【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及橋式整流器，具體為一種高整流效率的d5橋式整流器。
技術介紹
1、整流器是把交流電轉換成直流電的裝置，可用于供電裝置及偵測無線電信號等。整流器可以由真空管，引燃管，固態矽半導體二極管，汞弧等制成。相反，一套把直流電轉換成交流電的裝置，則稱為逆變器。而橋式整流器是由四只整流硅芯片作橋式連接，外用絕緣塑料封裝而成，大功率橋式整流器在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強散熱。而d5橋式整流器是橋式整流器其中的一種；
2、橋式整流是對二極管半波整流的一種改進；半波整流利用二極管單向導通特性，在輸入為標準正弦波的情況下，輸出獲得正弦波的正半部分，負半部分則損失掉；橋式整流器利用四個二極管，兩兩對接。輸入正弦波的正半部分是兩只管導通，得到正的輸出；輸入正弦波的負半部分時，另兩只管導通，由于這兩只管是反接的，所以輸出還是得到正弦波的正半部分。橋式整流器對輸入正弦波的利用效率比半波整流高一倍。橋式整流是交流電轉換成直流電的第一個步驟；橋式整流器是由多只整流二極管作橋式連接，外用絕緣塑料封裝而成，大功率橋式整流器在絕緣層外添加金屬殼包封，增強散熱。橋式整流器品種多，性能優良，整流效率高，穩定性好，最大整流電流從0.5a到50a，最高反向峰值電壓從50v到1000v；
3、現有的d5橋式整流器，在使用時，無法對橋式整流器主體進行高效散熱，外殼體內部的熱量不易快速散去，使得不利于橋式整流器主體高效運行，導致整流效率低，且安裝不便，因此迫切的需要一種高整流效率的d5橋式整流器來解決上述技術問題。
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1、本專利技術的目的在于提供一種高整流效率的d5橋式整流器，以解決上述
技術介紹
中提出的現有的d5橋式整流器，在使用時，無法對橋式整流器主體進行高效散熱，外殼體內部的熱量不易快速散去，使得不利于橋式整流器主體高效運行，導致整流效率低，且安裝不便的問題。
2、為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：
3、一種高整流效率的d5橋式整流器，包括橋式整流器主體，所述橋式整流器主體的外側設置有外殼體，所述橋式整流器主體的上下兩端均通過連接塊與外殼體的上下兩內側壁相連接，所述外殼體的左下側連接有左安裝塊，所述外殼體的右下側連接有右安裝塊，所述左安裝塊和右安裝塊上均開設有安裝孔，所述橋式整流器主體的前端連接有四個引腳，四個所述引腳的前端均穿過外殼體的前端面并向外延長，所述外殼體的左端開設有入風口，所述外殼體的右端開設有出風口，所述出風口中靠內側安裝有散熱風扇，所述橋式整流器主體的上下兩端中間處均設置有散熱片。
4、作為本專利技術的一種優選技術方案，所述入風口和出風口的直徑相同，且兩者處于同一水平高度。
5、作為本專利技術的一種優選技術方案，所述入風口和出風口中均安裝有防塵網。
6、作為本專利技術的一種優選技術方案，所述安裝孔的數量設置為四個，四個所述安裝孔關于左安裝塊和右安裝塊呈兩兩相對設置。
7、作為本專利技術的一種優選技術方案，所述連接塊的數量設置為四個，四個所述連接塊關于橋式整流器主體呈兩兩相對設置。
8、作為本專利技術的一種優選技術方案，所述散熱風扇的左端與橋式整流器主體的右端之間存在間距。
9、作為本專利技術的一種優選技術方案，所述左安裝塊和右安裝塊的底部水平高度低于外殼體的底部水平高度。
10、作為本專利技術的一種優選技術方案，所述橋式整流器主體由四只整流硅芯片作橋式連接，外用絕緣的且導熱性能好的新型環氧樹脂作為骨架填充物質進行封裝，該新型環氧樹脂的導熱系數為2.5℃w/m，且正向距熱源的封裝厚度為1.6-1.8mm，背向距熱源的封裝厚度為0.8-1.0mm。
11、作為本專利技術的一種優選技術方案，e2為正半周時，對d1、d3加正向電壓，d1、d3導通；對d2、d4加反向電壓，d2、d4截止，電路中構成e2、d1、rfz、d3通電回路，在rfz上形成上正下負的半波整流電壓，e2為負半周時，對d2、d4加正向電壓，d2、d4導通；對d1、d3加反向電壓，d1、d3截止，電路中構成e2、d2、rfz、d4通電回路，同樣在rfz上形成上正下負的另外半波的整流電壓，如此重復下去，結果在rfz上便得到全波整流電壓。
12、與現有技術對比，本專利技術具備以下有益效果：
13、1、本專利技術通過設置入風口、出風口、散熱風扇和散熱片，利用入風口、出風口、散熱風扇和散熱片之間的相互配合作用，從而可以實現對橋式整流器主體進行高效散熱，從而降低外殼體內部的溫度，有利于橋式整流器主體高效運行，提高整流效率。
