【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及光電傳感器領域，具體涉及一種新型光電傳感器電路。
技術介紹
1、現(xiàn)行市面上的光電傳感器主要分兩種：1、分立式器件方案，其不足是：分立式元器件較多，pcb板占據空間較大，整個系統(tǒng)運行穩(wěn)定性差；整個電路設計中保護電路由各電子元器件實現(xiàn)，保護電路較少；2、半集成芯片方案，其不足是：芯片設計保護功能較少，僅有負載過流保護，其余防反接保護與穩(wěn)壓功能仍由外接電子元器件實現(xiàn)；除芯片外，其余電子元器件相對較多，系統(tǒng)穩(wěn)定性較差。
技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術解決了目前光電傳感器電路所需電子元器件多或者缺少保護電路的問題，提出一種新型光電傳感器電路，整體電路設計所需的電子元器件少，且整體電路系統(tǒng)穩(wěn)定性大幅度提高；集成芯片內部集成了多種保護電路，提高電路的安全性。
2、為了實現(xiàn)上述目的，本專利技術采用以下技術方案：一種新型光電傳感器電路，包括集成芯片u3，所述集成芯片u3分別連接有紅外信號發(fā)生器u1以及紅外信號接收器u2；所述集成芯片u3包括邏輯控制電路和恒流發(fā)射電路，所述邏輯控制電路分別連接有負載保護模塊以及電壓沖擊保護模塊；所述邏輯控制電路包括若干個開關芯片。
3、本技術方案中，設置有一個集成芯片u3，其不僅僅具備有控制功能，還設置有多種保護模塊，例如負載保護模塊和電壓沖擊保護模塊；同時，由于集成芯片u3集成了大量的功能，故其一個元器件能夠抵上多個元器件，整個電路所需的電子元器件少，且大量的保護模塊能夠保證整體電路運行的安全性。
4、本專利技術還進一
5、本技術方案中，由三極管q3、三極管q4、電阻r3、電阻r6、電阻r7和二極管u1組成的恒流發(fā)射電路發(fā)出紅外信號。
6、本專利技術還進一步設置為：所述電壓沖擊保護模塊包括高壓nmos，所述高壓nmos的柵極分別連接有若干個穩(wěn)壓二極管和mos管avdd。
7、本技術方案中，電壓沖擊保護模塊能夠起到電壓保護的作用。
8、本專利技術還進一步設置為：所述負載保護模塊包括過流保護單元和短路保護單元，所述過流保護單元包括第一比較器，所述過流保護單元包括第二比較器，第一比較器和第二比較器相連接，第一比較器和第二比較器均連接邏輯控制電路。
9、本技術方案中，負載保護模塊能夠起到短路保護和過流保護的作用。
10、本專利技術還進一步設置為：所述集成芯片u3的接地引腳連接有電容c1，所述電容c1的另一端分別連接集成芯片u3的第一電源引腳和電阻r1，所述電阻r1的另一端連接電源端。
11、本技術方案中，電阻r1、電容c1能夠組成rc濾波電路。
12、本專利技術還進一步設置為：所述集成芯片u3還連接有輸出信號動作顯示模塊，所述輸出信號動作顯示模塊包括發(fā)光二極管led1，所述發(fā)光二極管led1的正極與集成芯片u3的顯示引腳連接，所述發(fā)光二極管led1的負極接地。
13、本技術方案中，發(fā)光二極管led1能夠顯示輸出信號動作。
14、本專利技術還進一步設置為：所述開關芯片包括第一開關芯片q5和第二開關芯片q6，所述第一開關芯片q5和第二開關芯片q6分別連接有三極管q1和三極管q2。
15、本技術方案中，第一開關芯片q5和第二開關芯片q6能夠對上述的三極管q1和三極管q2進行輸出控制。
16、本專利技術還進一步設置為：所述邏輯控制電路還連接有過溫保護模塊。
17、本技術方案中，過溫保護模塊能夠防止集成芯片u3溫度過高。
18、本專利技術還進一步設置為：所述發(fā)光二極管led1采用側貼方式設置。
19、本技術方案中，發(fā)光二極管led1采用側貼方式進行設計能夠降低設計成本。
20、本專利技術還進一步設置為：所述紅外信號發(fā)生器u1以及紅外信號接收器u2采用側貼方式設置。
21、本技術方案中，上述的設計能夠有效降低外殼設計空間與pcba組裝焊接成本。
22、本專利技術能夠帶來如下的有益效果：
23、本專利技術涉及的一種新型光電傳感器電路，整體電路設計所需的電子元器件少，且整體電路系統(tǒng)穩(wěn)定性大幅度提高；集成芯片內部集成了多種保護電路，提高電路的安全性。
