【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電流產生，具體涉及一種低溫漂的電流產生電路和集成電路。
技術介紹
1、在現代集成電路中，低溫漂基準電流對于電路的性能和穩定性都有很大影響。在現有電路設計中，基準電流通常由帶隙基準電壓除以電阻產生，而帶隙基準電壓是低溫漂電壓，因此基準電流的低溫漂特性通常由電阻的低溫漂特性保證。
2、目前，低溫漂的電阻主要有以下兩種獲取方式：
3、方式一：有芯片代工廠提供低溫漂電阻，例如金屬薄膜電阻，雖然這種方式最為簡單直接，但是該方式對微納加工的工藝水平要求較高，在多數工藝中難以實現，不利于實際應用；
4、方式二：將正溫電阻和負溫電阻按照一定的比例串聯搭配使用，拼湊出一定阻值的低溫漂電阻，同時這是目前常用的一種方式，但是這種方式在使用時存在以下問題：
5、首先正溫電阻性能較差，n阱正溫電阻存在襯底漏電、精度低等問題；
6、其次多晶正溫電阻則通常方塊阻值較低，需要很大的版圖面積作為代價；
7、最后兩種不同溫度特性的電阻在版圖上可能存在匹配性差的問題。
8、結合上述內容可知，傳統的低溫漂電流產生電路極度依賴電阻的溫漂特性。
技術實現思路
1、鑒于
技術介紹
的不足，本專利技術是提供了一種低溫漂的電流產生電路和集成電路，所要解決的技術問題是現有的低溫漂的電流產生電路在產生低溫漂的基準電流時只能通過調整電阻來改變溫漂特性。
2、為解決以上技術問題，第一方面，本專利技術提供了如下技術方案：一種低溫漂的電流
3、所述帶隙基準單元用于輸出基準電壓vbg，所述基準電壓vbg由帶隙電流ibg流過帶隙電阻產生；
4、所述第一電流復制單元和第二電流復制單元分別用于復制所述帶隙電流ibg，并分別產生第一復制電流和第二復制電流；
5、所述第一電流復制單元的電流輸出端分別與帶隙三極管的發射極和電阻分壓單元的輸入端電連接，所述帶隙三極管的基極、集電極和電阻分壓單元的輸出端均接地；
6、所述第二電流復制單元的電流輸出端分別與第一電阻一端和電壓跟隨單元的輸入端電連接，第一電阻另一端與所述電阻分壓單元的一個分壓節點電連接，所述電壓跟隨單元的輸出端與所述第二電阻一端電連接，第二電阻另一端接地。
7、在第一方面的某種實施方式中，所述帶隙基準單元包括mos管p1、mos管p2、mos管p3、mos管p4、運算放大器amp1、電阻r1、兩個電阻r2、電阻r3、兩個電阻r4、三極管q1、三極管q2和三極管q3；
8、所述mos管p1的源極分別與mos管p2的源極、mos管p3的源極和mos管p4的源極電連接，用于接入電源；
9、所述mos管p1的柵極分別與mos管p2的柵極、mos管p3的柵極、mos管p4的柵極和運算放大器amp1的輸出端電連接；
10、所述mos管p1的漏極通過mos管p7分別與電阻r1一端、一個電阻r2一端、一個電阻r4一端和運算放大器amp1的正輸入端電連接，電阻r1另一端與三極管q1的發射極電連接，三極管q1的基極、三極管q1的集電極和一個電阻r2一端均接地；
11、所述mos管p2的漏極通過mos管p8分別與另一個電阻r2一端、另一個電阻r4一端、運算放大器amp1的負輸入端和三極管q2的發射極電連接，三極管q2的基極、三極管q2的集電極和另一個電阻r2另一端均接地；
12、所述mos管p3的漏極通過mos管p9分別與兩個電阻r4的另一端和三極管q3的發射極電連接，三極管q3的基極和集電極均接地；
13、所述mos管p4的漏極通過mos管p10與電阻r3一端電連接，電阻r3另一端接地，電阻r3上的壓降為所述基準電壓vbg；
14、mos管p7的柵極分別與mos管p8的柵極、mos管p9的柵極和mos管p10的柵極電連接，用于輸入偏置電壓vg。
15、在第一方面的某種實施方式中，所述第一電流復制單元包括mos管p5，mos管p5的源極與mos管p1的源極電連接，mos管p5的柵極與mos管p1的柵極電連接，mos管p1的漏極與帶隙三極管的發射極電連接。
16、在第一方面的某種實施方式中，所述第二電流復制單元包括mos管p6，mos管p6的源極與mos管p1的源極電連接，mos管p6的柵極與mos管p1的柵極電連接，mos管p6的漏極與第一電阻一端電連接。
17、在第一方面的某種實施方式中，所述mos管p5的漏極通過mos管p11與三極管q4的發射極電連接，mos管p6的漏極通過mos管p12與電阻r7電連接；
18、mos管p7的柵極還分別與mos管p11的柵極和mos管p12的柵極電連接。
19、在第一方面的某種實施方式中，所述mos管p1、mos管p2、mos管p3、mos管p4?、mos管p5、mos管p6、mos管p7、mos管p8、mos管p9、mos管p10、mos管p11和mos管p12均為pmos管。
20、在第一方面的某種實施方式中，包括n個三極管q1，n為大于1的正整數，n個三極管q1并聯，每個三極管q1的基極與自身的集電極電連接。
21、在第一方面的某種實施方式中，所述電阻分壓單元包括電阻r5和電阻r6，電阻r5一端與為電阻分壓單元的輸入端，電阻r5另一端與電阻r6一端電連接，為電阻分壓單元的分壓節點，電阻r6另一端為電阻分壓單元的輸出端。
22、在第一方面的某種實施方式中，所述電壓跟隨單元包括運算放大器amp2、mos管p13和mos管p14，所述運算放大器amp2的負輸入端與第一電阻一端電連接，運算放大器amp2的輸出端與mos管p13的柵極電連接，mos管p13的源極用于接入電源，mos管p13的漏極與mos管p14的源極電連接，mos管p14的柵極用于輸入電壓vcg，mos管p14的漏極分別與運算放大器amp1的正輸入端和第二電阻電連接。
23、第二方面，本專利技術提供了一種集成電路，集成電路上設有上述的一種低溫漂的電流產生電路。
