【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種n型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，屬于熱電器件。
技術(shù)介紹
1、利用p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體在通過直流電時即可在其兩端產(chǎn)生放熱和吸熱的不同溫度的特點，已被廣泛地應(yīng)用在制作半導(dǎo)體制冷或制熱及溫差發(fā)電器件領(lǐng)域中。目前，在現(xiàn)有技術(shù)中，在制作n型半導(dǎo)體晶棒時，通常是采用熔煉，低密度拉晶方法制得到p型半導(dǎo)體圓型晶棒。在將其用于制作熱電器件時，這種n型半導(dǎo)體晶棒主要存在著兩端的溫差較小(冷熱端一般在60度)，制冷或制熱的效率較低，能耗較大等問題；此外現(xiàn)有的n型半導(dǎo)體晶棒因無法區(qū)分拉晶方向(頭端與尾端)，這樣制作電熱時，加工出來的粒子不可實現(xiàn)頭尾有序的連接，而是混亂連接，因此不能有較地發(fā)揮半導(dǎo)體電熱器件的電能轉(zhuǎn)換效率，使其電熱器件的溫差低，在同一批電熱器件之間溫差誤差比較大。所以使用效果還是不夠理想。
2、另一方面，現(xiàn)有技術(shù)中對于半導(dǎo)體制冷片，一般是采用圓形半導(dǎo)體晶棒切割成方片得到，一方面，將圓形半導(dǎo)體晶棒切割為方片所產(chǎn)生的邊料需要較高的成本才能實現(xiàn)再利用，浪費大，另一方面，切割過程本身也會對方片成品帶來諸多影響電性能參數(shù)的不良影響，使得在粒子連接頭尾有序的情況下，方片邊沿的晶體排列產(chǎn)生一定程度的混亂，制約了電能轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)提供了一種n型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，該n型半導(dǎo)體晶棒的制作方法能有效確保n型半導(dǎo)體晶棒兩端溫差大，并確保拉晶方向整齊有序，顯著提高制冷或制熱效率，有效提升電熱轉(zhuǎn)換效率。
2、本專利技術(shù)通過以下技術(shù)
3、本專利技術(shù)提供的一種n型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，包括以下步驟：
4、s1、粉碎混合：將碲、秘、硒制備成混合納米粉體；
5、s2、冶金壓鑄：將納米粉體冶金壓鑄成上大下小的金屬方型棒材；
6、s3、拉晶成型：將金屬方型棒材放入方型石英管內(nèi)進行拉晶處理，得到n型半導(dǎo)體晶棒。
7、所述碲、秘、硒的比例為45～55：42～50：3～6。
8、所述碲、秘、硒的比例為體積比例。
9、所述碲、秘、硒的比例為50：46：4。
10、所述步驟s1中，先將碲、秘、硒粉碎，再進行混合。
11、所述步驟s3的拉晶處理中，拉晶溫度為733℃～737℃。
12、所述步驟s3的拉晶處理中，拉晶速度為2.2cm/h～2.8cm/h。
13、所述步驟s3中，拉晶處理后自然冷卻得到n型半導(dǎo)體晶棒。
14、所述步驟s3中，拉晶方向為，從金屬方型棒材大頭端向上提拉。
15、本專利技術(shù)的有益效果在于：能有效確保n型半導(dǎo)體晶棒兩端溫差大，并確保拉晶方向整齊有序，顯著提高制冷或制熱效率，有效提升電熱轉(zhuǎn)換效率；同時通過方型晶棒、方型石英管的方式，使得所得到的n型半導(dǎo)體晶棒不再需要切割邊沿整形，從而有效避免邊料損耗，并避免切割過程對粒子連接的不利影響，進而進一步確保成品的電能轉(zhuǎn)換效率高且穩(wěn)定。
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1.一種N型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的N型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，所述碲、秘、硒的比例為45～55：42～50：3～6。
3.如權(quán)利要求2所述的N型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，所述碲、秘、硒的比例為體積比例。
4.如權(quán)利要求2所述的N型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，所述碲、秘、硒的比例為50：46：4。
5.如權(quán)利要求1所述的N型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，所述步驟S1中，先將碲、秘、硒粉碎，再進行混合。
6.如權(quán)利要求1所述的N型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，所述步驟S3的拉晶處理中，拉晶溫度為733℃～737℃。
7.如權(quán)利要求1所述的N型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，所述步驟S3的拉晶處理中，拉晶速度為2.2cm/h～2.8cm/h。
8.如權(quán)利要求1所述的N型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，所述步驟S3中，拉晶處理后自然冷卻得到N型半導(dǎo)體晶棒。
9.如權(quán)利要求1所述的N型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種n型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的n型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，所述碲、秘、硒的比例為45～55：42～50：3～6。
3.如權(quán)利要求2所述的n型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，所述碲、秘、硒的比例為體積比例。
4.如權(quán)利要求2所述的n型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，所述碲、秘、硒的比例為50：46：4。
5.如權(quán)利要求1所述的n型半導(dǎo)體晶棒的制作方法，其特征在于，所述步驟s1中，先將碲、秘、硒粉碎，再進行混合。<...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳志明，陳鑫，李榮明，
申請(專利權(quán))人：陳志明，
類型：發(fā)明
國別省市：
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