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1.一種新型光電傳感器電路，其特征在于，包括集成芯片U3，所述集成芯片U3分別連接有紅外信號發(fā)生器U1以及紅外信號接收器U2；所述集成芯片U3包括邏輯控制電路和恒流發(fā)射電路，所述邏輯控制電路分別連接有負載保護模塊以及電壓沖擊保護模塊；所述邏輯控制電路包括若干個開關芯片。
2.根據權利要求1所述的一種新型光電傳感器電路，其特征在于，所述恒流發(fā)射電路包括三極管Q3的集電極連接有電阻R3，所述電阻R3連接有電阻R6，所述電阻R6連接有二極管U1，所述二極管U1連接有三極管Q4的集電極，所述三極管Q4的基極連接三極管Q3的集電極，所述三極管Q4的發(fā)射極分別連接有電阻R7和三極管Q3的基極，所述電阻R7連接三極管Q3的發(fā)射極。
3.根據權利要求1或2所述的一種新型光電傳感器電路，其特征在于，所述電壓沖擊保護模塊包括高壓NMOS，所述高壓NMOS的柵極分別連接有若干個穩(wěn)壓二極管和MOS管AVDD。
4.根據權利要求3所述的一種新型光電傳感器電路，其特征在于，所述負載保護模塊包括過流保護單元和短路保護單元，所述過流保護單元包括第一比較器，所述過流保護單元包括
5.根據權利要求1或2或4所述的一種新型光電傳感器電路，其特征在于，所述集成芯片U3的接地引腳連接有電容C1，所述電容C1的另一端分別連接集成芯片U3的第一電源引腳和電阻R1，所述電阻R1的另一端連接電源端。
6.根據權利要求1或2或4所述的一種新型光電傳感器電路，其特征在于，所述集成芯片U3還連接有輸出信號動作顯示模塊，所述輸出信號動作顯示模塊包括發(fā)光二極管LED1，所述發(fā)光二極管LED1的正極與集成芯片U3的顯示引腳連接，所述發(fā)光二極管LED1的負極接地。
7.根據權利要求5所述的一種新型光電傳感器電路，其特征在于，所述開關芯片包括第一開關芯片Q5和第二開關芯片Q6，所述第一開關芯片Q5和第二開關芯片Q6分別連接有三極管Q1和三極管Q2。
8.根據權利要求所述的一種新型光電傳感器電路，其特征在于，所述邏輯控制電路還連接有過溫保護模塊。
9.根據權利要求6所述的一種新型光電傳感器電路，其特征在于，所述發(fā)光二極管LED1采用側貼方式設置。
10.根據權利要求1或2或4所述的一種新型光電傳感器電路，其特征在于，所述紅外信號發(fā)生器U1以及紅外信號接收器U2采用側貼方式設置。
...【技術特征摘要】
1.一種新型光電傳感器電路，其特征在于，包括集成芯片u3，所述集成芯片u3分別連接有紅外信號發(fā)生器u1以及紅外信號接收器u2；所述集成芯片u3包括邏輯控制電路和恒流發(fā)射電路，所述邏輯控制電路分別連接有負載保護模塊以及電壓沖擊保護模塊；所述邏輯控制電路包括若干個開關芯片。
2.根據權利要求1所述的一種新型光電傳感器電路，其特征在于，所述恒流發(fā)射電路包括三極管q3的集電極連接有電阻r3，所述電阻r3連接有電阻r6，所述電阻r6連接有二極管u1，所述二極管u1連接有三極管q4的集電極，所述三極管q4的基極連接三極管q3的集電極，所述三極管q4的發(fā)射極分別連接有電阻r7和三極管q3的基極，所述電阻r7連接三極管q3的發(fā)射極。
3.根據權利要求1或2所述的一種新型光電傳感器電路，其特征在于，所述電壓沖擊保護模塊包括高壓nmos，所述高壓nmos的柵極分別連接有若干個穩(wěn)壓二極管和mos管avdd。
4.根據權利要求3所述的一種新型光電傳感器電路，其特征在于，所述負載保護模塊包括過流保護單元和短路保護單元，所述過流保護單元包括第一比較器，所述過流保護單元包括第二比較器，第一比較器和第二比較器相連接，第一比較器和第二比較器均連接邏輯...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：王世忠，陳早陽，錢俊，劉陽，武晉，沈宏旭，
申請(專利權)人：寧波亞德客自動化工業(yè)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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