【技術實現步驟摘要】
本技術涉及多晶硅還原電源,特別涉及一種多晶硅還原爐供電系統、啟動電路。
技術介紹
1、現有多晶硅還原爐供電系統中,每組硅芯組均設置有對應的啟動電路,主要用于對硅芯組的硅芯予以高壓擊穿。如專利申請號為202222782757.3的文獻中,針對40對棒的還原爐,設置有6個調壓柜,每個調壓柜包括調壓裝置,其中調壓裝置還包括變壓變流器,用于將還原變壓器輸出的電壓升壓以擊穿對應組的硅棒。此類供電系統采用每組硅芯組配置高壓擊穿啟動電路的方式,存在器件用量大、成本高,整機體積大等不足。
2、此外,在啟動電路方面,前述文獻中未明確變壓變流器的連接關系,且變壓變流器只從n線取電是不能實現升壓的。如專利申請號為202210858679?.2的文獻中采用多個開關(如k22、k23、qf1、qf2),其中qf1、qf2采用真空斷路器,因其工作電壓高、電流大,存在體積大、成本高、損耗高等不足。
3、因此,需提供一種節省啟動電路的多晶硅還原爐供電系統,以及節省器件和成本的啟動電路。
技術實現思路
1、本技術的目的在于提供一種節省啟動電路的多晶硅還原爐供電系統,以及節省器件和成本的啟動電路,提供一種多晶硅還原爐供電系統、啟動電路。
2、為了實現上述技術目的,本技術實施例提供了以下技術方案:
3、一種多晶硅還原爐供電系統,包括一個主變壓器、l個調功單元、m個啟動電路、m個第一硅芯組,2≤m≤l,當m≠l時,還包括l-m個第二硅芯組;
4、所述主變壓器共有
5、當m=l時,每組繞組通過一個啟動電路與一個第一硅芯組連接,且與該繞組連接的調功單元的輸出端與對應的第一硅芯組的首端連接,該第一硅芯組的尾端通過連接的啟動電路與對應的繞組連接;
6、當m≠l時,其中m組繞組分別通過一個啟動電路與一個第一硅芯組連接,且與這m組繞組連接的調功單元的輸出端與m個第一硅芯組的首端一一對應連接,m個第一硅芯組的尾端通過連接的啟動電路與對應的繞組連接;剩余的l-m組繞組連接的調功單元與l-m個第二硅芯組的首端一一對應連接,l-m個第二硅芯組的尾端與對應的繞組連接。
7、更進一步地,每組所述繞組包括多個輸出端、一個公共端,一組繞組的多個輸出端與一個調功單元的輸入端連接;
8、啟動電路連接至對應繞組的至少一個輸出端,一個第一硅芯組的尾端通過連接的啟動電路與對應繞組的公共端連接;
9、每個第二硅芯組的尾端與對應繞組的公共端連接。
10、更進一步地,當每組繞組包括k個輸出端、一個公共端時,每個所述調功單元包括k個功率器件,每組繞組的k個輸出端與k個功率器件一一對應連接;k個功率器件的輸出端與對應的第一硅芯組的首端連接,或與對應的第二硅芯組的首端連接。
11、優選的,每個所述功率器件包括正反并聯的兩只晶閘管。
12、更進一步地,所述主變壓器為三組輸出,每相輸出包括兩組繞組,即l=6;
13、當m=2時,2個啟動電路分別與任意兩相中的一組繞組一一對應連接;
14、當m=3時,3個啟動電路分別與三相中的一組繞組一一對應連接,或者是,其中2個啟動電路與其中一相的兩組繞組一一對應連接,剩余1個啟動電路與另外兩相中任一相的一組繞組連接。
15、一種多晶硅還原啟動電路,與前述任一項所述的主變壓器、第一硅芯組連接,所述啟動電路包括調節組件、升壓變壓器、擊穿開關、維持開關、切換開關、打壓開關、可控開關;所述第一硅芯組包括n個串聯的硅芯,n≥3;
16、所述調節組件的輸入端與主變壓器的一組繞組的輸出端連接,調節組件的輸出端通過擊穿開關與升壓變壓器的原邊一端連接,升壓變壓器的原邊另一端與對應繞組的公共端連接;
