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    金剛石對頂砧的應用及金剛石對頂砧合成過渡金屬氟化物的方法技術

    技術編號:42027665 閱讀:13 留言:0更新日期:2024-07-16 23:17
    本發明專利技術提供一種金剛石對頂砧的應用及金剛石對頂砧合成過渡金屬氟化物的方法,本發明專利技術將金剛石對頂砧應用于過渡金屬氟化物的合成;選擇過渡金屬材料作為反應的初始原料,將二氟化氙以及液氬或液氮封裝到金剛石對頂砧的樣品腔中。在60℃下加熱金剛石對頂砧直到二氟化氙晶體消失,通過溫度和壓力的調控,得到過渡金屬氟化物晶體。解決了金剛石對頂砧的氟氣封裝技術難題,通過使用固體的二氟化氙替代氣體氟化劑,合成過渡金屬氟化物;提供了針對金剛石對頂砧的氟化物合成新思路。本發明專利技術操作簡單,合成轉化率高,純度高,安全無污染,可重復性高。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及金剛石對頂砧的應用,特別涉及金剛石對頂砧在過渡金屬氟化物合成方面的應用,以及在金剛石對頂砧中合成六氟化鎢晶體的方法。


    技術介紹

    1、在實際應用中,過渡金屬氟化物可以作為氧化劑、氟化劑以及電池中的催化劑。在常溫常壓下,針對過渡金屬氟化物的合成和物理化學性質已經開展了大量的研究,通過合成過渡金屬氟化物,從而探索最高氧化態與元素周期性的關系。金剛石對頂砧是高壓技術中的重要實驗工具,然而在金剛石對頂砧中,由于氟源(f2)封裝存在技術性的困難,因此金剛石對頂砧中氟化物的合成和研究仍處在摸索階段。在高壓下元素化學性質會發生顯著的變化,探索高壓下新的元素周期性更具有意義。然而在該領域中,對于氟化物的研究大多停留在理論計算,和對幾種穩定的、低氧化性的氟化物實驗研究上。本專利技術希望探索金剛石對頂砧在氟化物合成方面的應用。

    2、在室溫下,xef2是無色透明的易揮發的晶體。xef2只有在溶液中或氣態下,才具有氧化性,在常規條件下xef2的無水氟化氫溶液與過渡金屬的反應,得到了xef2的氟化極限。在高壓條件下,大部分溶劑都會固化,如常見的溶解xef2的溶劑乙腈和無水氟化氫。因此需要找到一種可以代替溶劑的方法從而發揮xef2的氧化性,從而應用于金剛石對頂砧合成氟化物的方法中。

    3、六氟化鎢,分子式為wf6,是一種常用的特種電子氣體,在半導體產業中有著重要的地位,可以應用化學氣相沉積(cvd)工藝制備鎢膜,也可以制備二硅化鎢(wsi2)用于制造大規模集成電路用配線材料。六氟化鎢的純度和潔凈度直接影響到光電子、微電子元器件的質量、集成度、特定技術指標和成品率,并從根本上制約著電路和器件的精確性和準確性。在實際生產中,氟化劑純度和產物中的雜質含量,尤其是氟化氫(hf)的含量,直接影響了六氟化鎢的提純難度。此外,生產過程中,鹵素的使用會對環境產生嚴重的污染。因此,需要開發一種新的六氟化鎢的合成方法,克服上述問題。


    技術實現思路

    1、為了解決上述技術問題,本專利技術提供一種金剛石對頂砧的應用,應用于過渡金屬氟化物的合成。

    2、進一步的,本專利技術提供一種金剛石對頂砧合成過渡金屬氟化物的方法,包括以下步驟:

    3、(1)將待合成過渡金屬氟化物的過渡金屬粉末作為初始材料,墊片選擇鎳片預壓至0.1-0.15mm,在預壓區域內打孔作為樣品腔,打孔直徑小于金剛石砧面的直徑;將打孔后的墊片至于金剛石對頂砧上下砧面之間,樣品腔內部分填充有過渡金屬粉末,樣品腔內要預留二氟化氙和傳壓介質的空間;

    4、(2)在氬氣氣氛下,將二氟化氙晶體裝載到樣品腔中;由于二氟化氙晶體極易揮發,裝載后及時將金剛石對頂砧上下壓機壓合;

    5、(3)根據所合成材料的熔點,可選擇液氮或液氬作為傳壓介質;將金剛石對頂砧放入真空低溫液化裝置中,當傳壓介質浸沒金剛石對頂砧時,分開上下壓機待介質進入樣品腔后加壓壓合,完成傳壓介質的封裝;

    6、(4)將裝載好二氟化氙和液態傳壓介質的金剛石對頂砧加熱至50-120℃,直至樣品腔中二氟化氙消失,二氟化氙轉變為氣態,與過渡金屬材料反應生成過渡金屬氟化物;調節溫度,并適當加壓但不超過傳壓介質凝固點,得到過渡金屬氟化物晶體。

