【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及真空蒸鍍，特別涉及一種真空蒸鍍用一體式蒸發源。
技術介紹
1、真空蒸鍍是將蒸發源在真空中加熱，使蒸鍍材料氣化，并在待鍍基底表面沉積成膜，在柔性基材上均勻涂覆的最常用的方法是高真空帶式蒸鍍法。其原理是，在真空環境中，將蒸發源直接通電加熱到約1500℃，輸入金屬絲，金屬絲在接觸蒸發源時，會在蒸發源表面液化，并在真空環境中蒸發，使得在基材的整個寬度方向上涂敷厚度均勻的金屬層。
2、現有的蒸發源一般采用氮化硼復合材料等材質制成，其主要成分為二硼化鈦(tib2)與氮化硼(bn)，部分蒸發源會摻雜aln成分。蒸發源大致形狀均為舟形，中間有凹槽，金屬絲接觸蒸發源后蒸發鍍到基材表面上。
3、為增加金屬液擴散均勻性，授權公告號為cn218089762u的中國專利公開了一種真空蒸鍍蒸發舟，通過沿凸臺斜面開設的多條第一導流槽將送絲點生成的金屬液向各個方向擴散，增大了金屬液擴散均勻性，并使得金屬液能夠沿著凸臺的側面流向蒸發槽，加大金屬液對整個蒸發槽的浸潤，使整個蒸發槽溫度分布較均勻。
4、上述裝置雖然提高了蒸發源初期使用時其內金屬液的擴散均勻性，但隨著長時間使用后，凸臺頂部會因高速導入的金屬絲的機械沖擊和金屬液的沖刷被快速腐蝕，并產生凹坑，從而導致送絲點生成的金屬液不能快速的沿凸臺的斜面下流，反而堆積在凹坑內，不利于金屬液的有效利用，同時，堆積在凹坑內的金屬液與溫度較低的金屬絲生成的金屬液接觸時易產生爆沸，會對蒸鍍環境造成污染，嚴重時甚至會因爆沸飛濺產生的高溫液滴燒壞產品鍍層，導致產品不良率升高，因此，
技術實現思路
1、本專利技術要解決的技術問題是提供一種真空蒸鍍用一體式蒸發源以解決上述
技術介紹
中提出的問題。
2、為解決上述技術問題，本專利技術提供如下技術方案：
3、一種真空蒸鍍用一體式蒸發源，包括開設有蒸發槽的蒸發舟，所述蒸發槽為長方形，所述蒸發槽的底部安裝有相連接的固定柱和固定板，所述固定柱位于蒸發槽底部的中心位置，所述固定板的橫截面為長方形且其長邊與蒸發槽的長邊平行，所述固定板關于固定柱的中心對稱；所述固定柱的頂部開設有與固定柱同軸的送絲槽，所述固定柱和固定板上開設有貫穿固定柱和固定板以及送絲槽的引流槽，所述引流槽的寬度小于金屬絲的直徑，所述蒸發槽的底部還安裝有與固定板兩端分別連接的兩個導流臺，所述導流臺為半球形，且球形面位于頂部，所述導送絲槽為弧形槽，且固定板所對應的球心高于固定柱的頂部，所述引流槽上對稱開設有傾斜指向導流臺的第一引流斜面。
4、優選地，所述引流槽的頂部安裝有凸臺，所述凸臺的橫截面為等腰三角形，該等腰三角形的底邊短于金屬絲的直徑。
5、優選地，所述送絲槽的頂口的直徑大于金屬絲的直徑，所述凸臺的頂部低于送絲槽的底部。
6、優選地，所述導流臺上開設有垂直與蒸發槽底部且與導流臺同軸的集液槽，所述集液槽的周圈均勻開設有多個與蒸發槽相連通的導流槽。
7、優選地，所述導流槽包括與引流槽的長邊位于同一直線的橫向導流槽，與引流槽的長邊相垂直的兩個縱向導流槽，分別與蒸發槽短邊兩角角平分線位于同一直線的兩個角平分線導流槽和反角平分線導流槽，所述反角平分線導流槽和角平分線導流槽關于集液槽的軸線對稱設置，所述橫向導流槽和縱向導流槽靠近集液槽的一側高于集液槽的底部，所述角平分線導流槽和反角平分線導流槽靠近集液槽的一側低于集液槽的底部。
8、優選地，所述集液槽上開設有朝反角平分線導流槽傾斜的第二引流斜面，所述第二引流斜面位于縱向導流槽靠近引流槽的一側。
9、優選地，所述第一引流斜面的底端與集液槽相連通且低于橫向導流槽靠近集液槽的一側頂部。
10、優選的，所述固定板上還安裝有分流塊，所述分流塊的底端傾斜朝向固定柱的底部，所述分流塊橫穿引流槽，所述分流塊與引流槽的底部內壁之間開設有流通槽，所述分流塊朝向角平分線導流槽的一側對稱開設有兩個傾斜向下的第三引流斜面，所述引流槽上開設有退讓槽，所述退讓槽位于分流塊靠近固定柱的一側。
