【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及碳化硅晶體，具體涉及一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、碳化硅晶體制備通常在碳化硅晶體生長爐內(nèi)生長得到，在晶體生長過程中，爐體內(nèi)需要抽真空，通入保護(hù)氣體即惰性氣體，碳化硅粉料在2000℃以上的高溫下升華氣態(tài)分子，保護(hù)氣與這些氣態(tài)分子在溫度梯度作用下會傳輸?shù)绞釄屙敳康淖丫嫔现匦陆Y(jié)晶生長出碳化硅晶，目前，碳化硅單晶的生長方式包括物理氣相傳輸法、高溫化學(xué)氣相沉積法、液相外延法等，碳化硅晶體生長爐的加熱方式一般采用高頻線圈進(jìn)行加熱，但是加熱時容易出現(xiàn)生長爐受熱不均勻，從而對晶體的生長產(chǎn)生影響，設(shè)備工作時不易對加熱位置與生長爐進(jìn)行保護(hù)，使加熱位置產(chǎn)生的熱量容易受到外界的影響，進(jìn)而加快了加熱位置溫度的流失，使設(shè)備加熱時溫度出現(xiàn)發(fā)生變化，加熱時不易對加熱部件根據(jù)生長爐的體積進(jìn)行調(diào)節(jié)，使其影響加熱設(shè)備的加熱效果，設(shè)備進(jìn)行加熱部件調(diào)節(jié)的過程中不易對加熱部件進(jìn)行支撐，使加熱部件在升降前后發(fā)生偏移，從而造成加熱部件工作時位置發(fā)生變化導(dǎo)致?lián)p壞。
2、綜上所述，加熱時容易出現(xiàn)生長爐受熱不均勻，從而對晶體的生長產(chǎn)生影響，設(shè)備工作時不易對加熱位置與生長爐進(jìn)行保護(hù)，使加熱位置產(chǎn)生的熱量容易受到外界的影響，進(jìn)而加快了加熱位置溫度的流失。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本專利技術(shù)解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：本專利技術(shù)所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，包括爐體，該爐體用于對碳化硅晶體的生長進(jìn)行處理，所述爐體的底部固定連接有機箱；還包括：
2、
3、其中加熱組件，包括：
4、加熱線圈，該加熱線圈滑動連接在爐體外表面，所述加熱線圈用于對爐體進(jìn)行加熱，所述加熱線圈的底部固定連接有承接組件，所述承接組件的頂部固定連接有防護(hù)組件，所述防護(hù)組件遠(yuǎn)離承接組件的位置固定連接有調(diào)節(jié)組件；
5、支架，該支架固定連接在機箱頂部，所述支架靠近調(diào)節(jié)組件的一側(cè)固定連接有輔助組件，所述輔助組件遠(yuǎn)離支架的一側(cè)與調(diào)節(jié)組件固定連接；
6、所述防護(hù)組件包括固定環(huán)，該固定環(huán)固定連接在爐體外表面，通過固定環(huán)與卡接環(huán)位于加熱線圈上方，所述固定環(huán)的底部滑動連接有卡接環(huán)；
7、防護(hù)板，該防護(hù)板固定連接在卡接環(huán)外表面，通過防護(hù)板設(shè)置了兩個，所述防護(hù)板用于對加熱線圈的產(chǎn)生的熱量進(jìn)行阻隔，所述防護(hù)板靠近調(diào)節(jié)組件的一側(cè)轉(zhuǎn)動連接有安裝塊，所述防護(hù)板靠近爐體的一側(cè)固定連接有隔熱板，所述隔熱板靠近防護(hù)板的一側(cè)固定連接有保溫墊。
8、優(yōu)選的，所述防護(hù)板的底部與機箱滑動連接，所述卡接環(huán)的內(nèi)表面與爐體滑動連接。
9、優(yōu)選的，所述調(diào)節(jié)組件靠近爐體的一側(cè)與加熱線圈固定連接，所述調(diào)節(jié)組件的底部與承接組件固定連接，所述承接組件的底部與機箱固定連接。
10、優(yōu)選的，所述輔助組件包括輔助框，該輔助框固定連接在支架內(nèi)表面，所述輔助框的內(nèi)腔底部固定連接有裝配架；
11、輔助板，該輔助板固定連接在輔助框內(nèi)表面，所述輔助框靠近裝配架的一側(cè)固定連接有散熱器，所述輔助板遠(yuǎn)離裝配架的位置固定連接有安裝筒，通過安裝筒位于散熱器上方，所述安裝筒的內(nèi)表面固定連接有溫度傳感器。
12、優(yōu)選的，所述溫度傳感器遠(yuǎn)離輔助板的一側(cè)延伸至安裝筒的外部，所述裝配架的頂部與散熱器固定連接。
13、優(yōu)選的，所述裝配架固定連接有裝配框，該裝配框固定連接在輔助框內(nèi)腔底部，通過裝配框位于散熱器下方，所述裝配框的內(nèi)腔底部固定連接有抵接座，所述抵接座的頂部固定連接有活性炭筒，所述活性炭筒靠近輔助板的一側(cè)固定連接有分隔盤；
14、導(dǎo)熱塊，該導(dǎo)熱塊固定連接在散熱器外表面，所述的導(dǎo)熱塊用于對散熱器表面的熱量進(jìn)行傳遞，所述導(dǎo)熱塊的底部固定連接有支撐板，所述支撐板的底部與活性炭筒固定連接。
