【技術實現步驟摘要】
本申請涉及電源控制，具體而言，涉及一種電源電壓閾值判斷電路。
技術介紹
1、在集成電路中，電源電壓在使用（包括上電、供電以及掉電）過程需要利用電源電壓閾值判斷電路來判斷電源電壓的大小，現有的電源電壓的大小判斷普遍采用如附圖1所示的基于五管比較電路結合電阻分壓來實現判斷的電源電壓閾值判斷電路來實現，該電路需要額外設置電阻器來產生電阻分壓v1以及設置參考電壓電路配置參考電壓vref來進行判斷，存在面積大、靜態功耗高的缺點，且難以適用于低電壓閾值的判斷。
2、針對上述問題，目前尚未有有效的技術解決方案。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種電源電壓閾值判斷電路，以使電路具有面積小、靜態功耗低的優勢，且適用于低電壓閾值的判斷。
2、本申請提供了一種電源電壓閾值判斷電路，用于判斷電源電壓是否建立至電壓閾值，所述電源電壓閾值判斷電路包括：分壓晶體管組、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、開關模塊和施密特觸發器；
3、所述分壓晶體管組的一端與所述電源電壓連接，另一端與所述第三晶體管的柵極連接，并通過所述開關模塊接地，所述分壓晶體管組包括至少一個柵漏連接的晶體管；
4、所述第一晶體管的源極與所述電源電壓連接，且柵漏連接，其漏極通過所述開關模塊接地；
5、所述第二晶體管的源極與所述電源電壓連接，其柵極與所述第一晶體管柵極連接，其漏極與所述第三晶體管漏極及所述施密特觸發器的輸入端連接；
6、所述第三晶體管源極接地。
<...【技術保護點】
1.一種電源電壓閾值判斷電路，用于判斷電源電壓是否建立至電壓閾值，其特征在于，所述電源電壓閾值判斷電路包括：分壓晶體管組、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、開關模塊和施密特觸發器；
2.根據權利要求1所述的電源電壓閾值判斷電路，其特征在于，所述分壓晶體管組包括第四晶體管和第五晶體管；
3.根據權利要求2所述的電源電壓閾值判斷電路，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第四晶體管和所述第五晶體管均為PMOS管，所述第三晶體管為NMOS管。
4.根據權利要求1所述的電源電壓閾值判斷電路，其特征在于，所述開關模塊包括電流鏡電路，所述電流鏡電路包括多個鏡像電流支路，所述第一晶體管的漏極和所述分壓晶體管組的一端分別通過一鏡像電流支路接地。
5.根據權利要求4所述的電源電壓閾值判斷電路，其特征在于，所述電流鏡電路為NMOS電流鏡。
6.根據權利要求1所述的電源電壓閾值判斷電路，其特征在于，所述施密特觸發器的高轉低電壓閾值為電源電壓的1/2。
7.根據權利要求1所述的電源電壓閾值判斷電路，其特征在于，所述施密特
8.根據權利要求7所述的電源電壓閾值判斷電路，其特征在于，所述電源電壓閾值判斷電路還包括反相器；
9.根據權利要求8所述的電源電壓閾值判斷電路，其特征在于，所述電源電壓閾值判斷電路還包括正反饋模塊，所述正反饋模塊的輸入端與所述反相器的輸出端連接，所述正反饋模塊的輸出端與所述第三晶體管的柵極連接。
10.根據權利要求9所述的電源電壓閾值判斷電路，其特征在于，所述正反饋模塊包括第六晶體管；
...【技術特征摘要】
1.一種電源電壓閾值判斷電路，用于判斷電源電壓是否建立至電壓閾值，其特征在于，所述電源電壓閾值判斷電路包括：分壓晶體管組、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、開關模塊和施密特觸發器；
2.根據權利要求1所述的電源電壓閾值判斷電路，其特征在于，所述分壓晶體管組包括第四晶體管和第五晶體管；
3.根據權利要求2所述的電源電壓閾值判斷電路，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第四晶體管和所述第五晶體管均為pmos管，所述第三晶體管為nmos管。
4.根據權利要求1所述的電源電壓閾值判斷電路，其特征在于，所述開關模塊包括電流鏡電路，所述電流鏡電路包括多個鏡像電流支路，所述第一晶體管的漏極和所述分壓晶體管組的一端分別通過一鏡像電流支路接地。
5.根據權利要求4所述的電...
【專利技術屬性】
技術研發人員：龍薛米，王兵，
申請(專利權)人：博爾微晶深圳科技有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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