【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及碳化硅加工，更具體地說，本專利技術涉及一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置。
技術介紹
1、碳化硅具有寬的禁帶寬度,高熱導率以及高的擊穿電壓,使得其在高頻、高功率、抗輻射、極端條件下工作的器件有廣泛應用。是一種極具潛力的半導體材料。在材料應用中,位錯是影響器件性能的重要因素之一，因此,碳化硅晶片的位錯表征成為一個重要課題。在化硅晶片加工的過程中，碳化硅的表面易發生位錯缺陷,這類缺陷不易進行發覺,由于位錯處會優先進行腐蝕,因此通常利用腐蝕法對碳化硅晶片的位錯區域進行判斷。在工業生產上常采用熱堿液腐蝕的方法腐蝕sic表面。使其襯底表面顯現出各類位錯。
2、目前，碳化硅晶片位錯缺陷的顯現主要是將碳化硅晶片放入強堿液中進行腐蝕，如何實現碳化硅晶片腐蝕達到安全、充分、高效、高質量和清洗的便捷是目前需要解決的技術問題，現有的技術手段中，因碳化硅晶片的腐蝕步驟包括浸液、清洗和干燥等作業步驟，人工接觸作業的方式較為費時費力，且在工序轉移的過程中，面對腐蝕性液體操作操作風險性，故急需一種半自動化的腐蝕裝置來滿足碳化硅晶片高效、安全且有效的位錯缺陷的顯現。
技術實現思路
1、為了克服現有技術的上述缺陷，本專利技術的實施例提供一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，本專利技術所要解決的技術問題是：如何實現碳化硅晶片腐蝕達到安全、充分、高效、高質量和清洗的便捷，并滿足半自動化的作業。
2、為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理
3、張緊組件，所述張緊組件設置在所述液箱和鏈條上；
4、彈性伸縮件，所述彈性伸縮件設置在所述固定塊上；
5、載板，所述載板設置在所述彈性伸縮件上，所述載板的前表面轉動連接有構成v形結構的三個支撐轉輥，所述碳化硅單晶片設置在三個支撐轉輥上，所述載板上固定架設有一對刮條，所述刮條與碳化硅單晶片的表面活動接觸，所述載板的后表面轉動連接有滑座，其中一個支撐轉輥的軸端固定連接有傳動齒輪；
6、移動導引結構，所述移動導引結構的數量為兩組，且分別設置在所述腐蝕液槽和潔凈水槽內，所述移動導引結構包括一對軌道和固定連接在位于底部的軌道上的齒條一、齒條二，一對軌道之間形成有導滑道，所述滑座滑動連接在所述導滑道中，所述齒條一和齒條二用于嚙合傳動齒輪；
7、所述軌道從左至右由橫段一、下斜段、橫段二、上斜段和橫段三銜接組成，所述齒條一固定連接在所述橫段二的底部，所述齒條二固定連接在所述上斜段的外斜面上，兩對軌道相對接，兩對軌道分別固定架設在所述腐蝕液槽和潔凈水槽內。
8、在一個優選的實施方式中，所述張緊組件包括固定連接在所述液箱上的支架二和轉動連接在所述支架二上的若干個張緊齒輪，所述張緊齒輪嚙合連接在所述鏈條上。
9、在一個優選的實施方式中，所述直線導條固定架設在位于頂部的軌道上，所述轉動座滑動連接在所述直線導條上。
10、在一個優選的實施方式中，所述彈性伸縮件包括支撐板、活動貫穿在所述支撐板上的一對t形滑桿和套設在每個t形滑桿上的壓簧，所述壓簧的兩端固定連接在所述t形滑桿和支撐板的相對面上，所述固定塊固定連接在所述支撐板上，所述載板固定連接在一對t形滑桿上。
11、在一個優選的實施方式中，所述載板的前表面固定連接有安裝塊，一對刮條固定連接在所述安裝塊上。
12、在一個優選的實施方式中，所述傳動齒輪位于所述載板的后表面，布設在潔凈水槽處的橫段三的底部固定連接有用于所述傳動齒輪嚙合的齒條三。
13、在一個優選的實施方式中，還包括氣源供給結構和噴氣組件，所述氣源供給結構包括壓縮制氣組件和制氣驅動組件，所述壓縮制氣組件包括固定連接在所述液箱上的氣罐和滑動連接在所述氣罐內的活塞。
14、在一個優選的實施方式中，所述制氣驅動組件包括同軸固連在其中一個張緊齒輪軸端的轉動盤、偏心轉動連接在所述轉動盤上的拉桿、轉動連接在所述拉桿一端的壓縮桿和固定連接在所述液箱上的導向塊。
15、在一個優選的實施方式中，所述壓縮桿背向所述拉桿的一端固定連在所述活塞上，所述壓縮桿活動貫穿在所述導向塊上。
