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    高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材及其制備方法技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):41974049 閱讀:16 留言:0更新日期:2024-07-10 16:52
    本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材及其制備方法,涉及銅合金技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明專利技術(shù)提供的帶箔材,按質(zhì)量百分比計(jì),包括:Co?1.55%~1.66%、Ni?0.45%~0.55%、Si?0.43%~0.53%、Fe?0.01%~0.05%、Zn?0.015%~0.05%、Mg?0.01%~0.04%、Nb?0.05%~0.2%,余量為銅以及不可避免的雜質(zhì);銅基體晶粒粒徑為5~10μm,(Ni,Co)2Si析出相尺寸≤15nm。該帶箔材抗拉強(qiáng)度≥720MPa、導(dǎo)電率≥60%IACS,導(dǎo)熱系數(shù)≥255W/(m·K),可滿足5G手機(jī)、新能源汽車(chē)等無(wú)線快充領(lǐng)域?qū)Ω邔?dǎo)高散熱性能的需求。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及銅合金,尤其是涉及一種高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材及其制備方法


    技術(shù)介紹

    1、隨著智能手機(jī)的功能越來(lái)越多,屏幕越來(lái)越大,手機(jī)電池的續(xù)航能力變成了消費(fèi)者的一大關(guān)注點(diǎn)。因此,無(wú)線充電技術(shù)的應(yīng)用變成了以智能手機(jī)為代表的消費(fèi)電子企業(yè)擴(kuò)大市場(chǎng)銷量的重要因素。

    2、另一方面,汽車(chē)車(chē)載無(wú)線充電作為一種絕佳的無(wú)線充電應(yīng)用場(chǎng)景,無(wú)需頻繁插拔充電線,是增加行車(chē)安全、提高車(chē)主生活品質(zhì)的一大利器,極大的改善了車(chē)內(nèi)手機(jī)使用和充電的體驗(yàn)。

    3、目前,在家庭、辦公室(通常嵌入家具或電子設(shè)備中)、汽車(chē)、餐廳和公共場(chǎng)所以及公共交通工具中,無(wú)線充電發(fā)送設(shè)備呈增長(zhǎng)趨勢(shì)。從無(wú)線充電技術(shù)本身來(lái)看,則要求銅合金不僅具有較高的強(qiáng)度和導(dǎo)電率,還應(yīng)該具有良好的抗高溫軟化和應(yīng)力松弛性能。

    4、有鑒于此,特提出本專利技術(shù)。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)的第一目的在于提供一種高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材,以解決上述技術(shù)問(wèn)題。

    2、本專利技術(shù)的第二目的在于提供上述高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材的制備方法。

    3、為了實(shí)現(xiàn)以上目的,特采用以下技術(shù)方案:

    4、第一方面,本專利技術(shù)提供了一種高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材,按質(zhì)量百分比計(jì),包括:co?1.55%~1.66%、ni?0.45%~0.55%、si?0.43%~0.53%、fe?0.01%~0.05%、zn?0.015%~0.05%、mg?0.01%~0.04%、nb?0.05%~0.2%,余量為銅以及不可避免的雜質(zhì);

    5、所述高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材中,銅基體晶粒粒徑為5~10μm,(ni,co)2si析出相尺寸≤15nm。

    6、第二方面,本專利技術(shù)提供了上述高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材的制備方法,包括以下步驟:

    7、按照質(zhì)量百分比配料,然后依次進(jìn)行熔煉、鑄造、熱軋、第一次固溶處理、銑面、第一次冷軋、第二次固溶處理、第二次冷軋、第一次時(shí)效處理、第三次冷軋和第二次時(shí)效處理,制備得到高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材。

    8、作為進(jìn)一步技術(shù)方案,所述熔煉的溫度為1250~1270℃;

    9、所述鑄造的溫度為1210~1230℃。

    10、作為進(jìn)一步技術(shù)方案,所述熱軋的開(kāi)軋溫度為820~910℃;

    11、所述熱軋的終軋溫度為600~685℃;

    12、所述熱軋的總加工率為90%~95%。

    13、作為進(jìn)一步技術(shù)方案,所述第一次固溶處理的溫度為650~750℃,保溫時(shí)間為0.5~2h。

    14、作為進(jìn)一步技術(shù)方案,所述第一次冷軋的加工率為85%~90%;

