【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及半導體器件的制造方法及半導體器件。
技術介紹
1、在半導體的制造工序中，使用了各種粘合片。具體而言，有用于在半導體晶片的背面研削(背面研磨)工序中保護晶片的保護片、在從半導體晶片向元件小片的切斷分割(切割)工序中使用的固定用片等。這些粘合片是貼附于作為被粘物的半導體晶片、在規定的加工工序結束后從被粘物剝離的再剝離型粘合片。
2、近年來，伴隨著電子設備的小型化及高密度化，作為能以最小面積安裝半導體元件的方法，倒裝片安裝逐漸成為主流。在倒裝片安裝中，為了實現芯片間的接合，使用具備具有由焊料構成的前端部的突起電極(凸塊)的半導體芯片(例如，硅通孔(throughsilicon?via，tsv)芯片)。該帶有凸塊的半導體芯片與其他半導體芯片或基板通過加熱至焊料的熔融溫度以上的溫度(通常為200℃以上)的回流焊工序而電接合從而被安裝。另外，在通信用的電子設備中安裝半導體芯片的情況下，有時由于從芯片內部產生的電磁波而發生通信障礙。為了防止該通信障礙，也有時經過濺射工序，即，在半導體芯片外周部，作為電磁波屏蔽罩而蒸鍍金屬膜(通常為150℃以上)。在回流焊工序或濺射工序中，為了保護凸塊表面而使用再剝離型粘合片。
3、在半導體裝置中，廣泛利用了帶有凸塊的布線電路基板(pcb)。在將帶有凸塊的pcb固定于其他的基板或框體的情況下，有時使用粘合帶。在半導體芯片的安裝工序中，有時該帶有凸塊的pcb經過回流焊工序或濺射工序。
4、專利文獻1中公開了一種粘合帶，其是具有紫外線固化型粘合劑層的粘合帶，所述粘合
5、現有技術文獻
6、專利文獻
7、專利文獻1：日本特開2020-94199號公報
技術實現思路
1、專利技術所要解決的課題
2、帶有凸塊的半導體芯片及帶有凸塊的pcb在其表面具有較大的凹凸形狀，因此，在利用再剝離型粘合片進行保護的情況下，粘合片必須在加工工序中準確地追隨其凹凸形狀而密合。另外，對粘合片要求高耐熱性，即，不會在回流焊工序等的高溫處理中產生逸氣、或者在粘合片剝離時在半導體芯片上殘膠。
3、然而，以往的粘合片并不完全滿足上述條件。在專利文獻1中，粘合劑層并未柔軟至能追隨凸塊的程度，因此，存在與片貼附面的凹凸的密合性不充分的情況。另外，存在因添加劑而導致在加熱工序后產生逸氣的情況、在粘合片剝離時殘膠的情況。
4、本專利技術是鑒于上述情況而提出的，其課題是提供一種半導體器件的制造方法，其包括使用在帶有凸塊的半導體芯片、帶有凸塊的pcb等表面具有凹凸的半導體器件的加工工序中也能夠準確地追隨凹凸并密合的粘合片的工序，所述制造方法不存在高溫處理中的逸氣的產生及粘合片剝離時的被粘物表面的殘膠。
5、另外，本專利技術的課題是提供利用上述制造方法制造的半導體器件。
6、用于解決課題的手段
7、本申請的專利技術人發現，通過設置將使用含有重均分子量為5萬～55萬的樹脂(a)和光聚合引發劑(b)作為必需成分的粘合劑組合物形成的粘合片貼附至帶有凸塊的被粘面的保護工序，所述樹脂(a)是通過以含羧基的烯屬不飽和單體(a)作為必需單體成分聚合所得的含羧基的樹脂(b)與含脂環式環氧基的烯屬不飽和化合物(c)的加成反應而得到的，由此能夠解決上述課題。
8、本專利技術包括以下方式。
9、[1]
10、一種半導體器件的制造方法，其包括下述工序：
11、保護工序，將具有片狀基材和形成于所述基材上的粘合劑層的粘合片貼附至半導體器件的帶有凸塊的被粘面；
12、uv照射工序，對所述粘合片進行uv照射，使所述粘合劑層固化；以及
13、剝離工序，將所述粘合片從所述帶有凸塊的被粘面剝離除去，
14、所述粘合劑層為粘合劑組合物的固化物，
15、所述粘合劑組合物包含下述通式(1-1)表示的樹脂(a)和光聚合引發劑(b)，所述樹脂(a)的重均分子量為5萬～55萬。
16、
17、
18、(式(1-1)中，k、l、m及n表示設定k+l+m+n＝100時的摩爾組成比。k大于0且為92以下。l為0～50。m大于0且為90以下。k、l及m的合計為65～95。n為5～35。r1～r4為-h或-ch3。r5為碳原子數1～16的烷基。r6為碳原子數3～30的脂環式烴基或碳原子數6～20的芳香族烴基。r7為-h或-(ch2)j-cooh(式中的j為1或2。)。r8為上述通式(1-2)或(1-3)表示的基團。式(1-2)及(1-3)中，p及q為選自0、1及2中的任一者。在p為0時，s為0，在p為1或2時，s為1。r9為-h或-ch3。)
19、[2]
20、根據[1]所述的半導體器件的制造方法，所述式(1-1)中的n為7～33。
21、[3]
22、根據[1]或[2]所述的半導體器件的制造方法，所述式(1-1)中的k為45～90，l為4～40，m為1～20。
23、[4]
