【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于量子點，尤其涉及一種介孔氧化物包覆量子點的制備方法、量子點光刻膠及其制備方法以及發光器件。
技術介紹
1、近年來，量子點以在可見光波段的發射光的波長可調、半峰寬窄、發光效率高、顯示色域寬等諸多優勢而受到顯示材料領域的廣泛關注，例如micro?led、qled和顯示等應用領域。
2、但是，傳統量子點光刻膠（qdpr）效果差，使用環境溫和，無法滿足micro?led使用場景。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于克服現有技術的不足，本專利技術提供一種介孔氧化物包覆量子點的制備方法、量子點光刻膠及其制備方法以及發光器件。
2、為達上述目的，本專利技術提供一種介孔氧化物包覆量子點的制備方法，所述介孔氧化物包覆量子點的制備方法包括：
3、步驟s1，制備介孔氧化物，所述介孔氧化物為介孔金屬氧化物或介孔二氧化硅，所述介孔氧化物的平均孔徑直徑在50?nm以內，且所述介孔氧化物的粒徑尺寸為100~300nm：
4、步驟s2，制備介孔氧化物包覆量子點：將量子點與所述介孔氧化物混合，并對反應后得到的所述介孔氧化物包覆的量子點進行后處理，獲得介孔氧化物包覆量子點。
5、作為可選的技術方案，所述介孔金屬氧化物選自三氧化二鋁、二氧化鋯、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鉭中的至少一種。
6、作為可選的技術方案，所述介孔氧化物的制備方法包括溶膠-凝膠反應法或模板法。
7、作為可選的技術方案，所述步驟s2中，對反應后得到的所述
8、使用第一溶劑對得到的所述介孔氧化物包覆的量子點進行3~5次洗滌；以及
9、對洗滌后的所述介孔氧化物包覆的量子點進行烘干，且烘干溫度在80℃以內。
10、作為可選的技術方案，所述介孔二氧化硅的制備方法包括：
11、步驟s11，將硅烷類化合物與去離子水按照質量比為1：20混合進行水解，水解時間控制在20~60min，獲得水解產物；
12、步驟s12，于所述水解產物中加入無水乙醇，其中所述無水乙醇與所述水解產物的質量比為1：2~1：10，反應時間控制在60min，獲得反應產物；
13、步驟s13，于所述反應產物中引入堿性水溶液，以控制所述反應產物與所述堿性水溶液的混合溶液的ph值為6-12，混合溶液在室溫下進行反應，反應時間為6~20h，得到乳白色物質；
14、步驟s14，對所述乳白色物質進行離心、提純，并利用第一溶劑清洗3~5次后，分散于丙二醇甲醚醋酸酯中，獲得介孔二氧化硅溶液；或者烘干溫度控制在80℃以內烘干成干粉，獲得介孔二氧化硅干粉。
15、作為可選的技術方案，所述硅烷類化合物選自四乙氧基硅烷、正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、正硅酸丙酯或正硅酸丁酯。
16、作為可選的技術方案，步驟s14中，所述第一溶劑為無水乙醇與去離子水按體積比1：1混合的混合液。
17、作為可選的技術方案，所述步驟s2還包括：制備所述量子點，并在所述量子點的制備過程中加入所述介孔氧化物，且100ml制備所述量子點的溶液體系中引入0.5~2.5g所述介孔二氧化硅。
18、作為可選的技術方案，所述步驟s2還包括：
19、制備所述量子點；以及
20、將獲得的所述量子點與所述介孔氧化物的分散溶液混合，并加入功能性配位體，其中，所述量子點與所述介孔氧化物的分散溶液的質量比為50~110：1，所述介孔氧化物的分散溶液中所述介孔氧化物的固含量為20%wt。
21、作為可選的技術方案，所述功能性配位體選自巰基琥珀酸、二氫硫辛酸、巰基丙酸、聚馬來酸酐苯乙烯、磷酸一酯、磷酸二酯、磷酸三酯、甘油磷酸酯、磷酸三乙酯、巰基琥珀酸-丙烯酸異冰片酯、亞磷酸三乙酯、異辛基磷酸酯以及三乙基二膦酸酯中的一種或者幾種的混合。
22、作為可選的技術方案，所述量子點選自cdse、cds、zns、cdznse、cdzns、cdznses、znses、znse、cuins、cuinse、inp、inznp、鈣鈦礦量子點中的一種或者幾種的混合。
23、本專利技術還提供一種量子點光刻膠的制備方法，所述量子點光刻膠的制備方法包括：
24、將介孔氧化物包覆量子點與光刻膠混合，所述介孔氧化物包覆量子點分散在所述光刻膠中，形成量子點光刻膠，其中，所述介孔氧化物包覆量子點為采用如上所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法制備而成。
25、作為可選的技術方案，所述光刻膠包括粘合劑、感光劑、功能性單體、第二溶劑以及助劑。
26、本專利技術還提供一種量子點光刻膠，所述量子點光刻膠采用如上所述的量子點光刻膠的制備方法制備得到。
27、本專利技術還提供一種發光器件，包括基板以及與所述基板配合設置的量子點光刻膠層，所述基板包括陣列排布的發光單元，在所述基板的裸露表面上形成所述量子點光刻膠層，使得所述發光單元的出光面被所述量子點光刻膠層覆蓋，所述量子點光刻膠層為將如上所述的量子點光刻膠涂覆于所述基板上后經光刻工藝形成。