16、在一個優選的實施方式中，所述噴氣組件包括固定連通在所述氣罐底部的噴氣管、固定連通在所述噴氣管一端的文丘里管和固定連通在所述文丘里管一端的噴氣架，所述噴氣架固定連接在所述液箱上，且位于齒條三的下方位置。
17、本專利技術的技術效果和優點：
18、本專利技術的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，通過設置鏈條為碳化硅單晶片提供旋轉的移動路徑，利用三點支撐的支撐轉輥為碳化硅單晶片提供上料支撐，載板在重力作用下可使得支撐轉輥時刻處于平衡狀態，這樣在滿足碳化硅單晶片位置集中上下料的便捷下，利用軌道為移動的載板提供軌跡導引，彈性伸縮件可適用性控制載板豎向移動，以便將碳化硅單晶片依次浸入腐蝕液槽和潔凈水槽中，這樣可滿足碳化硅單晶片腐蝕和清洗工序的連續作業，達到半自動化作業的效果，在提高作業效率的同時，可減少人工參與步驟，提高操作安全性。；
19、本專利技術的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，利用齒條一和齒條二為傳動齒輪提供嚙合傳動的作用，則浸入腐蝕液槽和潔凈水槽中的碳化硅單晶片可由支撐轉輥帶動旋轉，這樣碳化硅單晶片可充分與強堿溶液腐蝕接觸以及達到充分清洗的效果，這樣可保障碳化硅單晶片腐蝕和腐蝕清洗的充分性。
20、本專利技術的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，通過設置刮條，在碳化硅單晶片提升出腐蝕液槽和潔凈水槽的過程中，刮條可再配合旋轉的碳化硅單晶片實現表面液體的刮除，這樣可降低碳化硅單晶片表面腐蝕液和潔凈水的殘留。
21、本專利技術的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，通過設置氣源供給結構和噴氣組件，利用鏈條的傳動動力為氣源供給結構提供壓縮動力，這樣氣源供給結構可壓縮出空氣并通過噴氣組件加速射出，這樣可轉動的碳化硅單晶片與壓縮氣流接觸可提高表面干燥度，從而可提高碳化硅單晶片的腐蝕質量。
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1.一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，包括液箱（1），所述液箱（1）內固定連接有隔板（2），所述液箱（1）的內腔由隔板（2）分隔成腐蝕液槽和潔凈水槽，所述液箱（1）的兩端均固定連接有支架一（3），每個支架一（3）上轉動連接有飛輪（4），一對飛輪（4）上傳動連接有鏈條（5），其中一個支架一（3）上設置有用于驅動所述飛輪（4）轉動的馬達（6），所述鏈條（5）的鏈板上轉動連接有轉動座（7），所述轉動座（7）上固定連接有固定塊（71），所述鏈條（5）的前側設置有活動貫穿所述轉動座（7）的直線導條（72）；
2.根據權利要求1所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，所述張緊組件（17）包括固定連接在所述液箱（1）上的支架二（171）和轉動連接在所述支架二（171）上的若干個張緊齒輪（172），所述張緊齒輪（172）嚙合連接在所述鏈條（5）上。
3.根據權利要求1所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，所述直線導條（72）固定架設在位于頂部的軌道（141）上，所述轉動座（7）滑動連接在所述直線導條（72）上。>
4.根據權利要求1所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，所述彈性伸縮件（8）包括支撐板（81）、活動貫穿在所述支撐板（81）上的一對T形滑桿（82）和套設在每個T形滑桿（82）上的壓簧（83），所述壓簧（83）的兩端固定連接在所述T形滑桿（82）和支撐板（81）的相對面上，所述固定塊（71）固定連接在所述支撐板（81）上，所述載板（9）固定連接在一對T形滑桿（82）上。
5.根據權利要求1所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，所述載板（9）的前表面固定連接有安裝塊（18），一對刮條（11）固定連接在所述安裝塊（18）上。
