【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及單晶硅生產(chǎn)制造，尤其涉及一種單晶爐及單晶硅的制備方法。
技術(shù)介紹
1、目前，現(xiàn)有技術(shù)通常采用直拉法在單晶爐內(nèi)制備單晶硅。為減少生產(chǎn)成本，現(xiàn)有技術(shù)通常采用連續(xù)復(fù)投工藝，以連續(xù)制備多根單晶硅棒；但是，現(xiàn)有的復(fù)投料機(jī)構(gòu)在加硅料時(shí)，由于硅料通過(guò)自由落體的方式落入坩堝內(nèi)，使得硅料易與復(fù)投料機(jī)構(gòu)的底部發(fā)生摩擦，進(jìn)而對(duì)硅料造成一定程度的污染，影響單晶硅制備后的品質(zhì)；并且硅料通過(guò)自由落體的方式落入坩堝內(nèi)，難以精準(zhǔn)控制硅料的添加量。現(xiàn)有單晶爐所制備的單晶硅的電阻率變化范圍較大，導(dǎo)致單晶硅的電阻率一致性較差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本專利技術(shù)提供一種單晶爐及單晶硅的制備方法。
2、本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案：
3、第一方面，本專利技術(shù)提供了一種單晶爐，包括：
4、爐體；
5、坩堝，設(shè)于所述爐體內(nèi)；
6、加料組件，包括第一支撐筒和第一升降桿；所述第一支撐筒設(shè)于所述爐體外，且所述第一支撐筒的一端穿設(shè)于所述爐體的爐壁；所述第一升降桿可移動(dòng)地設(shè)于所述第一支撐筒內(nèi)；所述第一升降桿的一端用于帶動(dòng)硅料件從所述第一支撐筒中伸入所述坩堝內(nèi)；
7、摻雜組件，包括第二支撐筒和第二升降桿；所述第二支撐筒設(shè)于所述爐體外，且所述第二支撐筒的一端穿設(shè)于所述爐體的爐壁；所述第二升降桿可移動(dòng)地設(shè)于所述第二支撐筒內(nèi)；所述第二升降桿的一端用于帶動(dòng)摻雜料件從所述第二支撐筒中伸入所述坩堝內(nèi)。
8、在一種可能的實(shí)施方式中，所述單
9、在一種可能的實(shí)施方式中，所述加料組件還包括第一連接件；所述第一連接件用于連接所述第一升降桿與所述硅料件。
10、在一種可能的實(shí)施方式中，所述加料組件還包括第一升降件；所述第一升降件設(shè)于所述第一支撐筒遠(yuǎn)離所述爐體的一端；所述第一升降件用于驅(qū)動(dòng)所述第一升降桿在所述第一支撐筒和所述保護(hù)筒內(nèi)移動(dòng)。
11、在一種可能的實(shí)施方式中，所述加料組件還包括第一擋板；所述第一擋板可移動(dòng)地設(shè)于所述爐體上；所述第一擋板用于隔斷所述保護(hù)筒與所述第一支撐筒之間的連通。
12、在一種可能的實(shí)施方式中，所述加料組件還包括第一抽氣管；所述第一抽氣管的一端與所述第一支撐筒連接，且所述第一抽氣管內(nèi)部與所述第一支撐筒內(nèi)部連通。
13、在一種可能的實(shí)施方式中，所述單晶爐還包括隔離件及多個(gè)連接塊；多個(gè)所述連接塊沿所述隔離件的周向均勻設(shè)置；所述連接塊遠(yuǎn)離所述隔離件的一端與所述坩堝的容腔內(nèi)壁連接；相鄰所述連接塊之間具有隔離槽；所述隔離槽與所述容腔連通。
14、在一種可能的實(shí)施方式中，所述單晶爐還包括拖桿；所述拖桿的一端可移動(dòng)地設(shè)于所述爐體內(nèi)，并與所述坩堝連接。
15、在一種可能的實(shí)施方式中，所述單晶爐還包括導(dǎo)流筒；所述導(dǎo)流筒設(shè)于所述爐體內(nèi)，且位于所述坩堝的上方。
16、第二方面，本專利技術(shù)還提供了一種單晶硅的制備方法，包括以下步驟：
17、熔化坩堝內(nèi)的硅料，使所述硅料成為硅熔體；
18、驅(qū)動(dòng)硅料件至所述硅熔體上方進(jìn)行預(yù)熱；
19、驅(qū)動(dòng)預(yù)熱后的所述硅料件逐漸伸入所述硅熔體內(nèi)，并使所述硅料件單位時(shí)間內(nèi)熔化的重量，與相同單位時(shí)間內(nèi)單晶硅生長(zhǎng)增加的重量相同；驅(qū)動(dòng)摻雜料件伸入所述硅熔體內(nèi)，并根據(jù)所述硅料件單位時(shí)間內(nèi)熔化的重量，控制所述摻雜料件向所述硅熔體內(nèi)的添加量。
20、相比現(xiàn)有技術(shù)，本專利技術(shù)的有益效果：
21、本專利技術(shù)提供的單晶爐，通過(guò)驅(qū)動(dòng)第一升降桿在第一支撐筒內(nèi)移動(dòng)，從而可以使得第一升降桿與硅料件連接的一端，能夠帶動(dòng)硅料件從第一支撐筒中伸入坩堝內(nèi)，以向坩堝內(nèi)進(jìn)行加料。通過(guò)控制第一升降桿的移動(dòng)速度，可以精準(zhǔn)控制硅料件的加料量；且硅料件加料時(shí)不易與爐體內(nèi)的部件發(fā)生摩擦。本專利技術(shù)的單晶爐通過(guò)驅(qū)動(dòng)第二升降桿在第二支撐筒內(nèi)移動(dòng)，從而可以使得第二升降桿與摻雜料件連接的一端，能夠帶動(dòng)摻雜料件從第二支撐筒中伸入坩堝內(nèi)，以向坩堝內(nèi)的硅熔體進(jìn)行摻雜；進(jìn)而調(diào)節(jié)單晶硅制備后的電阻率，提高單晶硅的電阻率的一致性。
