【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種成像透鏡，例如，涉及一種用于使光在cmos圖像傳感器的受光部成像的成像透鏡。
技術介紹
1、cmos(complementary?metal?oxide?semiconductor：互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器的結構大致分為表面照射型和背面照射型。就表面照射型的cmos圖像傳感器而言，在硅片加工光電二極管，向上方布置布線層、濾色器、微透鏡。近年來，伴隨著微細化，布線數增加，而使到達cmos光電二極管的光束被遮光的問題變得明顯。
2、此外，布線層的厚度也增加，因此，cmos元件的光電二極管成為布置在深的井底的結構，光電二極管只能利用與垂線呈小的角度的光束。而且，也具有以下缺點：前述的在面積上被遮光而反射、散射的光束和后述的在井壁反射、散射的光束會作為雜光(flare)光束而到達光電二極管，而使圖像的對比度降低。
3、另一方面，就背面照射型的cmos圖像傳感器而言，在制有布線層的硅片之上貼合制有光電二極管層的硅片，下刮硅片直至光電二極管層在表面顯露的極限為止，加工形成濾色器和微透鏡。背面照射型將光電二極管層布置在布線層之前，因此能消除上述的表面型的缺點。雖然背面照射型的cmos圖像傳感器的加工需要較高的技術，但正在進行從表面照射型的cmos圖像傳感器向背面照射型的cmos圖像傳感器的置換。
4、而且，在布線層嵌入邏輯電路，以至連圖像處理器功能都具備，也會被稱為層疊型cmos圖像傳感器。
5、為了使用這樣的cmos圖像傳感器來得到高的畫質的圖像，需要與微細的cmos
6、層疊型cmos圖像傳感器用作數碼相機、智能手機(＝便攜電話)、監視相機、車載相機等的涉及多方面的圖像輸入單元。為了提高圖像分辨率，正在進行cmos元件的微細化，以至35mm全尺寸/數碼相機的cmos元件為3.5μmx3.5μm，工業用的1英寸至1/3英寸的相機的cmos元件為1.4μmx1.4μm。
7、在便攜電話的智能手機相機中，也產品化有cmos圖像傳感器，該cmos圖像傳感器是將0.8μmx0.8μm的cmos元件四個＝r(紅)+g(綠)x2+b(藍)分組在一個微透鏡而成的。成像透鏡中，微透鏡開口＝1.6μmx1.6μm成為必要分辨率。
8、在表面型cmos中，按aps－h尺寸(29.2x20.2mm)開發了2.2μmx2.2μm元件用于工業。關于能與這樣的cmos元件對應的成像透鏡，例如，提出一種如專利文獻1所記載的那樣的成像透鏡。對于專利文獻1所記載的成像透鏡，通過實際地試制的成像透鏡確認到高的光學性能。
9、現有技術文獻
10、專利文獻
11、專利文獻1：日本專利第6725740號
技術實現思路
1、專利技術所要解決的問題
2、然而，在專利文獻1所記載的成像透鏡中，為了對焦而采用了成像側的透鏡組移動的浮動機構，因此結構復雜，操縱也不能說是容易的。
3、而且，在工業用的1英寸至1/3英寸的具備cmos圖像傳感器的相機的成像面整個面中，cmos元件(cmos圖像傳感器的一個像素)的大小為1.4μmx1.4μm。就能得到清晰的圖像的參考值而言，示出一般要以mtf值為20％以上的對比度進行成像，但對于1.4μmx1.4μm的像素，還未實現以mtf值為20％以上的對比度進行成像的透鏡。專利文獻1所記載的成像透鏡也是由于成像側的透鏡組移動而無法將成像側的透鏡組始終配置在成像面的附近，無法在任意的拍攝距離都得到mtf值為20％以上的對比度。
4、因此，本專利技術的目的是解決上述的問題，其目的在于提供一種具有與微細的圖像傳感器的元件對應的分辨率并且能用簡單的結構進行對焦的成像透鏡。
5、用于解決問題的方案
6、為了解決上述問題，本專利技術的一個方案的成像透鏡由隔著光闌而在前后具有多個透鏡的前組成像透鏡和凸凹伽利略系統構成，所述凸凹伽利略系統由前組側的凸透鏡和成像面側的凹透鏡構成，在所述成像透鏡中，通過將所述凸凹伽利略系統固定在成像面的附近，并送出所述前組成像透鏡來進行對焦。
7、專利技術效果
8、如上所述，根據本專利技術，能提供一種具有與微細的圖像傳感器的元件對應的分辨率并且能用簡單的結構進行對焦的成像透鏡。
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1.一種成像透鏡，其特征在于，
2.一種成像透鏡，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的成像透鏡，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的成像透鏡，其特征在于，
5.根據權利要求3或4所述的成像透鏡，其特征在于，
6.根據權利要求1至5中任一項所述的成像透鏡，其特征在于，
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種成像透鏡，其特征在于，
2.一種成像透鏡，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的成像透鏡，其特征在于，
4.根據權利要求...
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