11、優選地，所述凸臺底部與固定柱頂部之間的間距大于送絲槽頂口的半徑，且小于送絲槽頂口的直徑。
12、優選地，所述橫向導流槽和縱向導流槽的底端到蒸發槽內壁的間距相同。
13、本專利技術與現有技術相比，至少具有如下有益效果：
14、上述方案中，通過設置送絲槽，將金屬絲的端部與送絲槽的弧形內壁抵觸，金屬絲端部受熱熔化并生成金屬液，金屬液經第一引流斜面的引導后沿導流臺四散至蒸發槽的底部，有效避免了引流結構內金屬液聚集的情況，保障了金屬液的有效利用，避免了送絲時溫度低于蒸發槽內金屬液的金屬絲與高溫金屬液直接接觸，保障了送絲操作的安全性，降低送絲對產品造成的危害。
15、通過設置引流槽，金屬液沿引流槽流動時，依舊處于加熱過程，通過該引導過程，降低新生成的金屬液和蒸發槽內原有金屬液的溫差，進一步保障送絲操作的安全性。
16、通過設置導流臺提高經引流槽端部被引導至蒸發槽底部的金屬液的分散均勻性，提高了金屬液的潤濕性，優化了蒸發舟熱場分布，降低金屬液因溫度不均勻產生的爆沸產生。當送絲時產生的機械沖擊將送絲槽的底部磨損至與凸臺頂部位于同等高度時，后續送絲時產生的機械沖擊將有送絲槽的底部和凸臺的頂部同時承擔，降低送絲槽底部的磨損速度，又因凸臺底部的邊長小于金屬絲的直徑，以凸臺受沖擊磨損后，頂部高度會直接下降，并不會產生凹坑，避免金屬液堆積，保障對金屬液的導流效果。
17、通過集液槽和各導流槽的高度差設置，使經橫向導流槽和角平分線導流槽以及經反角平分線導流槽流動至蒸發槽上的金屬液完全填充蒸發槽底部的速度一致，進一步提高金屬液在蒸發槽內的擴散均勻性，提高了金屬液的潤濕性，優化了蒸發舟熱場分布，降低金屬液因溫度不均勻產生的爆沸產生。
18、通過設置分流塊，經引流槽流動的金屬液流量較大時，一部分金屬液會經流通槽繼續沿引流槽流動，另一部分會被分流塊貫穿引流槽的部分截留，并在慣性力和后續金屬液的作用下經分流塊沖出引流槽并沿分流塊兩側第三引流斜面下流，這樣設置的好處是，避免金屬液因流量大直接經導流臺沖出，保障導流臺的正常使用，同時，金屬液經第三引流斜面引導會快速流動至固定板的兩側，使金屬液經導流臺流向蒸發槽以及經分流塊流向蒸發槽的速度區域一致，保障蒸發槽內金屬液的分布均勻性，通過設置退讓槽可降低金屬液經分流塊沿分流塊沖出引流槽的需高度，即降低了金屬液沖出引流槽的難度，進一步提高金屬液的分流效果。
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1.一種真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，包括：開設有蒸發槽（2）的蒸發舟（1），所述蒸發槽（2）為長方形，所述蒸發槽（2）的底部安裝有相連接的固定柱（3）和固定板（4），所述固定柱（3）位于蒸發槽（2）底部的中心位置，所述固定板（4）的橫截面為長方形且其長邊與蒸發槽（2）的長邊平行，所述固定板（4）關于固定柱（3）的中心對稱；
2.根據權利要求1所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述引流槽（6）的頂部安裝有凸臺（9），所述凸臺（9）的橫截面為等腰三角形，該等腰三角形的底邊短于金屬絲的直徑。
3.根據權利要求2所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述送絲槽（5）的頂口的直徑大于金屬絲的直徑，所述凸臺（9）的頂部低于送絲槽（5）的底部。
4.根據權利要求1所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述導流臺（7）上開設有垂直與蒸發槽（2）底部且與導流臺（7）同軸的集液槽（10），所述集液槽（10）的周圈均勻開設有多個與蒸發槽（2）相連通的導流槽。
5.根據權利要求1所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述導流槽包