    15、所述第二次冷軋的加工率為70%~80%;

    16、所述第三次冷軋的加工率為20%~55%。

    17、作為進(jìn)一步技術(shù)方案,所述第二次固溶處理為將第一次冷軋后的合金材料進(jìn)行連續(xù)退火;

    18、所述連續(xù)退火的溫度為820~1040℃,速度為15~25m/min。

    19、作為進(jìn)一步技術(shù)方案,所述第一次時(shí)效處理的溫度為450~500℃,保溫時(shí)間為5~8h。

    20、作為進(jìn)一步技術(shù)方案,所述第二次時(shí)效處理為將第三次冷軋后的合金材料在鐘罩式退火爐進(jìn)行退火處理,退火處理的溫度為350~450℃,保溫時(shí)間為4~6h。

    21、作為進(jìn)一步技術(shù)方案,所述第一次時(shí)效處理和第二次時(shí)效處理為在保護(hù)氣氛下進(jìn)行。

    22、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本專利技術(shù)具有如下有益效果:

    23、本專利技術(shù)提供的高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材,在cu-ni-si合金的基礎(chǔ)上,選用co元素替代大部分ni元素與si元素形成co2si析出相析出,從而降低合金帶材溶質(zhì)固溶程度,在維持較高的析出強(qiáng)化效果的同時(shí)提高合金帶箔材的導(dǎo)電率和導(dǎo)熱率。同時(shí),適宜的fe、mg和nb元素,有利于細(xì)化晶粒,促進(jìn)析出相彌散析出;適宜的zn元素,能夠在一定程度上避免co元素析出相的聚集和長(zhǎng)大。該帶箔材銅基體晶粒粒徑為5~10μm,(ni,co)2si析出相尺寸≤15nm,抗拉強(qiáng)度≥720mpa、導(dǎo)電率≥60%iacs,導(dǎo)熱系數(shù)≥255w/(m·k),可滿足5g手機(jī)、新能源汽車(chē)等無(wú)線快充領(lǐng)域?qū)Ω邔?dǎo)高散熱性能的需求。

    本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.?一種高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材,其特征在于,按質(zhì)量百分比計(jì),包括:Co1.55%~1.66%、Ni?0.45%~0.55%、Si?0.43%~0.53%、Fe?0.01%~0.05%、Zn?0.015%~0.05%、Mg0.01%~0.04%、Nb?0.05%~0.2%,余量為銅以及不可避免的雜質(zhì);

    2.權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述熔煉的溫度為1250~1270℃;

    4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述熱軋的開(kāi)軋溫度為820~910℃;

    5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述第一次固溶處理的溫度為650~750℃,保溫時(shí)間為0.5~2h。

    6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述第一次冷軋的加工率為85%~90%;

    7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述第二次固溶處理為將第一次冷軋后的合金材料進(jìn)行連續(xù)退火;

    8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述第一次時(shí)效處理的溫度為450~500℃,保溫時(shí)間為5~8h。

    9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述第二次時(shí)效處理為將第三次冷軋后的合金材料在鐘罩式退火爐進(jìn)行退火處理,退火處理的溫度為350~450℃,保溫時(shí)間為4~6h。

    10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述第一次時(shí)效處理和第二次時(shí)效處理為在保護(hù)氣氛下進(jìn)行。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.?一種高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材,其特征在于,按質(zhì)量百分比計(jì),包括:co1.55%~1.66%、ni?0.45%~0.55%、si?0.43%~0.53%、fe?0.01%~0.05%、zn?0.015%~0.05%、mg0.01%~0.04%、nb?0.05%~0.2%,余量為銅以及不可避免的雜質(zhì);

    2.權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)高散熱銅鈷鎳硅合金帶箔材的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述熔煉的溫度為1250~1270℃;

    4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述熱軋的開(kāi)軋溫度為820~910℃;

    5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述第一次固溶處理的溫度...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:劉峰謝龍龍馬萬(wàn)軍羅毅陳佳程黃嘉林李國(guó)強(qiáng)
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:寧波興業(yè)盛泰集團(tuán)有限公司
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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