15、優(yōu)選的，所述支撐板的外表面與裝配框固定連接，所述分隔盤遠(yuǎn)離活性炭筒的一側(cè)延伸至裝配框的外部。
16、優(yōu)選的，所述調(diào)節(jié)組件包括安裝殼，該安裝殼固定連接在輔助框靠近爐體的一側(cè)，所述安裝殼的頂部固定連接有側(cè)接板，通過側(cè)接板在安裝殼上設(shè)置了兩個，側(cè)接板與輔助框固定連接；
17、內(nèi)撐架，該內(nèi)撐架固定連接在安裝殼內(nèi)腔頂部，所述內(nèi)撐架的內(nèi)腔頂部轉(zhuǎn)動連接有轉(zhuǎn)桿，通過轉(zhuǎn)桿的底端固定連接電機，所述轉(zhuǎn)桿靠近電機的位置貫穿安裝殼，所述轉(zhuǎn)桿的外表面轉(zhuǎn)動連接有位移塊，所述位移塊遠(yuǎn)離輔助框的一側(cè)固定連接有穩(wěn)固架。
18、優(yōu)選的，所述內(nèi)撐架的外表面與位移塊滑動連接，所述轉(zhuǎn)桿的底端貫穿內(nèi)撐架且延伸至內(nèi)撐架的外部。
19、優(yōu)選的，所述穩(wěn)固架包括加固桿，該加固桿固定連接在位移塊遠(yuǎn)離輔助框的一側(cè)，通過加固桿在位移塊與連接板之間設(shè)置了兩個，所述加固桿遠(yuǎn)離安裝殼的一端固定連接有連接板，通過連接板遠(yuǎn)離加固桿的一側(cè)與加熱線圈固定連接，所述連接板靠近加固桿的位置固定連接有內(nèi)接塊；
20、穩(wěn)固塊，該穩(wěn)固塊固定連接在位移塊靠近加固桿的一側(cè)，所述穩(wěn)固塊的外表面固定連接有側(cè)撐板，所述側(cè)撐板遠(yuǎn)離穩(wěn)固塊的位置與連接板固定連接，所述穩(wěn)固塊靠近連接板的位置固定連接有外伸板，通過外伸板遠(yuǎn)離位移塊的一側(cè)與加熱線圈固定連接。
21、優(yōu)選的，所述承接組件包括基板，該基板固定連接在機箱頂部，所述基板的頂部固定連接有限制板，通過限制板在基板上設(shè)置了兩個，且限制板豎直安裝；
22、放置殼，該放置殼固定連接在限制板外表面，所述放置殼的內(nèi)腔頂部固定連接有檢測器，所述放置殼的內(nèi)表面固定連接有承接套，所述承接套的內(nèi)表面固定連接有承壓板，通過承壓板靠近加熱線圈的一側(cè)延伸至承接套的外部，所述放置殼的底部與基板固定連接。
23、本專利技術(shù)提供了一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備。具備以下有益效果：
24、1.該碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，設(shè)置了爐體、加熱線圈、機箱，通過爐體在工作前添加原料，隨著原料在爐體中受到加熱線圈產(chǎn)生的熱量進(jìn)行加熱處理，使?fàn)t體內(nèi)部進(jìn)行碳化硅晶體的生長處理，加熱線圈在爐體表面加熱時調(diào)節(jié)組件能夠帶動加熱線圈進(jìn)行升降，從而保證了加熱線圈加熱產(chǎn)生的熱量對爐體進(jìn)行均勻受熱，使防護(hù)組件在機箱上對加熱線圈進(jìn)行保護(hù)，從而利用防護(hù)組件對加熱線圈的遮擋，使防護(hù)組件對加熱線圈產(chǎn)生的熱量保溫。
25、2.該碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，通過固定環(huán)在爐體上，便于卡接環(huán)與固定環(huán)在爐體上的安裝位置對加熱線圈的分布進(jìn)行調(diào)節(jié)，卡接環(huán)移動時帶動防護(hù)板進(jìn)行移動，便于防護(hù)板在加熱時的閉合對熱量的流通進(jìn)行阻擋，保溫墊與隔熱板安裝在防護(hù)板上，使保溫墊與隔熱板能夠?qū)Ψ雷o(hù)板與爐體之間的加熱空間進(jìn)行保溫，避免觸碰防護(hù)板時發(fā)生燙傷。
26、3.該碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，通過輔助框受到支架的固定，防止調(diào)節(jié)組件工作時發(fā)生位移移動加熱線圈的分布調(diào)節(jié)，輔助板在輔助框中支撐散熱器，從而利用散熱器的工作對調(diào)節(jié)組件與輔助框內(nèi)部進(jìn)行降溫，安裝筒與散熱器配合增大輔助板自身的強度，使輔助板在輔助框上安裝位置不易本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，包括爐體(4)，該爐體(4)用于對碳化硅晶體的生長進(jìn)行處理，所述爐體(4)的底部固定連接有機箱(1)；其特征在于，還包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述防護(hù)板(31)的底部與機箱(1)滑動連接，所述卡接環(huán)(33)的內(nèi)表面與爐體(4)滑動連