14、2、本專利技術通過設置安裝孔、左安裝塊和右安裝塊，使得安裝和拆卸方便。
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1.一種高整流效率的D5橋式整流器，包括橋式整流器主體(7)，其特征在于：所述橋式整流器主體(7)的外側設置有外殼體(1)，所述橋式整流器主體(7)的上下兩端均通過連接塊(9)與外殼體(1)的上下兩內側壁相連接，所述外殼體(1)的左下側連接有左安裝塊(2)，所述外殼體(1)的右下側連接有右安裝塊(3)，所述左安裝塊(2)和右安裝塊(3)上均開設有安裝孔(4)，所述橋式整流器主體(7)的前端連接有四個引腳(5)，四個所述引腳(5)的前端均穿過外殼體(1)的前端面并向外延長，所述外殼體(1)的左端開設有入風口(10)，所述外殼體(1)的右端開設有出風口(11)，所述出風口(11)中靠內側安裝有散熱風扇(12)，所述橋式整流器主體(7)的上下兩端中間處均設置有散熱片(8)。
2.根據權利要求1所述的一種高整流效率的D5橋式整流器，其特征在于：所述入風口(10)和出風口(11)的直徑相同，且兩者處于同一水平高度。
3.根據權利要求1所述的一種高整流效率的D5橋式整流器，其特征在于：所述入風口(10)和出風口(11)中均安裝有防塵網(6)。
4.根據權利
5.根據權利要求1所述的一種高整流效率的D5橋式整流器，其特征在于：所述連接塊(9)的數量設置為四個，四個所述連接塊(9)關于橋式整流器主體(7)呈兩兩相對設置。
6.根據權利要求1所述的一種高整流效率的D5橋式整流器，其特征在于：所述散熱風扇(12)的左端與橋式整流器主體(7)的右端之間存在間距。
7.根據權利要求1所述的一種高整流效率的D5橋式整流器，其特征在于：所述左安裝塊(2)和右安裝塊(3)的底部水平高度低于外殼體(1)的底部水平高度。
8.根據權利要求1所述的一種高整流效率的D5橋式整流器，其特征在于：所述橋式整流器主體(7)由四只整流硅芯片作橋式連接，外用絕緣的且導熱性能好的新型環氧樹脂作為骨架填充物質進行封裝，該新型環氧樹脂的導熱系數為2.5℃W/m，且正向距熱源的封裝厚度為1.6-1.8mm，背向距熱源的封裝厚度為0.8-1.0mm。
9.根據權利要求1所述的一種高整流效率的D5橋式整流器，其特征在于：E2為正半周時，對D1、D3加正向電壓，D1、D3導通；對D2、D4加反向電壓，D2、D4截止，電路中構成E2、D1、Rfz、D3通電回路，在Rfz上形成上正下負的半波整流電壓，E2為負半周時，對D2、D4加正向電壓，D2、D4導通；對D1、D3加反向電壓，D1、D3截止，電路中構成E2、D2、Rfz、D4通電回路，同樣在Rfz上形成上正下負的另外半波的整流電壓，如此重復下去，結果在Rfz上便得到全波整流電壓。
...【技術特征摘要】
1.一種高整流效率的d5橋式整流器，包括橋式整流器主體(7)，其特征在于：所述橋式整流器主體(7)的外側設置有外殼體(1)，所述橋式整流器主體(7)的上下兩端均通過連接塊(9)與外殼體(1)的上下兩內側壁相連接，所述外殼體(1)的左下側連接有左安裝塊(2)，所述外殼體(1)的右下側連接有右安裝塊(3)，所述左安裝塊(2)和右安裝塊(3)上均開設有安裝孔(4)，所述橋式整流器主體(7)的前端連接有四個引腳(5)，四個所述引腳(5)的前端均穿過外殼體(1)的前端面并向外延長，所述外殼體(1)的左端開設有入風口(10)，所述外殼體(1)的右端開設有出風口(11)，所述出風口(11)中靠內側安裝有散熱風扇(12)，所述橋式整流器主體(7)的上下兩端中間處均設置有散熱片(8)。
2.根據權利要求1所述的一種高整流效率的d5橋式整流器，其特征在于：所述入風口(10)和出風口(11)的直徑相同，且兩者處于同一水平高度。
3.根據權利要求1所述的一種高整流效率的d5橋式整流器，其特征在于：所述入風口(10)和出風口(11)中均安裝有防塵網(6)。
4.根據權利要求1所述的一種高整流效率的d5橋式整流器，其特征在于：所述安裝孔(4)的數量設置為四個，四個所述安裝孔(4)關于左安裝塊(2)和右安裝塊(3)呈兩兩相對設置。
5.根據權利要求1所述的一種高整流效率的d5橋式整流器，其特征在...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王志敏，黃麗鳳，丁曉飛，
申請(專利權)人：如皋市大昌電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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