24、根據[1]～[3]中任一項所述的半導體器件的制造方法，所述粘合劑組合物還含有交聯劑(c)。
25、[5]
26、根據[1]～[4]中任一項所述的半導體器件的制造方法，所述樹脂(a)的玻璃化轉變溫度為-80～0℃。
27、[6]
28、根據[1]～[5]中任一項所述的半導體器件的制造方法，在所述保護工序與所述剝離工序之間具有150℃以上的加熱工序。
29、[7]
30、根據[1]～[6]中任一項所述的半導體器件的制造方法，在所述保護工序與所述剝離工序之間具有加工工序。
31、[8]
32、根據[1]～[5]中任一項所述的半導體器件的制造方法，在所述保護工序與所述uv照射工序之間具有150℃以上的加熱工序。
33、[9]
34、根據[1]～[6]中任一項所述的半導體器件的制造方法，在所述保護工序與所述uv照射工序之間具有加工工序。
35、[10]
36、根據[1]～[5]中任一項所述的半導體器件的制造方法，在所述uv照射工序與所述剝離工序之間具有150℃以上的加熱工序。
37、[11]
38、根據[1]～[6]中任一項所述的半導體器件的制造方法，在所述uv照射工序與所述剝離工序之間具有加工工序。
39、[12]
40、一種半導體器件，其是利用[1]～[11]中任一項所述的方法制造的。
41、專利技術效果
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1.一種半導體器件的制造方法，其包括下述工序：
2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，所述式(1-1)中的n為7～33。
3.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，所述式(1-1)中的k為45～90，l為4～40，m為1～20。
4.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，所述粘合劑組合物還含有交聯劑(C)。
5.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，所述樹脂(A)的玻璃化轉變溫度為-80～0℃。
6.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，在所述保護工序與所述剝離工序之間具有150℃以上的加熱工序。
7.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，在所述保護工序與所述剝離工序之間具有加工工序。
8.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，在所述保護工序與所述UV照射工序之間具有150℃以上的加熱工序。
9.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，在所述保護工序與所述UV照射工序之間具有加工工序。
10.根據權利要求1或2所
11.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，在所述UV照射工序與所述剝離工序之間具有加工工序。
12.一種半導體器件，其是利用權利要求1或2所述的方法制造的。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種半導體器件的制造方法，其包括下述工序：
2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，所述式(1-1)中的n為7～33。
3.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，所述式(1-1)中的k為45～90，l為4～40，m為1～20。
4.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，所述粘合劑組合物還含有交聯劑(c)。
5.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，所述樹脂(a)的玻璃化轉變溫度為-80～0℃。
6.根據權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，在所述保護工序與所述剝離工序之間具有150℃以上的加熱工序。
7.根據權利要求1或2...
【專利技術屬性】
技術研發人員：直田耕治，中西健一，佐佐木一博，湯本敬太，
申請(專利權)人：株式會社力森諾科，
類型：發明
國別省市：
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