總質(zhì)量的60％～90％。
25、可選地，所述發(fā)光材料包括有機發(fā)光材料和/或量子點；
26、其中，所述有機發(fā)光材料選自4,4'-雙(n-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe熒光材料、ttpx熒光材料、tbrb熒光材料、dbp熒光材料、延遲熒光材料、tta材料、熱活化延遲材料、含有b-n共價鍵合的聚合物、雜化局域電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)態(tài)材料以及激基復(fù)合物發(fā)光材料中的一種或多種；
27、所述量子點選自單一組分量子點、核殼結(jié)構(gòu)量子點、無機鈣鈦礦量子點、有機鈣鈦礦量子點以及有機-無機雜化鈣鈦礦量子點的一種或多種；
28、所述單一組分量子點的材料、所述核殼結(jié)構(gòu)量子點的核的材料以及所述核殼結(jié)構(gòu)量子點的殼的材料彼此獨立地選自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或i-iii-vi族化合物中的至少一種，其中，所述ii-vi族化合物選自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete以及hgznste中的一種或多種，所述iii-v族化合物選自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，當(dāng)各所述發(fā)光子層的材料包含發(fā)光材料和電子傳輸材料時，所述發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)組成為下述任意一種情況：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，在(A3)中，相鄰于各所述連接層且更靠近所述陰極的所述發(fā)光子層與所述P型電荷產(chǎn)生層之間還設(shè)有第二空穴傳輸層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括第三空穴傳輸層，所述第三空穴傳輸層設(shè)置于所述第一發(fā)光子層與所述陽極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其特征在于，當(dāng)所述發(fā)光器件包含所述第一空穴傳輸層至所述第三空穴傳輸層中的一種或多種，以及所述P型電荷產(chǎn)生層時，所述P型電荷產(chǎn)生層的材料為第一材料，至少一空穴傳輸層的材料包含所述第一材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，對于包含所述第一材料的每一空穴傳輸層中，所述第一材料的質(zhì)量占所述空穴傳輸層的總質(zhì)量的10％～90％。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，在各所述發(fā)光子層中，所述電子
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，當(dāng)各所述發(fā)光子層的材料包含發(fā)光材料和空穴傳輸材料時，所述發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)組成為下述任意一種情況：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括電子傳輸層，所述電子傳輸層設(shè)置于所述第N發(fā)光子層與所述陰極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其特征在于，當(dāng)所述發(fā)光器件包括電子傳輸層和所述N型電荷產(chǎn)生層時，所述N型電荷產(chǎn)生層的材料為第二材料，所述電子傳輸層的材料包含所述第二材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第二材料占所述電子傳輸層的總質(zhì)量的10％～90％。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其特征在于，在各所述發(fā)光子層中，所述空穴傳輸材料占所述發(fā)光子層的總質(zhì)量的10％～40％，所述發(fā)光材料占所述發(fā)光子層的總質(zhì)量的60％～90％。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12任一項中所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光材料包括有機發(fā)光材料和/或量子點；
14.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求1至13任一項中所述的發(fā)光器件。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，當(dāng)各所述發(fā)光子層的材料包含發(fā)光材料和電子傳輸材料時，所述發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)組成為下述任意一種情況：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，在(a3)中，相鄰于各所述連接層且更靠近所述陰極的所述發(fā)光子層與所述p型電荷產(chǎn)生層之間還設(shè)有第二空穴傳輸層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括第三空穴傳輸層，所述第三空穴傳輸層設(shè)置于所述第一發(fā)光子層與所述陽極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其特征在于，當(dāng)所述發(fā)光器件包含所述第一空穴傳輸層至所述第三空穴傳輸層中的一種或多種，以及所述p型電荷產(chǎn)生層時，所述p型電荷產(chǎn)生層的材料為第一材料，至少一空穴傳輸層的材料包含所述第一材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，對于包含所述第一材料的每一空穴傳輸層中，所述第一材料的質(zhì)量占所述空穴傳輸層的總質(zhì)量的10％～90％。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，在各所述發(fā)光子層中，所述電子傳輸材料占所述發(fā)光子層的總質(zhì)量的10％～40％，所述發(fā)光材料...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：洪佳婷，敖資通，
申請(專利權(quán))人：深圳市TCL高新技術(shù)開發(fā)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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