【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及蝕刻裝置及蝕刻方法。
技術(shù)介紹
1、作為從硅基板除去自然氧化膜的蝕刻裝置的一例，由通過微波照射而生成的等離子體中的自由基生成自然氧化膜的蝕刻劑。蝕刻裝置通過硅基板的加熱使由蝕刻劑和自然氧化膜生成的絡(luò)化物氣化(參照日本特開2022-59358號公報)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、專利技術(shù)要解決的課題
2、用于生成蝕刻劑的等離子體含有如氫自由基、氮化氫自由基等那樣用于使自然氧化膜還原的氫原子、和用于延長自由基壽命的氮原子。含有氫原子和氮原子的等離子體的生成向供給氫氣或氨氣的石英管照射微波。另一方面，持續(xù)生成含有氫原子和氮原子的等離子體的石英管由于伴隨使用期間的長期化的氮化的進(jìn)行等而降低自然氧化膜的蝕刻速度。
3、用于解決課題的方案
4、根據(jù)一觀點(diǎn)的蝕刻裝置，具備：照射微波的放電管；和向所述放電管供給混合氣體的氣體供給部，所述蝕刻裝置構(gòu)成為在所述放電管內(nèi)生成所述混合氣體的等離子體，通過向基板具備的含硅膜供給含氟氣體和等離子體而蝕刻所述含硅膜，所述混合氣體含有氫原子、氮原子以及氧原子，所述放電管以氧化鋁為主要成分而構(gòu)成。。
5、根據(jù)一觀點(diǎn)的蝕刻方法包括：向放電管供給混合氣體；通過向所述放電管照射微波而在所述放電管內(nèi)生成所述混合氣體的等離子體；以及通過向基板具備的含硅膜供給含氟氣體和所述等離子體而蝕刻所述含硅膜，所述混合氣體含有氫原子、氮原子以及氧原子，所述放電管以氧化鋁為主要成分而構(gòu)成。
6、根據(jù)上述各結(jié)構(gòu)，生成氫自由基或氮化氫
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1.一種蝕刻裝置，其特征在于，具備：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蝕刻裝置，其中，
5.一種蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻方法包括：
【技術(shù)特征摘要】
1.一種蝕刻裝置，其特征在于，具備：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：隣嘉津彥，井上寬揚(yáng)，小野洋平，樸俊唱，金洹渶，
申請(專利權(quán))人：株式會社愛發(fā)科，
類型：發(fā)明
國別省市：
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