System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和長度必須引用該字符串內的位置。 參數名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及寡核苷酸合成,尤其涉及一種微流控芯片及其制備方法和應用。
技術介紹
1、寡核苷酸可作為dna合成的引物(primer)、基因探針(probe)等,在現代分子生物學研究中具有廣泛的用途。
2、現有技術中通常采用96微孔板合成寡核苷酸,如傳統一代寡核苷酸合成技術采用96微孔板柱式合成法,單次最多可以合成96條寡核苷酸,不便于實現寡核苷酸的高通量合成。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種微流控芯片及其制備方法和應用,本專利技術提供的微流控芯片便于實現寡核苷酸的高通量合成。
2、為了實現上述專利技術目的,本專利技術提供以下技術方案:
3、本專利技術提供了一種微流控芯片,包括陣列分布的大孔,每個所述大孔的底部設置有陣列分布的小孔,且每個所述大孔與其底部陣列分布的小孔貫通;所述小孔的側壁表面經活性官能化修飾,所述微流控芯片中除小孔側壁表面以外的區域經惰性官能化修飾。
4、優選地,所述微流控芯片包括陣列分布的單元,每個所述單元包括陣列分布的所述大孔;所述單元的直徑為0.5~5mm。
5、優選地,所述大孔的直徑為0.04~0.16mm,深度為0.2~0.9mm,孔間距為0.042~1.354mm。
6、優選地,所述小孔的直徑為0.005~0.03mm,深度為0.02~0.1mm,孔間距為0.005~0.02mm。
7、優選地,所述活性官能化修飾所用活性功能化分子包括保護胸苷、保護腺苷或保護
8、優選地,所述微流控芯片的材質包括硅、玻璃或塑料。
9、本專利技術提供了上述技術方案所述微流控芯片的制備方法,包括以下步驟:
10、提供第一器件,所述第一器件包括陣列分布的大孔,每個所述大孔的底部貫通設置有陣列分布的小孔;
11、在所述第一器件的小孔中填充光刻膠,對所述小孔填充有光刻膠的第一器件進行惰性官能化修飾,之后去除所述小孔中光刻膠,得到第二器件;
12、將所述第二器件進行活性官能化修飾,得到所述微流控芯片。
13、優選地,所述活性官能化修飾包括:
14、將所述第二器件進行羥基化處理,得到第三器件;
15、將所述第三器件浸泡于硅烷偶聯劑溶液中進行偶聯處理,得到第四器件;
16、將所述第四器件進行固化處理,得到第五器件;
17、在活性官能化修飾所用活性功能化分子存在條件下,將所述第五器件進行修飾處理,得到所述微流控芯片。
18、本專利技術提供了上述技術方案所述微流控芯片或上述技術方案所述制備方法制備得到的微流控芯片在寡核苷酸合成中的應用。
19、優選地,合成所述寡核苷酸所需的核苷酸單體試劑與活化試劑采用噴墨打印方式加料至大孔中。
20、本專利技術提供了一種微流控芯片,包括陣列分布的大孔,每個所述大孔的底部設置有陣列分布的小孔,且每個所述大孔與其底部陣列分布的小孔貫通;所述小孔的側壁表面經活性官能化修飾,所述微流控芯片中除小孔側壁表面以外的區域經惰性官能化修飾。本專利技術提供的微流控芯片中除小孔側壁表面以外的區域經惰性官能化修飾,可以作為非反應區域用于寡核苷酸合成試劑的收集,小孔的側壁表面經活性官能化修飾,可以作為反應區域用于寡核苷酸的生長合成。本專利技術中微流控芯片上每個大孔(二級結構)可以合成一種核酸序列,小孔(三級結構)能夠增加比表面積,與現有技術通常采用96微孔板合成寡核苷酸相比,更易于實現寡核苷酸的高通量合成。同時,采用本專利技術制備的微流控芯片便于借助工業噴墨打印方式將反應試劑輸送至微流控芯片表面,且反應試劑加入量由傳統96微孔板柱式合成法的毫升級別降為皮升級別,微流控芯片表面液滴為微米級別大小,故1平方厘米大小微流控芯片即可實現數萬條寡核苷酸的同時合成,此外還能夠大大降低反應試劑消耗量。
21、進一步地,本專利技術提供的所述微流控芯片包括陣列分布的單元,每個所述單元包括陣列分布的所述大孔。本專利技術中微流控芯片上每個單元(一級結構)包括陣列分布的大孔,每個大孔可以合成一種核酸序列,每個單元中所有核酸序列可以拼接為一條長的核酸序列,應用更為靈活。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種微流控芯片,其特征在于,包括陣列分布的大孔,每個所述大孔的底部設置有陣列分布的小孔,且每個所述大孔與其底部陣列分布的小孔貫通;所述小孔的側壁表面經活性官能化修飾,所述微流控芯片中除小孔側壁表面以外的區域經惰性官能化修飾。
2.根據權利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,所述微流控芯片包括陣列分布的單元,每個所述單元包括陣列分布的所述大孔;所述單元的直徑為0.5~5mm。
3.根據權利要求1或2所述的微流控芯片,其特征在于,所述大孔的直徑為0.04~0.16mm,深度為0.2~0.9mm,孔間距為0.042~1.354mm。
4.根據權利要求3所述的微流控芯片,其特征在于,所述小孔的直徑為0.005~0.03mm,深度為0.02~0.1mm,孔間距為0.005~0.02mm。
5.根據權利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,所述活性官能化修飾所用活性功能化分子包括保護胸苷、保護腺苷或保護鳥苷;所述惰性官能化修飾所用惰性功能化分子包括氟硅烷、氮硅烷或烷基硅烷。
6.根據權利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,所述微流
7.權利要求1~6任一項所述微流控芯片的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
8.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述活性官能化修飾包括:
9.權利要求1~6任一項所述微流控芯片或權利要求7或8所述制備方法制備得到的微流控芯片在寡核苷酸合成中的應用。
10.根據權利要求9所述的應用,其特征在于,合成所述寡核苷酸所需的核苷酸單體試劑與活化試劑采用噴墨打印方式加料至大孔中。
...【技術特征摘要】
1.一種微流控芯片,其特征在于,包括陣列分布的大孔,每個所述大孔的底部設置有陣列分布的小孔,且每個所述大孔與其底部陣列分布的小孔貫通;所述小孔的側壁表面經活性官能化修飾,所述微流控芯片中除小孔側壁表面以外的區域經惰性官能化修飾。
2.根據權利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,所述微流控芯片包括陣列分布的單元,每個所述單元包括陣列分布的所述大孔;所述單元的直徑為0.5~5mm。
3.根據權利要求1或2所述的微流控芯片,其特征在于,所述大孔的直徑為0.04~0.16mm,深度為0.2~0.9mm,孔間距為0.042~1.354mm。
4.根據權利要求3所述的微流控芯片,其特征在于,所述小孔的直徑為0.005~0.03mm,深度為0.02~0.1mm,孔間距為0.005~0.02mm。
【專利技術屬性】
技術研發人員:王武,伍建,
申請(專利權)人:北京銘毅智造科技有限公司,
類型:發明
國別省市:
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。