【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于半導體器件，具體涉及一種激光器模組及其制作方法。
技術介紹
1、vcsel（vertical?cavity?surface?emitting?laser）是垂直腔面發射激光器的簡稱。它的結構是通過外延生長形成反射率極高的上分布布拉格反射層（distributed?braggreflector，dbr）和下分布布拉格反射層，在dbr中間是有源區和垂直方向的諧振腔。其中的dbr是由折射率不同的兩種半導體外延薄膜構成的多層膜系。這樣的一個系統，通過受激輻射的理論，在對它通過注入電流后能出現一個弱光，這個弱光激發出一個強光（受激輻射的光放大），光從表面射出，顧得名垂直腔面發射激光器。
2、vcsel和led（light?emitting?diode,?發光二極管）和eel（edge?emittinglaser，邊發射激光器）相比，有很多的優勢。比如具有有源體積小、閾值電壓低、波長相對于溫度變化的溫漂系數小、發射出的圓形光斑質量高、可靠性高、封裝簡易、且可以形成二維激光陣列等優點被廣泛地應用。
3、vcsel自問世以來，成為許多應用領域的光源。服務于光通信、光互聯、激光打印及光存儲等方面。自從蘋果手機引入vcsel實現人臉識別的強大功能后，開啟了vcsel的感測新應用。這展示了vcsel光源的潛能，成為業界關注的對象。vcsel芯片不光應用于人臉識別，還廣泛應用于智能駕駛、機器視覺、姿勢識別、機器人導航、無人機避撞、防疲勞駕駛等。
4、vcsel在通信模塊中使用的激光二極管的情況下，其被設
5、現有的vcsel芯片為了能夠達到高的能量功率，需要通入大的電流，因而需要在激光發射孔的附近留出很大金屬電極的空間用來做金屬接線，例如，芯片的其中一側。更甚者，因電流需求大，為了提高通入電流的可能性和提升電流注入的均勻性，則會在芯片的多側或者四周都設置電極預留區。
6、然而，電極預留區是不會發射激光的區域，大面積的電極預留區的設置，占據了很多的外延面積，導致外延的利用率不高，使得芯片成本變高。同時因為后續封裝需要打金線，使得rc延遲嚴重，高功率lidar中通常需要很短的脈沖提高功率，rc延遲會使得短脈沖信號變形。
7、公開于該
技術介紹
部分的信息僅僅旨在增加對本專利技術的總體背景的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域一般技術人員所公知的現有技術。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種激光器模組及其制作方法，通過在激光器芯片的外延上全部設置發射區，僅保留邊緣小于或等于20μm的連接區，用于與基板電路連接，并通過設置與激光器芯片電路連接的基板，大大提高外延的利用率，降低激光器芯片成本，減少rc延遲；同時，保留激光器芯片的外延上不超過80μm×80μm測試區，通常在激光器芯片外延的角落，用于芯片功能測試，可以在封裝前剔除損壞的激光器芯片，提高良率。
2、為了實現上述目的，本專利技術一具體實施例提供了一種激光器模組，包括：
3、基板，具有相對設置的第一表面和第二表面，所述第二表面上形成有隔離設置且均延伸至所述第一表面的第一引線電極和第二引線電極；
4、激光器芯片，設置于所述基板的第一表面上，所述激光器芯片包括發射區以及位于所述發射區邊緣的連接區；
5、所述連接區的最大寬度小于或等于20μm；
6、所述發射區由陣列設置的多個發光單元組成，所述發光單元具有第一電極和第二電極，所述第一電極在所述連接區內與所述基板的第一引線電極相連通，所述第二電極與所述基板的第二引線電極相連通。
7、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述激光器模組還包括連接電極，所述基板的第一引線電極通過所述連接電極與所述發光單元的第一電極相連通。
8、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述發光單元的第一電極延伸至所述連接區內，所述連接電極與位于所述連接區內的所述第一電極連通設置。
9、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述激光器模組還包括絕緣層，所述絕緣層形成于所述激光器芯片的側表面上，所述連接電極自所述基板的第一引線電極處沿所述絕緣層的表面延伸至所述發光單元的第一電極處。
10、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述激光器芯片還包括位于所述發射區和所述連接區之間的測試區，所述測試區的面積小于或等于80μm×80μm。
11、在本專利技術的一個或多個實施例中，每個所述發光單元包括第一反射層、具有發光孔的限制層、有源區、第二反射層以及襯底，所有所述發光單元的第二反射層以及襯底相連通以使多個所述發光單元一體連接，所述第一電極電連接所述第一反射層，所述第二電極電連接所述襯底。
12、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述基板包括若干單元區，每個所述單元區內放置一個所述激光器芯片，每個所述單元區內均設置有所述第一引線電極和所述第二引線電極。
