【技術實現步驟摘要】
本申請涉及單晶爐的,特別是涉及一種清洗單晶爐體水路裝置及單晶爐。
技術介紹
1、在單晶硅行業當中,單晶爐設備水路輕微堵塞產生的高溫會導致單晶爐各法蘭位置密封圈燙壞、爐體漏氣,進而導致晶棒提斷、變色甚至無法拉制;單晶爐設備水路嚴重堵塞會導致漏硅,可能致使單晶爐爆炸,造成人員傷害等嚴重后果。
2、目前,為排除以上危險因素,現行方法為定期對單晶爐設備水路進行放水沖洗,清除水路中的雜質。但是這個過程工作量大,費時費力且容易清理不徹底。
技術實現思路
1、本技術提供了一種清洗單晶爐體水路裝置及單晶爐,能夠通過可調節水壓與可調節壓縮空氣形成脈沖水流和脈沖氣流,進行反復清洗單晶爐設備水路,清洗方法簡單有效,經濟實用,操作靈活且易于控制。
2、根據一些實施例,本技術提供了一種清洗單晶爐體水路裝置,包括:供水箱,所述供水箱設置有出水口和回水口,所述出水口通過出水管與待清洗的單晶爐設備水路進口連接,所述回水口通過回水管與待清洗的單晶爐設備水路出口連接;泵送系統,所述泵送系統設置在所述出水管上,且可調節所述出水管的水壓,以形成脈沖水流;補氣系統,所述補氣系統與所述出水管連接,且可向所述出水管內補氣,以形成脈沖氣流;所述出水管內形成所述脈沖水流和/或所述脈沖氣流,以實現對待清洗的單晶爐設備水路進行沖洗。
3、可選的是,所述泵送系統包括變頻增壓泵和控制調節所述變頻增壓泵參數的變頻器,所述變頻增壓泵和所述變頻器之間電性連接,所述變頻增壓泵設置有進水接口和出水接口,所述進水接
4、可選的是,所述出水管二和所述補氣系統之間通過支管進行連接;所述補氣系統通過所述支管往所述出水管二內補氣。
5、可選的是,所述補氣系統包括調壓閥和連接于所述調壓閥和外部氣源的補氣管;所述調壓閥安裝于所述支管遠離所述出水管二的端部上。
6、可選的是,所述支管上還安裝有電磁調節閥,所述電磁調節閥位于所述調壓閥和所述出水管二之間;所述電磁調節閥與所述變頻器之間電性連接;所述電磁調節閥和所述變頻增壓泵通過所述變頻器控制實現聯動互鎖。
7、可選的是,所述出水管二上還安裝有單向閥,所述單向閥位于所述支管和所述出水接口之間。
8、可選的是,所述出水管一設置為橡膠軟管。
9、可選的是,所述供水箱的回水口處安裝有過濾器。
10、根據一些實施例,本技術還提供了一種單晶爐,包括所述的清洗單晶爐體水路裝置。
11、有益效果:
12、本技術中通過在出水管上設置泵送系統和補氣系統,通過泵送系統調節出水管的水壓以形成脈沖水流,通過補氣系統往出水管內補氣以形成脈沖氣流,由此能夠調節在出水管內形成交替性通斷的脈沖水流和/或脈沖氣流,以實現對待清洗的單晶爐設備水路進行沖洗,此種清洗方法簡單有效,經濟實用,操作靈活易于控制。
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1.一種清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,
3.根據權利要求2所述的清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,
4.根據權利要求3所述的清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,
5.根據權利要求4所述的清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,
6.根據權利要求5所述的清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,
7.根據權利要求2所述的清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,
8.根據權利要求1-7中任意一項所述的清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,所述供水箱(1)的回水口(12)處安裝有過濾器(9)。
9.一種單晶爐,其特征在于,包括如權利要求1-8中任意一項所述的清洗單晶爐體水路裝置。
【技術特征摘要】
1.一種清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,
3.根據權利要求2所述的清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,
4.根據權利要求3所述的清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,
5.根據權利要求4所述的清洗單晶爐體水路裝置,其特征在于,
6.根據權...
【專利技術屬性】
技術研發人員:蘇傳軍,崔鵬,張永強,
申請(專利權)人:包頭晶澳太陽能科技有限公司,
類型:新型
國別省市:
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