【技術實現步驟摘要】
本技術屬于碳化硅生長，涉及生長裝置，尤其涉及一種生長坩堝蓋與生長坩堝堝體雙重升降旋轉結合的熱場調節方式的pvt法生長碳化硅單晶的生長裝置。
技術介紹
1、pvt(physical?vapor?transport,物理氣相沉積)法碳化硅(sic)單晶生長的基本過程包括原料分解升華、質量傳輸和在籽晶上結晶三個過程。當加熱到一定的溫度后原料主要分解為si、si2c、sic2氣體。
2、在生長過程中，首要解決的是溫場的均勻分布問題，以保證生長界面的均勻性，為二維層狀生長。通常根據溫場分布設計出的坩堝均為直通結構,如何對這種坩堝結構改造以降低晶體缺陷為當前碳化硅晶體生長中的趨勢。
技術實現思路
1、為了解決上述問題，本技術提供了一種pvt法生長碳化硅單晶的生長裝置，本技術將傳統結構的單一生長坩堝的的升降旋轉的熱場調節方式改由生長坩堝蓋與生長坩堝堝體雙重升降旋轉結合的熱場調節方式，通過這樣的改變，使得生長過程中的熱場的變化變得可控，料面距可控的靈活性大大提高，可以更精細的控制熱場的軸徑向溫度梯度。使得晶體生長形核初期均勻形核，減少缺陷，提高晶體生長質量，同時另一方面能夠大幅度的提高碳化硅粉料的利用率，為企業帶來效益。
2、為了實現上述目的，本技術采用以下技術方案：
3、本技術提供了一種pvt法生長碳化硅單晶的生長裝置，包括生長坩堝，籽晶，生長坩堝蓋與加熱裝置，所述生長坩堝蓋的上部固定設置有第一升降裝置，所述生長坩堝的下部固定設置有第二升降裝置，所述生長坩堝與
4、作為本技術的一種優選方案，重疊的相對移動部分占生長坩堝高度的10％-30％。
5、作為本技術的一種優選方案，所述第一升降裝置位于所述生長坩堝蓋上端的中心處。
6、作為本技術的一種優選方案，所述第二升降裝置位于所述生長坩堝下端的中心處。
7、作為本技術的一種優選方案，所述第一升降裝置與所述第二升降裝置的中心線處于同一軸心線上。
8、作為本技術的一種優選方案，所述第一升降裝置可旋轉。
9、作為本技術的一種優選方案，所述第二升降裝置可旋轉。
10、作為本技術的一種優選方案，所述第一升降裝置與所述第二升降裝置單獨升降或旋轉。
11、與現有技術相比，本技術具有以下有益效果：
12、1)本技術的生長裝置使得生長過程中的熱場的變化變得可控，料面距離可控的靈活性大大提高，可以更精細的控制熱場的軸徑向溫度梯度。使得晶體生長形核初期均勻形核，減少缺陷，提高晶體生長質量。
13、2)本技術為后續的碳化硅單晶連續生長提供了思路。
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1.一種PVT法生長碳化硅單晶的生長裝置，包括生長坩堝，籽晶，生長坩堝蓋與加熱裝置，其特征在于，所述生長坩堝蓋的上部固定設置有第一升降裝置，所述生長坩堝的下部固定設置有第二升降裝置，所述生長坩堝與所述生長坩堝蓋之間具有重疊的相對移動部分。
2.根據權利要求1所述的一種PVT法生長碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，重疊的相對移動部分占生長坩堝高度的10％-30％。
3.根據權利要求1所述的一種PVT法生長碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述第一升降裝置位于所述生長坩堝蓋上端的中心處。
4.根據權利要求1所述的一種PVT法生長碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述第二升降裝置位于所述生長坩堝下端的中心處。
5.根據權利要求3或4所述的一種PVT法生長碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述第一升降裝置與所述第二升降裝置的中心線處于同一軸心線上。
6.根據權利要求1所述的一種PVT法生長碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述第一升降裝置可旋轉。
7.根據權利要求1所述的一種PVT法生長碳化硅單晶的生長裝置，其特征在
8.根據權利要求1所述的一種PVT法生長碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述第一升降裝置與所述第二升降裝置單獨升降或旋轉。
...【技術特征摘要】
1.一種pvt法生長碳化硅單晶的生長裝置，包括生長坩堝，籽晶，生長坩堝蓋與加熱裝置，其特征在于，所述生長坩堝蓋的上部固定設置有第一升降裝置，所述生長坩堝的下部固定設置有第二升降裝置，所述生長坩堝與所述生長坩堝蓋之間具有重疊的相對移動部分。
2.根據權利要求1所述的一種pvt法生長碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，重疊的相對移動部分占生長坩堝高度的10％-30％。
3.根據權利要求1所述的一種pvt法生長碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述第一升降裝置位于所述生長坩堝蓋上端的中心處。
4.根據權利要求1所述的一種pvt法生長碳化硅單晶的生...
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱鑫煌，蔣琳，張龍昌，楊孝澤，羅俊儀，方政，
申請(專利權)人：乾晶半導體衢州有限公司，
類型：新型
國別省市：
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