6.根據權利要求4所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述集液槽（10）上開設有朝反角平分線導流槽（14）傾斜的第二引流斜面（15），所述第二引流斜面（15）位于縱向導流槽（12）靠近引流槽（6）的一側。
7.根據權利要求1所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述第一引流斜面（8）的底端與集液槽（10）相連通且低于橫向導流槽（11）靠近集液槽（10）的一側頂部。
8.根據權利要求1所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述固定板（4）上還安裝有分流塊（17），所述分流塊（17）的底端傾斜朝向固定柱（3）的底部，所述分流塊（17）橫穿引流槽（6），所述分流塊（17）與引流槽（6）的底部內壁之間開設有流通槽，所述分流塊（17）朝向角平分線導流槽（13）的一側對稱開設有兩個傾斜向下的第三引流斜面（18），所述引流槽（6）上開設有退讓槽（16），所述退讓槽（16）位于分流塊（17）靠近固定柱（3）的一側。
9.根據權利要求2所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述凸臺（9）底部與固定柱（3）頂部之間的間距大于送絲槽（5）頂口的半徑，且小于送絲槽（5）頂口的直徑。
10.根據權利要求5所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述橫向導流槽（11）和縱向導流槽（12）的底端到蒸發槽（2）內壁的間距相同。
...【技術特征摘要】
1.一種真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，包括：開設有蒸發槽（2）的蒸發舟（1），所述蒸發槽（2）為長方形，所述蒸發槽（2）的底部安裝有相連接的固定柱（3）和固定板（4），所述固定柱（3）位于蒸發槽（2）底部的中心位置，所述固定板（4）的橫截面為長方形且其長邊與蒸發槽（2）的長邊平行，所述固定板（4）關于固定柱（3）的中心對稱；
2.根據權利要求1所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述引流槽（6）的頂部安裝有凸臺（9），所述凸臺（9）的橫截面為等腰三角形，該等腰三角形的底邊短于金屬絲的直徑。
3.根據權利要求2所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述送絲槽（5）的頂口的直徑大于金屬絲的直徑，所述凸臺（9）的頂部低于送絲槽（5）的底部。
4.根據權利要求1所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述導流臺（7）上開設有垂直與蒸發槽（2）底部且與導流臺（7）同軸的集液槽（10），所述集液槽（10）的周圈均勻開設有多個與蒸發槽（2）相連通的導流槽。
5.根據權利要求1所述的真空蒸鍍用一體式蒸發源，其特征在于，所述導流槽包括與引流槽（6）的長邊位于同一直線的橫向導流槽（11），與引流槽（6）的長邊相垂直的兩個縱向導流槽（12），分別與蒸發槽（2）短邊兩角角平分線位于同一直線的兩個角平分線導流槽（13）和反角平分線導流槽（14），所述反角平分線導流槽（14）和角平分線導流槽（13）關于集液槽（10）的軸線對稱設置，所述橫向導流槽（11）和縱向導流槽（12）靠近集液...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳景升，張正才，陳榆，
申請(專利權)人：江蘇微邁思半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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