17、所述升壓變壓器的副邊一端通過切換開關與第一硅芯組中每個硅芯的尾端連接,或者是,所述升壓變壓器的副邊一端通過切換開關與第一硅芯組中除第n個硅芯外剩余硅芯的尾端連接,且升壓變壓器的副邊一端直接與第一硅芯組中第n個硅芯的尾端連接;
18、所述調節組件通過維持開關與第一硅芯組的尾端連接,第一硅芯組中除第n個硅芯外剩余硅芯的首端通過打壓開關與調節組件連接的繞組的公共端連接;
19、第一硅芯組的尾端通過可控開關分別與升壓變壓器的原邊另一端、升壓變壓器的副邊另一端、繞組的公共端連接。
20、更進一步地,所述調節組件包括第一調節單元、第二調節單元;所述第一調節單元的輸入端與所述繞組的其一輸出端連接,所述第二調節單元的輸入端與所述繞組的另一輸出端連接;
21、所述第一調節單元的輸出端、第二調節單元的輸出端分別與維持開關的第一端連接,維持開關的第二端與第一硅芯組的尾端連接;第一調節單元的輸出端、第二調節單元的輸出端分別與擊穿開關的第一端連接,擊穿開關的第二端與升壓變壓器的原邊一端連接。
22、更進一步地,當n=3時,所述第一硅芯組包括依次串聯的第一硅芯、第二硅芯、第三硅芯,所述切換開關包括第一切換開關、第二切換開關,所述打壓開關包括第一打壓開關、第二打壓開關;
23、維持開關的第二端分別與第三硅芯的第二端、第一切換開關的第一端、第二切換開關的第一端連接,第一切換開關的第二端分別與第一硅芯的第二端、第二硅芯的第一端連接,第二切換開關的第二端分別與第二硅芯的第二端、第三硅芯的第一端連接;
24、升壓變壓器的副邊一端分別與第一切換開關的第一端、第二切換開關的第一端、第三硅芯的第二端連接;
25、第一打壓開關的第一端與第一硅芯的第一端連接,第二打壓開關的第二端分別與第一硅芯的第二端、第二硅芯的第一端連接,第一打壓開關的第二端、第二打壓開關的第二端分別與對應繞組的公共端連接;
26、第三硅芯的第二端與可控開關的第一端連接,可控開關的第二端分別與升壓變壓器的原邊另一端、升壓變壓器的副邊另一端、對應繞組的公共端連接。
27、更進一步地,當所述第一硅芯組每增加一個串聯在尾端的硅芯時,對應增加一個切換開關、一個打壓開關;
28、增加的切換開關的第一端分別與升壓變壓器的副邊一端、維持開關的第二端連接,增加的切換開關的第二端分別與第n-1個硅芯的第二端、第n個硅芯的第一端連接;增加的打壓開關的第一端分別與n-2個硅芯的第二端、第n-1個硅芯的第一端連接,增加的打壓開關的第二端與對應繞組的公共端連接。
29、更進一步地,所述切換開關還包括第三切換開關,將升壓變壓器的副邊一端與第三硅芯的第二端連接,替換為:升壓變壓器的副邊一端與第三切換開關的第一端連接,第三切換開關的第二端與第三硅芯的第二端連接;同時將維持開關的第二端分別與第三硅芯的第二端、第一切換開關的第一端、第二切換開關的第一端連接,替換為:維持開關的第二端分別與第三硅芯的第二端、第三切換開關的第二端連接。
30、更進一步地,當所述第一硅芯本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種多晶硅還原爐供電系統,其特征在于:包括一個主變壓器、L個調功單元、M個啟動電路、M個第一硅芯組,2≤M≤L,當M≠L時,還包括L-M個第二硅芯組;
2.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐供電系統,其特征在于:每組所述繞組包括多個輸出端、一個公共端,一組繞組的多個輸出端與一個調功單元的輸入端連接;
