【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及aln單晶基板、以及具備aln單晶基板的器件。
技術(shù)介紹
1、近年來，氮化鋁(aln)單晶作為使用了aln系半導(dǎo)體的深紫外線發(fā)光元件的襯底而受到關(guān)注。例如，作為aln系半導(dǎo)體，使用aln、algan等。這些aln系半導(dǎo)體具有直接躍遷型的能帶結(jié)構(gòu)，因此適合于發(fā)光器件，能夠應(yīng)用于深紫外區(qū)域的led(lightemitting?diode：發(fā)光二極管)、ld(laser?diode：激光二極管)。
2、例如，專利文獻(xiàn)1(wo2015/108089a1)中公開了一種紫外發(fā)光二極管，其具有依次層疊了具有放射光的發(fā)光主面的基板、n型層、活性層、以及p型層的層疊結(jié)構(gòu)。在該文獻(xiàn)中記載了：在制作紫外發(fā)光二極管等紫外光源的情況下，要求具有發(fā)光主面的基板所使用的aln單晶的紫外透過率高。另外，專利文獻(xiàn)2(日本特開2009－190965號(hào)公報(bào))中公開了一種aln晶體的生長方法，其包括準(zhǔn)備具有襯底/第一層/第二層的層結(jié)構(gòu)的層疊基板的工序、以及在襯底的主表面上通過氣相生長法使aln晶體生長的工序，第一層由在aln晶體的生長溫度時(shí)比襯底難升華的材質(zhì)構(gòu)成，第二層由比第一層的熱導(dǎo)率高的材質(zhì)構(gòu)成。在該文獻(xiàn)中記載了：aln晶體具有高熱導(dǎo)率和高電阻，因此作為光器件、電子器件等半導(dǎo)體器件用的基板材料而受到關(guān)注。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)1：wo2015/108089a1
6、專利文獻(xiàn)2：日本特開2009－190965號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路>
1、如上所述，aln單晶在各種用途中受到關(guān)注。然而，如專利文獻(xiàn)1和2中所公開那樣的aln單晶基板存在在被加工(磨削、研磨、切斷等)時(shí)容易產(chǎn)生裂紋、成品率降低的問題。因此，在加工aln單晶基板時(shí)，期望抑制在aln單晶基板產(chǎn)生的裂紋。
2、本專利技術(shù)人等此次得到了如下見解：aln單晶基板通過滿足與(紫外光以及可見光的)透過率、熱導(dǎo)率以及電阻率相關(guān)的預(yù)定的關(guān)系式，由此在被加工(磨削、研磨、切斷等)時(shí)變得難以產(chǎn)生裂紋。
3、因此，本專利技術(shù)的目的在于提供一種在被加工(磨削、研磨、切斷等)時(shí)難以產(chǎn)生裂紋的aln單晶基板。
4、根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方式，提供一種aln單晶基板，其中，在將所述aln單晶基板在25℃時(shí)的熱導(dǎo)率(w/m·k)設(shè)為λ25，將所述aln單晶基板在200℃時(shí)的熱導(dǎo)率(w/m·k)設(shè)為λ200，將所述aln單晶基板在25℃時(shí)的電阻率(ω·cm)設(shè)為ρ，將所述aln單晶基板在透射光譜中的640～660nm時(shí)的透過率(％)的平均值設(shè)為t640－660，將在所述透射光譜中的260～280nm時(shí)的透過率(％)的平均值設(shè)為t260－280時(shí)，滿足
5、5≤[(λ25－λ200)×log10ρ]/(t640－660－t260－280)≤50
6、的關(guān)系式。
7、根據(jù)本專利技術(shù)的另一個(gè)方式，提供一種具備所述aln單晶基板的器件。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種AlN單晶基板，其中，在將所述AlN單晶基板在25℃時(shí)的熱導(dǎo)率設(shè)為λ25，單位為W/m·K，將所述AlN單晶基板在200℃時(shí)的熱導(dǎo)率設(shè)為λ200，單位為W/m·K，將所述AlN單晶基板在25℃時(shí)的電阻率設(shè)為ρ，單位為Ω·cm，將所述AlN單晶基板在透射光譜中的640～660nm時(shí)的以百分比計(jì)的透過率的平均值設(shè)為T640－660，將在所述透射光譜中的260～280nm時(shí)的以百分比計(jì)的透過率的平均值設(shè)為T260－280時(shí)，滿足
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlN單晶基板，其中，滿足
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的AlN單晶基板，其中，T640－660與T260－280之差(T640－660－T260－280)為30～70百分點(diǎn)(％pt)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的AlN單晶基板，其中，λ25與λ200之差(λ25－λ200)為70～80，單位為W/m·K。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的AlN單晶基板，其中，ρ為1×104～1×106，單位為Ω·cm。
6.一種器件，其具備權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的Al
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種aln單晶基板，其中，在將所述aln單晶基板在25℃時(shí)的熱導(dǎo)率設(shè)為λ25，單位為w/m·k，將所述aln單晶基板在200℃時(shí)的熱導(dǎo)率設(shè)為λ200，單位為w/m·k，將所述aln單晶基板在25℃時(shí)的電阻率設(shè)為ρ，單位為ω·cm，將所述aln單晶基板在透射光譜中的640～660nm時(shí)的以百分比計(jì)的透過率的平均值設(shè)為t640－660，將在所述透射光譜中的260～280nm時(shí)的以百分比計(jì)的透過率的平均值設(shè)為t260－280時(shí)，滿足
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的aln單晶基板，其中，滿足
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：小林博治，小川博久，渡邊守道，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：日本礙子株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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