13、本專利技術一具體實施例還提供了上述激光器模組的制作方法，包括：
14、激光器芯片的制備，包括：形成外延結構，所述外延結構依次包括襯底、第二反射層、有源區、限制層和第一反射層，在所述第一反射層上形成第一電極，在所述襯底上形成第二電極；
15、基板的制備，包括：提供基板，在所述基板的第二表面形成延伸至第一表面且隔離設置的第一引線電極和第二引線電極；
16、將所述激光器芯片設置在所述基板的第一表面上，且所述第二電極與所述第二引線電極相接觸；
17、在所述基板的第一表面形成絕緣層，所述絕緣層暴露出所述激光器芯片的發光孔以及所述第一電極；
18、在所述絕緣層的表面形成電連接所述第一電極和所述第一引線電極的連接電極。
19、本專利技術一具體實施例還提供了一種激光器模組，包括：
20、基板，具有相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面上凹設形成有芯片容置腔，所述第二表面上形成有延伸至所述第一表面的第一引線電極，以及形成有延伸至所述芯片容置腔內的第二引線電極，所述第一引線電極與所述第二引線電極隔離設置；
21、激光器芯片，設置于所述芯片容置腔內，所述激光器芯片包括發射區以及位于所述發射區邊緣的連接區；
22、所述連接區的最大寬度小于或等于20μm；
23、所述發射區由陣列設置的多個發光單元組成，所述發光單元具有第一電極和第二電極，所述第一電極在所述連接區內與所述基板的第一引線電極相連通，所述第二電極與所述基板的第二引線電極相連通。
24、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述激光器模組還包括連接電極，所述基板的第一引線電極通過所述連接電極與所述發光單元的本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種激光器模組，其特征在于，包括：
2.?根據權利要求1所述?的激光器模組，其特征在于，還包括連接電極，所述基板的第一引線電極通過所述連接電極與所述發光單元的第一電極相連通。
3.根據權利要求2所述的激光器模組，其特征在于，所述發光單元的第一電極延伸至所述連接區內，所述連接電極與位于所述連接區內的所述第一電極連通設置。
4.根據權利要求2所述的激光器模組，其特征在于，還包括絕緣層，所述絕緣層形成于所述激光器芯片的側表面上，所述連接電極自所述基板的第一引線電極處沿所述絕緣層的表面延伸至所述發光單元的第一電極處。
5.根據權利要求1所述的激光器模組，其特征在于，所述激光器芯片還包括位于所述發射區和所述連接區之間的測試區，所述測試區的面積小于或等于80μm×80μm；和/或，
6.根據權利要求1所述的激光器模組，其特征在于，所述基板包括若干單元區，每個所述單元區內放置一個所述激光器芯片，每個所述單元區內均設置有所述第一引線電極和所述第二引線電極。
7.一種激光器模組，其特征在于，包括：
8.根據權利
9.根據權利要求8所述的激光器模組，其特征在于，所述發光單元的第一電極延伸至所述連接區內，所述連接電極與位于所述連接區內的所述第一電極連通設置。
10.根據權利要求8所述的激光器模組，其特征在于，還包括絕緣材料，所述絕緣材料填充于所述激光器芯片和所述芯片容置腔之間，所述連接電極自所述基板的第一引線電極處沿所述絕緣材料的表面延伸至所述發光單元的第一電極處。
11.根據權利要求7所述的激光器模組，其特征在于，所述激光器芯片還包括位于所述發射區和所述連接區之間的測試區，所述測試區的面積小于或等于80μm×80μm。
12.一種如權利要求1-6任一項所述的激光器模組的制作方法，其特征在于，包括：
13.一種如權利要求7-11任一項所述的激光器模組的制作方法，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種激光器模組，其特征在于，包括：
2.?根據權利要求1所述?的激光器模組，其特征在于，還包括連接電極，所述基板的第一引線電極通過所述連接電極與所述發光單元的第一電極相連通。
3.根據權利要求2所述的激光器模組，其特征在于，所述發光單元的第一電極延伸至所述連接區內，所述連接電極與位于所述連接區內的所述第一電極連通設置。
4.根據權利要求2所述的激光器模組，其特征在于，還包括絕緣層，所述絕緣層形成于所述激光器芯片的側表面上，所述連接電極自所述基板的第一引線電極處沿所述絕緣層的表面延伸至所述發光單元的第一電極處。
5.根據權利要求1所述的激光器模組，其特征在于，所述激光器芯片還包括位于所述發射區和所述連接區之間的測試區，所述測試區的面積小于或等于80μm×80μm；和/或，
6.根據權利要求1所述的激光器模組，其特征在于，所述基板包括若干單元區，每個所述單元區內放置一個所述激光器芯片，每個所述單元區內均設置有所述第一引線電極和所述第二引線電極。
【專利技術屬性】
技術研發人員：高飛，紀云，張正杰，沈雁偉，
申請(專利權)人：蘇州立琻半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
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