22、為使本專利技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯和易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，做詳細(xì)說(shuō)明如下。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種單晶爐，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述單晶爐還包括保護(hù)筒；所述保護(hù)筒設(shè)于所述爐體內(nèi)；所述保護(hù)筒的一端設(shè)于所述爐體的內(nèi)壁上，且所述保護(hù)筒的內(nèi)部與所述第一支撐筒的內(nèi)部連通；所述保護(hù)筒遠(yuǎn)離所述爐體內(nèi)壁的一端朝向所述坩堝；所述第一升降桿與所述硅料件連接的一端可移動(dòng)地設(shè)于所述保護(hù)筒內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶爐，其特征在于，所述加料組件還包括第一連接件；所述第一連接件用于連接所述第一升降桿與所述硅料件。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶爐，其特征在于，所述加料組件還包括第一升降件；所述第一升降件設(shè)于所述第一支撐筒遠(yuǎn)離所述爐體的一端；所述第一升降件用于驅(qū)動(dòng)所述第一升降桿在所述第一支撐筒和所述保護(hù)筒內(nèi)移動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單晶爐，其特征在于，所述加料組件還包括第一擋板；所述第一擋板可移動(dòng)地設(shè)于所述爐體上；所述第一擋板用于隔斷所述保護(hù)筒與所述第一支撐筒之間的連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單晶爐，其特征在于，所述加料組件還包括第一抽氣管；所述第一抽氣管的一端與所述第一支撐筒連接，
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一些所述的單晶爐，其特征在于，所述單晶爐還包括隔離件及多個(gè)連接塊；多個(gè)所述連接塊沿所述隔離件的周向均勻設(shè)置；所述連接塊遠(yuǎn)離所述隔離件的一端與所述坩堝的容腔內(nèi)壁連接；相鄰所述連接塊之間具有隔離槽；所述隔離槽與所述容腔連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一些所述的單晶爐，其特征在于，所述單晶爐還包括拖桿；所述拖桿的一端可移動(dòng)地設(shè)于所述爐體內(nèi)，并與所述坩堝連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一些所述的單晶爐，其特征在于，所述單晶爐還包括導(dǎo)流筒；所述導(dǎo)流筒設(shè)于所述爐體內(nèi)，且位于所述坩堝的上方。
10.一種單晶硅的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種單晶爐，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述單晶爐還包括保護(hù)筒；所述保護(hù)筒設(shè)于所述爐體內(nèi)；所述保護(hù)筒的一端設(shè)于所述爐體的內(nèi)壁上，且所述保護(hù)筒的內(nèi)部與所述第一支撐筒的內(nèi)部連通；所述保護(hù)筒遠(yuǎn)離所述爐體內(nèi)壁的一端朝向所述坩堝；所述第一升降桿與所述硅料件連接的一端可移動(dòng)地設(shè)于所述保護(hù)筒內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶爐，其特征在于，所述加料組件還包括第一連接件；所述第一連接件用于連接所述第一升降桿與所述硅料件。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶爐，其特征在于，所述加料組件還包括第一升降件；所述第一升降件設(shè)于所述第一支撐筒遠(yuǎn)離所述爐體的一端；所述第一升降件用于驅(qū)動(dòng)所述第一升降桿在所述第一支撐筒和所述保護(hù)筒內(nèi)移動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單晶爐，其特征在于，所述加料組件還包括第一擋板；所述第一擋板可移動(dòng)地設(shè)于所述爐體上；所述第一擋板用于隔斷所述保...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄒凱，莫磊，張國(guó)宏，田棟東，李長(zhǎng)營(yíng)，張德林，周文東，杜明，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：甘肅瓜州寶豐硅材料開(kāi)發(fā)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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