6.根據權利要求2所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，所述傳動齒輪（13）位于所述載板（9）的后表面，布設在潔凈水槽處的橫段三的底部固定連接有用于所述傳動齒輪（13）嚙合的齒條三（19）。
7.根據權利要求6所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，還包括氣源供給結構（15）和噴氣組件（16），所述氣源供給結構（15）包括壓縮制氣組件和制氣驅動組件，所述壓縮制氣組件包括固定連接在所述液箱（1）上的氣罐（151）和滑動連接在所述氣罐（151）內的活塞（152）。
8.根據權利要求7所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，所述制氣驅動組件包括同軸固連在其中一個張緊齒輪（172）軸端的轉動盤（153）、偏心轉動連接在所述轉動盤（153）上的拉桿（154）、轉動連接在所述拉桿（154）一端的壓縮桿（155）和固定連接在所述液箱（1）上的導向塊（156）。
9.根據權利要求8所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，所述壓縮桿（155）背向所述拉桿（154）的一端固定連在所述活塞（152）上，所述壓縮桿（155）活動貫穿在所述導向塊（156）上。
10.根據權利要求9所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，所述噴氣組件（16）包括固定連通在所述氣罐（151）底部的噴氣管（161）、固定連通在所述噴氣管（161）一端的文丘里管（162）和固定連通在所述文丘里管（162）一端的噴氣架（163），所述噴氣架（163）固定連接在所述液箱（1）上，且位于齒條三（19）的下方位置。
...【技術特征摘要】
1.一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，包括液箱（1），所述液箱（1）內固定連接有隔板（2），所述液箱（1）的內腔由隔板（2）分隔成腐蝕液槽和潔凈水槽，所述液箱（1）的兩端均固定連接有支架一（3），每個支架一（3）上轉動連接有飛輪（4），一對飛輪（4）上傳動連接有鏈條（5），其中一個支架一（3）上設置有用于驅動所述飛輪（4）轉動的馬達（6），所述鏈條（5）的鏈板上轉動連接有轉動座（7），所述轉動座（7）上固定連接有固定塊（71），所述鏈條（5）的前側設置有活動貫穿所述轉動座（7）的直線導條（72）；
2.根據權利要求1所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，所述張緊組件（17）包括固定連接在所述液箱（1）上的支架二（171）和轉動連接在所述支架二（171）上的若干個張緊齒輪（172），所述張緊齒輪（172）嚙合連接在所述鏈條（5）上。
3.根據權利要求1所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，所述直線導條（72）固定架設在位于頂部的軌道（141）上，所述轉動座（7）滑動連接在所述直線導條（72）上。
4.根據權利要求1所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，所述彈性伸縮件（8）包括支撐板（81）、活動貫穿在所述支撐板（81）上的一對t形滑桿（82）和套設在每個t形滑桿（82）上的壓簧（83），所述壓簧（83）的兩端固定連接在所述t形滑桿（82）和支撐板（81）的相對面上，所述固定塊（71）固定連接在所述支撐板（81）上，所述載板（9）固定連接在一對t形滑桿（82）上。
5.根據權利要求1所述的一種碳化硅單晶片位錯缺陷的腐蝕處理裝置，其特征在于，所述載板（9）的前表面...
【專利技術屬性】
技術研發人員：忻雋，吳寒，張永良，
申請(專利權)人：安徽微芯長江半導體材料有限公司，
類型：發明
國別省市：
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