24、本專利技術與現有技術相比所具有的有益效果是：本專利技術的電流產生電路在帶隙基準單元輸出基準電壓vbg的基礎上，通過第一電流復制單元、第二電流復制單元、帶隙三極管、電阻分壓單元和第一電阻，可以產生一個負溫度系數且系數可調、電壓值可調的參考電壓，該參考電壓經過電壓跟隨單元輸入到第二電阻上產生電流，因此對于本專利技術其可以通過帶隙三極管、電阻分壓單元和第一電阻可以適配多種負溫度系數的電阻來產生低溫漂的基準電流，使電流產生電路產生的低溫漂電流并不再依賴于低溫漂的電阻。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，包括帶隙基準單元、第一電流復制單元、第二電流復制單元、電阻分壓單元、帶隙三極管、第一電阻、電壓跟隨單元和第二電阻；
2.根據權利要求1所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，所述帶隙基準單元包括MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、運算放大器AMP1、電阻R1、兩個電阻R2、電阻R3、兩個電阻R4、三極管Q1、三極管Q2和三極管Q3；
3.根據權利要求2所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，所述第一電流復制單元包括MOS管P5，MOS管P5的源極與MOS管P1的源極電連接，MOS管P5的柵極與MOS管P1的柵極電連接，MOS管P1的漏極與帶隙三極管的發射極電連接。
4.根據權利要求3所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，所述第二電流復制單元包括MOS管P6，MOS管P6的源極與MOS管P1的源極電連接，MOS管P6的柵極與MOS管P1的柵極電連接，MOS管P6的漏極與第一電阻一端電連接。
5.根據權利要求4所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，所述MO
6.?根據權利要求5所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，所述MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4?、MOS管P5、MOS管P6、MOS管P7、MOS管P8、MOS管P9、MOS管P10、MOS管P11和MOS管P12均為PMOS管。
7.根據權利要求2所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，包括n個三極管Q1，n為大于1的正整數，n個三極管Q1并聯，每個三極管Q1的基極與自身的集電極電連接。
8.根據權利要求1所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，所述電阻分壓單元包括電阻R5和電阻R6，電阻R5一端與為電阻分壓單元的輸入端，電阻R5另一端與電阻R6一端電連接，為電阻分壓單元的分壓節點，電阻R6另一端為電阻分壓單元的輸出端。
9.根據權利要求1所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，所述電壓跟隨單元包括運算放大器AMP2、MOS管P13和MOS管P14，所述運算放大器AMP2的負輸入端與第一電阻一端電連接，運算放大器AMP2的輸出端與MOS管P13的柵極電連接，MOS管P13的源極用于接入電源，MOS管P13的漏極與MOS管P14的源極電連接，MOS管P14的柵極用于輸入電壓VCG，MOS管P14的漏極分別與運算放大器AMP1的正輸入端和第二電阻電連接。
10.一種集成電路，其特征在于，所述集成電路上設有權利要求1-9任一項所述的一種低溫漂的電流產生電路。
...【技術特征摘要】
1.一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，包括帶隙基準單元、第一電流復制單元、第二電流復制單元、電阻分壓單元、帶隙三極管、第一電阻、電壓跟隨單元和第二電阻；
2.根據權利要求1所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，所述帶隙基準單元包括mos管p1、mos管p2、mos管p3、mos管p4、運算放大器amp1、電阻r1、兩個電阻r2、電阻r3、兩個電阻r4、三極管q1、三極管q2和三極管q3；
3.根據權利要求2所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，所述第一電流復制單元包括mos管p5，mos管p5的源極與mos管p1的源極電連接，mos管p5的柵極與mos管p1的柵極電連接，mos管p1的漏極與帶隙三極管的發射極電連接。
4.根據權利要求3所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，所述第二電流復制單元包括mos管p6，mos管p6的源極與mos管p1的源極電連接，mos管p6的柵極與mos管p1的柵極電連接，mos管p6的漏極與第一電阻一端電連接。
5.根據權利要求4所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，所述mos管p5的漏極通過mos管p11與三極管q4的發射極電連接，mos管p6的漏極通過mos管p12與電阻r7電連接；
6.?根據權利要求5所述的一種低溫漂的電流產生電路，其特征在于，所述m...
【專利技術屬性】
技術研發人員：羅寅，譚在超，丁國華，
申請(專利權)人：蘇州鍇威特半導體股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。