3.根據權利要求2所述的一種多晶硅還原爐供電系統,其特征在于:當每組繞組包括K個輸出端、一個公共端時,每個所述調功單元包括K個功率器件,每組繞組的K個輸出端與K個功率器件一一對應連接;K個功率器件的輸出端與對應的第一硅芯組的首端連接,或與對應的第二硅芯組的首端連接。
4.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐供電系統,其特征在于:所述主變壓器為三組輸出,每相輸出包括兩組繞組,即L=6;
5.一種多晶硅還原啟動電路,與權利要求1-4任一項所述的主變壓器、第一硅芯組連接,其特征在于:所述啟動電路包括調節組件、升壓變壓器、擊穿開關、維持開關、切換開關、打壓開關、可控開關;所述第一硅芯組包括N個串聯的硅芯,N≥3;
6.根據權利
7.根據權利要求5所述的一種多晶硅還原啟動電路,其特征在于:當N=3時,所述第一硅芯組包括依次串聯的第一硅芯、第二硅芯、第三硅芯,所述切換開關包括第一切換開關、第二切換開關,所述打壓開關包括第一打壓開關、第二打壓開關;
8.根據權利要求7所述的一種多晶硅還原啟動電路,其特征在于:當所述第一硅芯組每增加一個串聯在尾端的硅芯時,對應增加一個切換開關、一個打壓開關;
9.根據權利要求7所述的一種多晶硅還原啟動電路,其特征在于:所述切換開關還包括第三切換開關,將升壓變壓器的副邊一端與第三硅芯的第二端連接,替換為:升壓變壓器的副邊一端與第三切換開關的第一端連接,第三切換開關的第二端與第三硅芯的第二端連接;同時將維持開關的第二端分別與第三硅芯的第二端、第一切換開關的第一端、第二切換開關的第一端連接,替換為:維持開關的第二端分別與第三硅芯的第二端、第三切換開關的第二端連接。
10.根據權利要求9所述的一種多晶硅還原啟動電路,其特征在于:當所述第一硅芯組每增加一個串聯在尾端的硅芯時,對應增加一個切換開關、一個打壓開關;
...【技術特征摘要】
1.一種多晶硅還原爐供電系統,其特征在于:包括一個主變壓器、l個調功單元、m個啟動電路、m個第一硅芯組,2≤m≤l,當m≠l時,還包括l-m個第二硅芯組;
2.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐供電系統,其特征在于:每組所述繞組包括多個輸出端、一個公共端,一組繞組的多個輸出端與一個調功單元的輸入端連接;
3.根據權利要求2所述的一種多晶硅還原爐供電系統,其特征在于:當每組繞組包括k個輸出端、一個公共端時,每個所述調功單元包括k個功率器件,每組繞組的k個輸出端與k個功率器件一一對應連接;k個功率器件的輸出端與對應的第一硅芯組的首端連接,或與對應的第二硅芯組的首端連接。
4.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐供電系統,其特征在于:所述主變壓器為三組輸出,每相輸出包括兩組繞組,即l=6;
5.一種多晶硅還原啟動電路,與權利要求1-4任一項所述的主變壓器、第一硅芯組連接,其特征在于:所述啟動電路包括調節組件、升壓變壓器、擊穿開關、維持開關、切換開關、打壓開關、可控開關;所述第一硅芯組包括n個串聯的硅芯,n≥3;
6.根據權利要求5所述的一種多晶硅還原啟動電路,其特征在于:所述調節組件包括第一調節單元、第二調...
【專利技術屬性】
技術研發人員:譚兵,
申請(專利權)人:四川英杰電氣股份有限公司,
類型:新型
國別省市:
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