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述調(diào)節(jié)組件(6)靠近爐體(4)的一側(cè)與加熱線圈(8)固定連接，所述調(diào)節(jié)組件(6)的底部與承接組件(7)固定連接，所述承接組件(7)的底部與機箱(1)固定連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述輔助組件(5)包括輔助框(51)，該輔助框(51)固定連接在支架(2)內(nèi)表面，所述輔助框(51)的內(nèi)腔底部固定連接有裝配架(56)；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述溫度傳感器(52)遠(yuǎn)離輔助板(54)的一側(cè)延伸至安裝筒(53)的外部，所述裝配架(56)的頂部與散熱器(
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述裝配架(56)固定連接有裝配框(561)，該裝配框(561)固定連接在輔助框(51)內(nèi)腔底部，所述裝配框(561)的內(nèi)腔底部固定連接有抵接座(563)，所述抵接座(563)的頂部固定連接有活性炭筒(562)，所述活性炭筒(562)靠近輔助板(54)的一側(cè)固定連接有分隔盤(566)；
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述支撐板(564)的外表面與裝配框(561)固定連接，所述分隔盤(566)遠(yuǎn)離活性炭筒(562)的一側(cè)延伸至裝配框(561)的外部。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述調(diào)節(jié)組件(6)包括安裝殼(62)，該安裝殼(62)固定連接在輔助框(51)靠近爐體(4)的一側(cè)，所述安裝殼(62)的頂部固定連接有側(cè)接板(61)；
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述內(nèi)撐架(66)的外表面與位移塊(64)滑動連接，所述轉(zhuǎn)桿(63)的底端貫穿內(nèi)撐架(66)且延伸至內(nèi)撐架(66)的外部。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述穩(wěn)固架(65)包括加固桿(651)，該加固桿(651)固定連接在位移塊(64)遠(yuǎn)離輔助框(51)的一側(cè)，所述加固桿(651)遠(yuǎn)離安裝殼(62)的一端固定連接有連接板(652)，所述連接板(652)靠近加固桿(651)的位置固定連接有內(nèi)接塊(656)；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，包括爐體(4)，該爐體(4)用于對碳化硅晶體的生長進(jìn)行處理，所述爐體(4)的底部固定連接有機箱(1)；其特征在于，還包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述防護(hù)板(31)的底部與機箱(1)滑動連接，所述卡接環(huán)(33)的內(nèi)表面與爐體(4)滑動連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述調(diào)節(jié)組件(6)靠近爐體(4)的一側(cè)與加熱線圈(8)固定連接，所述調(diào)節(jié)組件(6)的底部與承接組件(7)固定連接，所述承接組件(7)的底部與機箱(1)固定連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述輔助組件(5)包括輔助框(51)，該輔助框(51)固定連接在支架(2)內(nèi)表面，所述輔助框(51)的內(nèi)腔底部固定連接有裝配架(56)；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述溫度傳感器(52)遠(yuǎn)離輔助板(54)的一側(cè)延伸至安裝筒(53)的外部，所述裝配架(56)的頂部與散熱器(55)固定連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種碳化硅晶體生長的均勻加熱設(shè)備，其特征在于：所述裝配架(56)固定連接有裝配框(561)，該裝配框(561)固定連接在輔助框(51)內(nèi)腔底部...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡運俊，謝繼飛，佘潔柯，林峰，張雙鋒，陳真，
申請(專利權(quán))人：東莞市鼎力自動化科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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