28、與現有技術相比，本專利技術通過在量子點中引入介孔氧化物，使得介孔氧化物包覆于量子點的表面，在受到高溫等沖擊下，起到隔熱或者介孔閉合達到隔絕水氧等效果，增強了量子點的穩定性和光學性能，進而提升量子點壽命。然后介孔氧化物包覆量子點再與光刻膠（主體樹脂為聚甲基丙烯酸甲酯）結合，形成了一層穩定的、堅固的修復薄膜，提升了主體樹脂的物理性能，提升了量子點光刻膠的穩定性，進而亦提升了量子點發光器件的穩定性和耐久性。而且，與傳統的燒結介孔納米材料包覆不同，本專利技術使用低溫包覆或原位包覆，不僅可以實現在低溫下的自我閉合保護量子點，而且也可以保證介孔氧化物（或介孔納米材料）表面附有配體，能夠增加介孔氧化物在光刻膠中的分散效果，不會發生沉淀。而且本專利技術形成的發光器件，若采用量子點色彩轉換，通常為on-chip模式，其chip溫度約150℃，通過引入介孔氧化物（或介孔納米材料），可以顯著提升pmma玻璃化溫度，能夠提升傳統qdpr強藍光，達到高溫度壽命數十倍效果。而且若采用介孔二氧化硅，因為sio表現為白色，具有色散作用，能夠提升量子點色彩轉換膜層的色彩轉化效果。
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1.一種介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，所述介孔氧化物包覆量子點的制備方法包括：
2.如權利要求1所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，所述介孔金屬氧化物選自三氧化二鋁、二氧化鋯、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鉭中的至少一種。
3.如權利要求1所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，所述介孔氧化物的制備方法包括溶膠-凝膠反應法或模板法。
4.如權利要求1所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，對反應后得到的所述介孔氧化物包覆的量子點進行后處理包括：
5.如權利要求1所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，所述介孔二氧化硅的制備方法包括：
6.如權利要求5所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，所述硅烷類化合物選自四乙氧基硅烷、正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、正硅酸丙酯或正硅酸丁酯。
7.如權利要求5所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，步驟S14中，所述第一溶劑為無水乙醇與去離子水按體積比1：1混合的混合液。
8.如權利要
9.一種量子點光刻膠的制備方法，其特征在于，所述量子點光刻膠的制備方法包括：
10.如權利要求9所述的量子點光刻膠的制備方法，其特征在于，所述光刻膠包括粘合劑、感光劑、功能性單體、第二溶劑以及助劑。
11.一種量子點光刻膠，其特征在于，所述量子點光刻膠采用如權利要求10所述的量子點光刻膠的制備方法制備得到。
12.一種發光器件，包括基板以及與所述基板配合設置的量子點光刻膠層，所述基板包括陣列排布的發光單元，在所述基板的裸露表面上形成所述量子點光刻膠層，使得所述發光單元的出光面被所述量子點光刻膠層覆蓋，其特征在于，所述量子點光刻膠層為將如權利要求11所述的量子點光刻膠涂覆于所述基板上后經光刻工藝形成。
...【技術特征摘要】
1.一種介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，所述介孔氧化物包覆量子點的制備方法包括：
2.如權利要求1所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，所述介孔金屬氧化物選自三氧化二鋁、二氧化鋯、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鉭中的至少一種。
3.如權利要求1所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，所述介孔氧化物的制備方法包括溶膠-凝膠反應法或模板法。
4.如權利要求1所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，所述步驟s2中，對反應后得到的所述介孔氧化物包覆的量子點進行后處理包括：
5.如權利要求1所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，所述介孔二氧化硅的制備方法包括：
6.如權利要求5所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，所述硅烷類化合物選自四乙氧基硅烷、正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、正硅酸丙酯或正硅酸丁酯。
7.如權利要求5所述的介孔氧化物包覆量子點的制備方法，其特征在于，步驟s14中，所述第一溶劑為無水乙醇與去離子水按體積...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張超，仉旭，莊永漳，
申請(專利權)人：鐳昱光電科技蘇州有限公司，
類型：發明
國別省市：
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