    7、作為優選,步驟(2)裝載過程在由氬氣保護的水氧含量低于0.01ppm的手套箱中進行。

    8、作為優選,步驟(3)對于液氬封裝壓力不超過1.2gpa;對于液氮封裝壓力不超過2.8gpa。

    9、進一步的,本專利技術提供一種金剛石對頂砧合成六氟化鎢的方法,包括以下步驟:

    10、(1)由于鎢片作為金剛石對頂砧常用墊片,將金屬鎢片作為墊片亦作為初始材料,預壓至0.1-0.15mm,在預壓區域內打孔作為樣品腔,直徑小于金剛石砧面直徑;將打孔后的墊片至于金剛石對頂砧上下砧面之間;

    11、(2)將二氟化氙晶體裝載到樣品腔中,裝載過程在由氬氣保護的水氧含量低于0.01ppm的手套箱中進行;裝載后及時將金剛石對頂砧上下壓機壓合,防止二氟化氙揮發;

    12、(3)通過真空低溫液化裝置將液氮封裝到樣品腔中,將金剛石對頂砧放入液化裝置中,當液氮浸沒金剛石對頂砧時,分開上下壓機待液氮進入樣品腔后加壓完成裝載;封裝壓力不超過2.8gpa;

    13、(4)將裝載好二氟化氙和液氬的金剛石對頂砧加熱至50-120℃,直至樣品腔中二氟化氙消失,二氟化氙轉變為氣態,與金屬鎢反應生成六氟化鎢;待裝置冷卻至室溫,通過拉曼光譜可以觀測到液態六氟化鎢的存在,加壓到1.93gpa觀察到固相六氟化鎢析出;在90℃加熱重結晶得到大塊六氟化鎢晶體。六氟化鎢固化結晶,而其他組分仍保持液態,實現了產物與雜質的分離。

    14、本專利技術的有益效果:

    15、本專利技術解決了高壓裝置(金剛石對頂砧)的氟氣封裝技術難題,通過使用固體的二氟化氙替代氣體氟化劑,合成過渡金屬氟化物;提供了針對金剛石對頂砧的氟化物合成新思路。本專利技術操作簡單,合成轉化率高,純度高,安全無污染,可重復性高。

    16、本專利技術選擇二氟化氙作為氟化劑,反應產物中的氙氣具有化學惰性,不與其他物質反應。氙作為單原子氣體無拉曼特征峰,因此不會對氟化物的拉曼信號產生任何干擾,不影響對產物觀測的準確性。借由凝固點的差異,通過壓力調控將六氟化鎢與氙氣、液氮分離,實現了對六氟化鎢的提純,分離出高純度的六氟化鎢晶體。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種金剛石對頂砧的應用,其特征在于:應用于過渡金屬氟化物的合成。

    2.一種金剛石對頂砧合成過渡金屬氟化物的方法,其特征在于:包括以下步驟:

    3.根據權利要求2所述的一種金剛石對頂砧合成過渡金屬氟化物的方法,其特征在于:步驟(2)裝載過程在由氬氣保護的水氧含量低于0.01ppm的手套箱中進行。

    4.根據權利要求2所述的一種金剛石對頂砧合成過渡金屬氟化物的方法,其特征在于:步驟(3)封裝壓力低于傳壓介質凝固點,傳壓介質為液氮,壓力低于2.8Gpa;傳壓介質為液氬,壓力低于1.2Gpa。

    5.一種金剛石對頂砧合成六氟化鎢的方法,其特征在于:包括以下步驟:

    6.根據權利要求5所述的一種金剛石對頂砧合成六氟化鎢的方法,其特征在于:步驟(2)裝載過程在由氬氣保護的水氧含量低于0.01ppm的手套箱中進行。

    7.根據權利要求5所述的一種金剛石對頂砧合成過渡金屬氟化物的方法,其特征在于:步驟(3)封裝壓力不超過2.8Gpa。

    8.根據權利要求5所述的一種金剛石對頂砧合成過渡金屬氟化物的方法,其特征在于:步驟(4)加壓壓力為1.93Gpa,并在90℃加熱重結晶得到大塊六氟化鎢晶體。

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    【技術特征摘要】

    1.一種金剛石對頂砧的應用,其特征在于:應用于過渡金屬氟化物的合成。

    2.一種金剛石對頂砧合成過渡金屬氟化物的方法,其特征在于:包括以下步驟:

    3.根據權利要求2所述的一種金剛石對頂砧合成過渡金屬氟化物的方法,其特征在于:步驟(2)裝載過程在由氬氣保護的水氧含量低于0.01ppm的手套箱中進行。

    4.根據權利要求2所述的一種金剛石對頂砧合成過渡金屬氟化物的方法,其特征在于:步驟(3)封裝壓力低于傳壓介質凝固點,傳壓介質為液氮,壓力低于2.8gpa;傳壓介質為液氬,壓力低于1.2gpa。

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    【專利技術屬性】
    技術研發人員:于洪雨關榮樹王鑫崔田
    申請(專利權)人:吉林大學
    類型:發明
    國別省市:

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